SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수
DSC1001DI2-057.2727 Microchip Technology DSC1001DI2-057.2727 -
RFQ
 ECAD 5558 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 57.2727 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121BI2-040.6800T Microchip Technology DSC1121BI2-040.6800T -
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 40.68 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121BI2-040.6800TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1221DI1-25M00000 Microchip Technology DSC1221DI1-25M00000 -
RFQ
 ECAD 5213 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1221DI1-25M00000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
VCC1-B3F-14M3180000 Microchip Technology VCC1-B3F-14M3180000 -
RFQ
 ECAD 4607 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
MX555ABB50M0000-TR Microchip Technology MX555ABBB550M0000-TR -
RFQ
 ECAD 8917 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX555ABB50 50MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1121AM1-027.0000T Microchip Technology DSC1121AM1-027.0000T -
RFQ
 ECAD 2898 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - -
MX555ABA750M000 Microchip Technology MX555ABA750M000 -
RFQ
 ECAD 3940 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX555 750MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 60 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC1001DL2-027.0000T Microchip Technology DSC1001DL2-027.0000T 1.2900
RFQ
 ECAD 8061 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1104DL2-156.2500VAO Microchip Technology DSA1104DL2-156.2500VAO -
RFQ
 ECAD 1189 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1104 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz HCSL 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1104DL2-156.2500VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6101ME3B-485K000T Microchip Technology DSC6101ME3B-485K000T -
RFQ
 ECAD 5649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 485 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101ME3B-485K000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1223NE1-125M0000T Microchip Technology DSC1223NE1-125M0000T -
RFQ
 ECAD 2983 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1223 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223NE1-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSC6001MI2B-016.6660 Microchip Technology DSC6001MI2B-016.6660 -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 16.666 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001MI2B-016.6660 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6311JI1HA-028.6364 Microchip Technology DSC6311JI1HA-028.6364 -
RFQ
 ECAD 4312 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 28.6364 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS - - - 80µA (타이핑)
DSC6001HE1A-016.0000T Microchip Technology DSC6001HE1A-016.0000T -
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6183CI1A-800K000T Microchip Technology DSC6183CI1A-800K000T -
RFQ
 ECAD 1999 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 800 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VT-820-EFE-1060-11M0592000 Microchip Technology VT-820-EFE-1060-11M0592000 -
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121BM2-120.0000 Microchip Technology DSC1121BM2-120.0000 -
RFQ
 ECAD 5841 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 120MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSA1123CL2-100.0000TVAO Microchip Technology DSA1123CL2-100.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 4069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123CL2-100.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1201DA3-25M00000T Microchip Technology DSC1201DA3-25M00000T -
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201DA3-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1123CI2-148.3516 Microchip Technology DSC1123CI2-148.3516 -
RFQ
 ECAD 7001 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 148.3516 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CI2-148.3516 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
MX775EBF644M531-TR Microchip Technology MX775EBF644M531-TR -
RFQ
 ECAD 3492 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX775EBF644M531-TR 귀 99 8541.60.0080 1,000
DSA1121DA2-050.0000VAO Microchip Technology DSA1121DA2-050.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8726 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1121 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121DA2-050.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001DI1-074.2500 Microchip Technology DSC1001DI1-074.2500 1.0100
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 74.25 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6003JE2B-032K768T Microchip Technology DSC6003JE2B-032K768T -
RFQ
 ECAD 7791 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JE2B-032K768TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
MX575ANN15M0000-TR Microchip Technology MX575ANN15M0000-TR -
RFQ
 ECAD 9733 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX575ANN15M0000 15MHz LVCMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
VCC1-1533-25M0000000 Microchip Technology VCC1-1533-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 2180 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1533-25M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 - 결정 - - - 30µA
DSC6111MI1A-008.0000 Microchip Technology DSC6111MI1A-008.0000 -
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
VC-827-JDE-KAAN-156M250000 Microchip Technology VC-827-JDE-KAAN-156M250000 -
RFQ
 ECAD 3553 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-827 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVD 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-827-JDE-KAAN-156M250000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - - -
VXM7-9055-12M0000000TR Microchip Technology VXM7-9055-12M0000000TR -
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 옴 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 12MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-9055-12M0000000TR 귀 99 8541.60.0050 3,000 - - ± 20ppm
DSC1033AE1-005.0000 Microchip Technology DSC1033AE1-005.0000 -
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1033 5 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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