SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
VCC1-G3D-66M6667000 Microchip Technology VCC1-G3D-66M6667000 -
RFQ
 ECAD 6804 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121BI2-148.5000T Microchip Technology DSC1121BI2-148.5000T -
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 148.5 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1122NE1-133.3330T Microchip Technology DSC1122NE1-133.3330T -
RFQ
 ECAD 8791 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1122 133.333 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC2033FL2-F0004 Microchip Technology DSC2033FL2-F0004 -
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FL2-F0004 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 100MHz 150MHz - -
DSC6331JA2BB-025.0000T Microchip Technology DSC6331JA2BB-025.0000T -
RFQ
 ECAD 2548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JA2BB-025.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
VXM1-1GE-18-24M0000000 Microchip Technology VXM1-1GE-18-24M0000000 -
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 ECAD 3147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 1,000
DSC1123CE2-100.0000 Microchip Technology DSC1123CE2-100.0000 -
RFQ
 ECAD 8959 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VXB1-1D2-25M0000000_SNPB Microchip Technology VXB1-1D2-25M0000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 50
DSC1121BI5-010.0000T Microchip Technology DSC1121BI5-010.0000T -
RFQ
 ECAD 6039 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 10MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6011HA1B-032K768T Microchip Technology DSC6011HA1B-032K768T -
RFQ
 ECAD 1731 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HA1B-032K768TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
DSC1121AM2-016.0000 Microchip Technology DSC1121AM2-016.0000 -
RFQ
 ECAD 2643 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 16MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1033DE1-018.4320T Microchip Technology DSC103333DE1-018.4320T -
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1033 18.432 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
VCE1-B3B-5M00000000 Microchip Technology VCE1-B3B-5M00000000 -
RFQ
 ECAD 6204 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC2033FI2-H0005T Microchip Technology DSC2033FI2-H0005T -
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FI2-H0005TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 125MHz 125MHz - -
VC-820-JAE-FAAN-50M0000000 Microchip Technology VC-820-JAE-FAAN-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6011HI2A-050.0000 Microchip Technology DSC6011HI2A-050.0000 -
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VT-841-HFE-2560-40M0000000 Microchip Technology VT-841-HFE-2560-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 6675 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-841 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz 사인파를 사인파를 2.5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-841-HFE-2560-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 2.5MA 결정 ± 2.5ppm - - -
DSC6183CI2A-010K000 Microchip Technology DSC6183CI2A-010K000 -
RFQ
 ECAD 9677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI5-040.0000T Microchip Technology DSC1001BI5-040.0000T -
RFQ
 ECAD 2066 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSA6311JL1AB-028.6364TV01 Microchip Technology DSA6311JL1AB-028.6364TV01 -
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSA6311 28.6364 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA6311JL1AB-028.6364TV01TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
VCC6-LAF-125M000000 Microchip Technology VCC6-LAF-125M000000 -
RFQ
 ECAD 1338 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
CD-700-EAE-SKNA-12M8000000 Microchip Technology CD-700-EAE-SKNA-12M8000000 -
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
DSC1121AI2-200.0000T Microchip Technology DSC1121AI2-200.0000T -
RFQ
 ECAD 3659 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 200MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSC1121AI2-200.0000TMCR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1103CI1-027.0000T Microchip Technology DSC1103CI1-027.0000T -
RFQ
 ECAD 2701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 27 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 50ppm - 95µA
DSC1018DE1-024.0000T Microchip Technology DSC1018DE1-024.0000T -
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1102AI5-156.2500T Microchip Technology DSC1102AI5-156.2500T -
RFQ
 ECAD 6631 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1102 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS - ± 10ppm - 95µA
CD-700-SYNCE-25M0000000 Microchip Technology CD-700-SYNCE-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 9798 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
VXB1-1KE-16-5M00000000 Microchip Technology vxb1-1ke-16-5M00000000 -
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXB1 조각 활동적인 80 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) 0.126 "(3.20mm) 표면 표면 HC-49/US MHZ 크리스탈 5 MHz 근본적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-vxb1-1ke-16-5M00000000 귀 99 8541.60.0080 100 16pf ± 50ppm ± 20ppm
DSC1502AI3A-8M000000T Microchip Technology DSC1502AI3A-8M000000T -
RFQ
 ECAD 3541 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 8 MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1502AI3A-8M000000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1.8µA (()
DSC6001HE1A-011.0592T Microchip Technology DSC6001HE1A-011.0592T -
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11.0592 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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