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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4
DSC1121NE2-025.0000T	-	RFQ	1161	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
VCC1-B3E-19M4400000	-	RFQ	5910	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6001JI2A-027.0000	-	RFQ	9504	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
VC-711-ED-KAAN-10M0000000TR	-	RFQ	6194	마이크로 마이크로 기술	VC-711	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		10MHz	LVD	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-vc-711-ede-kaan-10m0000000tr	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	33MA		결정	± 50ppm	-	-	-
VC-714-0003-200M0000000TR	-	RFQ	8604	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드				150-VC-714-0003-200M0000000TR			1
VC-820-JAE-FAAN-27M0000000	-	RFQ	1818	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSA6101JL2B-032K768TVAO	-	RFQ	1537	마이크로 마이크로 기술	DSA61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		32.768 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6101JL2B-032K768TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001CI2-020.0037	-	RFQ	1907	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		20.0037 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CI2-020.0037	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	6.5MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1123CI2-322.2650T	-	RFQ	6199	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	322.265 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6083CI1A-100K000	-	RFQ	5498	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		100 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	-	1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
VC-709-ECW-KAAN-25M0000000TR	-	RFQ	2782	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인	-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz	lvpecl	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-709-ECW-KAAN-25M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	45MA		결정	± 50ppm	-	-	-
VXB1-1B4-25M0000000	-	RFQ	5822	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0060	1,000
DSA6001MI2B-032.7680VAO	-	RFQ	6940	마이크로 마이크로 기술	DSA60XX	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSA6001	32.768 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6001MI2B-032.7680VAO	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1124CE2-027.0000T	-	RFQ	3670	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1124	27 MHz	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1124CE2-027.0000T	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	42MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1001AE1-040.0000	-	RFQ	6098	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1001	40MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	10.5MA		MEMS	-	± 50ppm	-	15µA
DSC1001BI1-050.0000	1.2200	RFQ	2521	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	50MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	7.2MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6183HI1A-720K000	-	RFQ	5922	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		720 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSC6183HI1A-720K000	귀 99	8542.39.0001	100	-	3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1001DI2-032.7680	-	RFQ	3075	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	32.768 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	8ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1121DI1-060.0000T	-	RFQ	8744	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	60MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1122AE1-025.0000	-	RFQ	1722	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1122	25MHz	lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	58ma		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001AI2-120.0000	-	RFQ	9889	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	120MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	8.7ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6023MI2A-00A5T	-	RFQ	1883	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-VFLGA	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-	1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm				25MHz, 50MHz	-	-	-
DSC1033BI1-050.0000	-	RFQ	2222	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		50MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	4MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC6101JI1B-019.2000T	-	RFQ	7500	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		19.2 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101JI1B-019.2000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA
DSC6001HI2A-026.0000T	-	RFQ	2398	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		26 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수			150-DSC6001HI2A-026.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
HTM6101MA2B-050.0000	-	RFQ	3283	마이크로 마이크로 기술	htm61xx	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO		50MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-HTM6101MA2B-050.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	4MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001AI5-002.0480T	-	RFQ	7134	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		2.048 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001AI5-002.0480TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	6.5MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1103BI2-062.5000T	-	RFQ	4656	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	62.5 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	32MA		MEMS	-	± 25ppm	-	95µA
DSC1004DI5-024.0000T	-	RFQ	5077	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1004	24 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1004DI5-024.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1003CI2-027.0000	-	RFQ	5526	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1003	27 MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	7.1ma		MEMS	± 25ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²