SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
VXA4-1B2-20M0000000 Microchip Technology VXA4-1B2-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 8215 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXA4 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.427 "L x 0.177"W (10.85mm x 4.50mm) 0.138 "(3.50mm) 구멍을 구멍을 HC-49/u MHZ 크리스탈 20MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXA4-1B2-20M0000000TR 귀 99 8541.60.0050 1,000 20pf ± 50ppm ± 10ppm
DSC1101NI5-012.8000 Microchip Technology DSC1101NI5-012.8000 -
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 12.8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - -
VC-708-EDE-FNXN-155M980800 Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-155M980800 -
RFQ
 ECAD 3308 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-708 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 155.9808 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-708-EDE-FNXN-155M980800 귀 99 8542.39.0001 100 - 48MA 결정 ± 25ppm - - -
MX555ABB850M000 Microchip Technology MX555ABB850M000 -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX555ABB850M000 850MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
VC-708-EDE-FNXN-157M326900 Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-157M326900 -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-708 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 157.3269 MHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-708-EDE-FNXN-157M326900 귀 99 8542.39.0001 100 - 48MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC8002CI2T Microchip Technology DSC8002CI2T -
RFQ
 ECAD 2090 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8002 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 10MA MEMS ± 25ppm - 15 µA 1MHz ~ 150MHz -
M921223CL1-100M0000 Microchip Technology M921223CL1-100M0000 -
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223CL1-100M0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC1033CI1-001.8432T Microchip Technology DSC1033CI1-001.8432T -
RFQ
 ECAD 7003 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.8432 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1001BE1-066.6666T Microchip Technology DSC1001BE1-066.6666T -
RFQ
 ECAD 1534 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 66.6666 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 50ppm - - -
DSC6051JI3B-024.0000 Microchip Technology DSC6051JI3B-024.0000 -
RFQ
 ECAD 3423 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6051JI3B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC1103CE1-212.5000 Microchip Technology DSC1103CE1-212.5000 -
RFQ
 ECAD 7729 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 212.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA6331JI1CB-027.0000VAO Microchip Technology DSA6331JI1CB-027.0000VAO -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331JI1CB-027.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 -
DSC1001AC1-027.0000 Microchip Technology DSC1001AC1-027.0000 0.9000
RFQ
 ECAD 9717 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6003JI1B-004.0000 Microchip Technology DSC6003JI1B-004.0000 -
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI1B-004.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC1-B3C-14M7456000 Microchip Technology VCC1-B3C-14M7456000 -
RFQ
 ECAD 4013 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6102HI2B-024.0000T Microchip Technology DSC6102HI2B-024.0000T -
RFQ
 ECAD 9405 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102HI2B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI1-024.5760 Microchip Technology DSC1001BI1-024.5760 0.9100
RFQ
 ECAD 2898 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VTD3-J02E-50M0000000 Microchip Technology VTD3-J02E-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 7118 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6101MI2B-024.0000 Microchip Technology DSC6101MI2B-024.0000 -
RFQ
 ECAD 6312 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101MI2B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC2033FI2-F0039T Microchip Technology DSC2033FI2-F0039T -
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2033 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 100MHz 75MHz - -
DSC1123NI5-100.0000T Microchip Technology DSC1123NI5-100.0000T -
RFQ
 ECAD 9000 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 10ppm - 22MA
DSC1121AE5-025.0000 Microchip Technology DSC1121AE5-025.0000 -
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AE5-025.0000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA1101DA1-026.9973VAO Microchip Technology DSA1101DA1-026.9973VAO -
RFQ
 ECAD 7099 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 26.9973 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA1-026.9973VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
VC-711-EDW-EAAN-125M000000 Microchip Technology VC-711-EDW-EAAN-125M000000 -
RFQ
 ECAD 8141 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-711 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 20ppm - - -
DSC6111JL2B-007.3728 Microchip Technology DSC6111JL2B-007.3728 0.9960
RFQ
 ECAD 8603 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 7.3728 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JL2B-007.3728 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
MX573DBC16M6666 Microchip Technology MX573DBC16M6666 -
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX573DBC16M6666 16.6666 MHz CMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX573DBC16M6666 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1202BE3-75M00000T Microchip Technology DSC1202BE3-75M00000T -
RFQ
 ECAD 6293 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1202 75MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1202BE3-75M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1001AI1-032.0000 Microchip Technology DSC1001AI1-032.0000 -
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 32 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001AI1-032.0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VXM7-1EE-12-49M1520000TR Microchip Technology VXM7-1EE-12-49M1520000TR -
RFQ
 ECAD 5270 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 49.152 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1EE-12-49M1520000TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 12pf ± 20ppm ± 20ppm
DSC1001CE2-033.3333T Microchip Technology DSC1001CE2-033.3333T -
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001001001001CE2-033.33333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333까지입니다 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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