전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 작동 작동 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 프로그래밍 프로그래밍 유형 | 커패시턴스로드 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 주파수 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 | 사용 사용 주파수 가능한 | 주파수 주파수 (안정성) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSA1223CL3-125M0000VAO | - | ![]() | 1667 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA12X3 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 125MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1223CL3-125M0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||||||||||
![]() | VC-714-ECE-KAAN-150M0000TTR | - | ![]() | 6057 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-714 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 150MHz | lvpecl | 3.3v | 다운로드 | 150-VC-714-ECE-KAAN-150M0000TR | 1 | 활성화/비활성화 | 70ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | DSC2011FI1-F0036 | - | ![]() | 8543 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2011 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC2011 | CMOS | 1.65V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 23 MA | 50MHz | 50MHz | - | - | ||||||||||||||||
![]() | VTB1-1011-40M0000000 | - | ![]() | 9006 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VTB1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 50 ° C | - | 0.720 "L x 0.472"W (18.30mm x 12.00mm) | 0.197 "(5.00mm) | 표면 표면 | 14-smd,, 없음, 4 개의 리드 | TCXO | 40MHz | HCMOS, TTL | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VTB1-1011-40M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 20MA | 결정 | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | DSC6011CI1A-013.5600 | - | ![]() | 1724 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 13.56 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | ± 50ppm | - | - | ||||||||||||||||
![]() | VT-827-EFH-206A-40M0000000 | - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-827 | 조각 | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | vctcxo | 40MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-827-EFH-206A-40M0000000 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 진폭 진폭 | 2MA | 결정 | ± 2ppm | ± 5ppm | - | - | |||||||||||||||
![]() | DSA400-4444Q0167KL1VAO | - | ![]() | 3851 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-4444Q0167KL1VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 88ma | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 44 MA | 100MHz | 125MHz | 125MHz | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | DSC1001DL5-006.0000 | - | ![]() | 5587 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 6MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DL5-006.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | vcc4a-b3c-12m0000000tr | - | ![]() | 9619 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vcc4a | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 150-VCC4A-B3C-12M0000000tr | 1 | 활성화/비활성화 | 3MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | 10µA | |||||||||||||||||||
![]() | DSC1123CI2-266.5000 | - | ![]() | 2964 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1123 | 266.5 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||||||
![]() | DSC1018DI2-015.0000 | - | ![]() | 6649 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1018 | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 15MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1µA | |||||||||||||||
![]() | DSC6011JA1B-040.0000 | - | ![]() | 4454 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 40MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JA1B-040.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 80µA (타이핑) | ||||||||||||||||
![]() | DSC6003CA3B-Prog | 0.9960 | ![]() | 3962 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC6003 | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6003CA3B-Prog | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | 2 kHz ~ 80 MHz | - | ||||||||||||||
![]() | DSC1001DI1-025.0008 | - | ![]() | 9541 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 25.0008 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | VCC4-H3D-33M0000000 | - | ![]() | 7042 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX554EBG16M0000 | - | ![]() | 1725 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX554EBG16M0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC1001CL1-050.0000 | - | ![]() | 3510 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 50MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | VC-840-JAE-KAAN-25M0000000 | - | ![]() | 3749 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC1001BI1-050.0000T | 1.0625 | ![]() | 1436 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 50MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | VXM7-1D4-30M0000000 | - | ![]() | 6191 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC6102JL1B-088.0000 | - | ![]() | 3713 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 88MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6102JL1B-088.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | vcc1a-b3c-24m5770000tr | - | ![]() | 8126 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vcc1a | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 24.577 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-vcc1a-b3c-24m5770000tr | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 12MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | 10µA | |||||||||||||||||
![]() | DSC6011MI2A-080.0000 | - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 가방 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 80MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | DSA1001DL2-016.0000TVAO | - | ![]() | 7451 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSA1001 | 16MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001DL2-016.0000TVAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
![]() | VXM7-9060-16M3840000 | - | ![]() | 9606 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm7 | 조각 | 활동적인 | 80 옴 | - | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 16.384 MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM7-9060-16M3840000 | 귀 99 | 8541.60.0050 | 3,000 | - | - | ± 20ppm | ||||||||||||||||||||
![]() | DSC6001CE2A-010.0000 | 1.0800 | ![]() | 954 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 10MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | DSC6001HE2A-027.0000T | - | ![]() | 6211 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | VT-860-FFH-5070-26M0000000 | - | ![]() | 9800 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC6101ML3B-014.7456 | - | ![]() | 7663 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6101 | 14.7456 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101ML3B-014.7456 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||||||||||||
![]() | DSC1203BI2-200M0000 | - | ![]() | 5259 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1203 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 200MHz | LVD | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1203BI2-200M0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 32MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고