SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSA1223CL3-125M0000VAO Microchip Technology DSA1223CL3-125M0000VAO -
RFQ
ECAD 1667 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1223CL3-125M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
VC-714-ECE-KAAN-150M000000TR Microchip Technology VC-714-ECE-KAAN-150M0000TTR -
RFQ
ECAD 6057 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-714 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 150MHz lvpecl 3.3v 다운로드 150-VC-714-ECE-KAAN-150M0000TR 1 활성화/비활성화 70ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC2011FI1-F0036 Microchip Technology DSC2011FI1-F0036 -
RFQ
ECAD 8543 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2011 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2011 CMOS 1.65V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 50MHz 50MHz - -
VTB1-1011-40M0000000 Microchip Technology VTB1-1011-40M0000000 -
RFQ
ECAD 9006 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VTB1 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 50 ° C - 0.720 "L x 0.472"W (18.30mm x 12.00mm) 0.197 "(5.00mm) 표면 표면 14-smd,, 없음, 4 개의 리드 TCXO 40MHz HCMOS, TTL - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VTB1-1011-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - 20MA 결정 - - - -
DSC6011CI1A-013.5600 Microchip Technology DSC6011CI1A-013.5600 -
RFQ
ECAD 1724 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.56 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm ± 50ppm - -
VT-827-EFH-206A-40M0000000 Microchip Technology VT-827-EFH-206A-40M0000000 -
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-827 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 40MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-827-EFH-206A-40M0000000 귀 99 8541.60.0080 100 진폭 진폭 2MA 결정 ± 2ppm ± 5ppm - -
DSA400-4444Q0167KL1VAO Microchip Technology DSA400-4444Q0167KL1VAO -
RFQ
ECAD 3851 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0167KL1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 100MHz 125MHz 125MHz 100MHz
DSC1001DL5-006.0000 Microchip Technology DSC1001DL5-006.0000 -
RFQ
ECAD 5587 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 6MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL5-006.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
VCC4A-B3C-12M0000000TR Microchip Technology vcc4a-b3c-12m0000000tr -
RFQ
ECAD 9619 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vcc4a 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 3.3v 다운로드 150-VCC4A-B3C-12M0000000tr 1 활성화/비활성화 3MA 결정 ± 100ppm - - 10µA
DSC1123CI2-266.5000 Microchip Technology DSC1123CI2-266.5000 -
RFQ
ECAD 2964 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 266.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC1018DI2-015.0000 Microchip Technology DSC1018DI2-015.0000 -
RFQ
ECAD 6649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 15MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC6011JA1B-040.0000 Microchip Technology DSC6011JA1B-040.0000 -
RFQ
ECAD 4454 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 40MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JA1B-040.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6003CA3B-PROG Microchip Technology DSC6003CA3B-Prog 0.9960
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC6003 CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003CA3B-Prog 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - 2 kHz ~ 80 MHz -
DSC1001DI1-025.0008 Microchip Technology DSC1001DI1-025.0008 -
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 25.0008 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VCC4-H3D-33M0000000 Microchip Technology VCC4-H3D-33M0000000 -
RFQ
ECAD 7042 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
MX554EBG16M0000 Microchip Technology MX554EBG16M0000 -
RFQ
ECAD 1725 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX554EBG16M0000 귀 99 8542.39.0001 60
DSC1001CL1-050.0000 Microchip Technology DSC1001CL1-050.0000 -
RFQ
ECAD 3510 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VC-840-JAE-KAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-840-JAE-KAAN-25M0000000 -
RFQ
ECAD 3749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001BI1-050.0000T Microchip Technology DSC1001BI1-050.0000T 1.0625
RFQ
ECAD 1436 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VXM7-1D4-30M0000000 Microchip Technology VXM7-1D4-30M0000000 -
RFQ
ECAD 6191 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 3,000
DSC6102JL1B-088.0000 Microchip Technology DSC6102JL1B-088.0000 -
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 88MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102JL1B-088.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC1A-B3C-24M5770000TR Microchip Technology vcc1a-b3c-24m5770000tr -
RFQ
ECAD 8126 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vcc1a 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.577 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-vcc1a-b3c-24m5770000tr 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 12MA 결정 ± 100ppm - - 10µA
DSC6011MI2A-080.0000 Microchip Technology DSC6011MI2A-080.0000 -
RFQ
ECAD 2337 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 80MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA1001DL2-016.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-016.0000TVAO -
RFQ
ECAD 7451 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 16MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL2-016.0000TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VXM7-9060-16M3840000 Microchip Technology VXM7-9060-16M3840000 -
RFQ
ECAD 9606 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 조각 활동적인 80 옴 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 16.384 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-9060-16M3840000 귀 99 8541.60.0050 3,000 - - ± 20ppm
DSC6001CE2A-010.0000 Microchip Technology DSC6001CE2A-010.0000 1.0800
RFQ
ECAD 954 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6001HE2A-027.0000T Microchip Technology DSC6001HE2A-027.0000T -
RFQ
ECAD 6211 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VT-860-FFH-5070-26M0000000 Microchip Technology VT-860-FFH-5070-26M0000000 -
RFQ
ECAD 9800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6101ML3B-014.7456 Microchip Technology DSC6101ML3B-014.7456 -
RFQ
ECAD 7663 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 14.7456 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101ML3B-014.7456 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1203BI2-200M0000 Microchip Technology DSC1203BI2-200M0000 -
RFQ
ECAD 5259 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 200MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203BI2-200M0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 5µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고