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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC1103CI5-027.0000	-	RFQ	7627	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	27 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			32MA		MEMS	-	± 10ppm	-	95µA
VXM7-1139-38M8800000	-	RFQ	5679	마이크로 마이크로 기술	vxm7	테이프 & tr (TR)	활동적인	40	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		38.88 MHz	근본적인			다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VXM7-1139-38M8800000TR	귀 99	8541.60.0060	1,000			-				-				± 20ppm
DSC6101MA3B-Prog	1.1640	RFQ	4908	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)		MEMS	-		-							3.5 kHz ~ 100MHz	± 20ppm
DSC6013JI3B-032.0000	-	RFQ	1347	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6013	32 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6013JI3B-032.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	-
VC-706-HCE-FAAN-31M2500000	-	RFQ	3036	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1102AI2-156.2500	-	RFQ	9932	마이크로 마이크로 기술	DSC1102	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1102	156.25 MHz		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)			58ma		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSA1001CL1-012.0000VAO	-	RFQ	8399	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		12MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1001CL1-012.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			8ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1030BC1-125.0000T	-	RFQ	2095	마이크로 마이크로 기술	DSC1030, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		0 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz		CMOS	3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			10MA		MEMS	± 50ppm	-	-	-
VXM2-1F2-20M0000000	-	RFQ	7659	마이크로 마이크로 기술	VXM2	테이프 & tr (TR)	활동적인	50 옴	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.236 "L x 0.126"W (6.00mm x 3.20mm)	0.043 "(1.10mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		20MHz	근본적인			-			영향을받지 영향을받지	150-VXM2-1F2-20M0000000TR	귀 99	8541.60.0050	1,000			20pf				± 30ppm				± 20ppm
DSC6011JI2A-032.0000	-	RFQ	7827	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		32 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001DI2-002.0000	-	RFQ	6384	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	2 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA6101JL3B-012.28888TVAO	-	RFQ	6848	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		12.2888 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6101JL3B-012.28888TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1001DI4-059.7800T	-	RFQ	3864	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	59.78 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.2MA		MEMS	-	-	-	15µA
DSC6011HI2A-042.2400	-	RFQ	2808	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		42.24 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6011MI2A-026.0000	-	RFQ	4461	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		26 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1121CM1-066.6660T	-	RFQ	4503	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	66.666 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			22MA		MEMS	± 50ppm	-	-	-
VT-820-JFH-106C-25M0000000	-	RFQ	4477	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6001CI2A-032.7680	-	RFQ	2148	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		32.768 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6101HA3B-025.0000T	-	RFQ	1126	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		25MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101HA3B-025.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	-
VXB2-1KE-20-18M4320000	-	RFQ	7489	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0050	1,000
DSC6122JI2A-00AU	-	RFQ	7255	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	-			3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm					50MHz, 100MHz	-	-	-
VCC1-F3D-66M6660000	-	RFQ	3990	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VC-806-ECE-KAAN-100M000000	-	RFQ	6757	마이크로 마이크로 기술	VC-806	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		100MHz		lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-806-ECE-KAAN-100M0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			75MA		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1121BI1-014.8946	-	RFQ	8602	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		14.8946 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1121BI1-014.8946	귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			22MA		MEMS	± 50ppm	-	-	35MA
DSC6101CI2A-026.0000T	1.0900	RFQ	50	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		26 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC6112JI2B-024.0000	-	RFQ	9973	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		24 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6112JI2B-024.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA
DSC6011ME1B-032K768	-	RFQ	4824	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		32.768 kHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6011ME1B-032K768	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
VC-826-ede-kaan-50M0000000	-	RFQ	6378	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6001JI2A-010.0000T	-	RFQ	6534	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		10MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSA1121CA2-125.0000TVAO	-	RFQ	3086	마이크로 마이크로 기술	DSA1121	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		125MHz		CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1121CA2-125.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²