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결정, 공진기, 발진기 (18804)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	내용물	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC1103CI2-300.0000	-	RFQ	4311	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103		300MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		32MA			MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1033CI2-028.3220T	-	RFQ	8593	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033		28.322 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		10MA			MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC1001DI5-025.6000T	-	RFQ	6893	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001		25.6 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC6183CI2A-006K485T	-	RFQ	5663	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)			6.485 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)			MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC-TimeFlash	-	RFQ	2559	마이크로 마이크로 기술	Timeflash	대부분	쓸모없는							프로그래밍 프로그래밍		mems 발진기				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8471.80.9000	1					케이블, 소프트웨어, 프로그래머, 트위터, usb 플래시 드라이브
DSC6121CI2A -00EU	-	RFQ	2181	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 25ppm				27MHz, 32MHz	-	-	-
DSC6021CI2A-003WT	-	RFQ	3172	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				4MHz, 24MHz	-	-	-
DSC6011CI2A-000.0000	-	RFQ	6283	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)			MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC400-0111Q0116KI1T	-	RFQ	5924	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm				12.288MHz	14.7456MHz	11.2896MHz	-
DSA1001DI1-033.0000TVAO	-	RFQ	4281	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001		33MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1001DI1-033.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		10.5MA			MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1033BI1-020.0000T	-	RFQ	6009	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			20MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)			MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC6111JI2B-074.2500	-	RFQ	3786	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)			74.25 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6111JI2B-074.2500	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		3MA (유형)			MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1001BE1-001.8432T	-	RFQ	2290	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001		1.8432 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6003JI2A-020.0000T	-	RFQ	5203	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			20MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		1.3MA (유형)			MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1033AI1-001.0000	-	RFQ	5983	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1033		1MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)		3MA (유형)			MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
VCUHLB-32M0000000	-	RFQ	9382	마이크로 마이크로 기술	v 형	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.295 "L x 0.200"W (7.50mm x 5.08mm)	0.084 "(2.13mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO			32 MHz	CMOS	5V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCUHLB-32M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화		55MA			결정	± 20ppm	± 100ppm	-	-
DSC1030BI1-100.0000	-	RFQ	1692	마이크로 마이크로 기술	DSC1030, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			100MHz	CMOS	3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)		5MA (유형)			MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1001AI5-024.5760	-	RFQ	9285	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001		24.576 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC103333DI1-080.0000T	-	RFQ	9282	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			80MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		5MA (유형)			MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC6001CE1A-027.1780	-	RFQ	6787	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			27.178 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		1.3MA (유형)			MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1123BI5-010.0000T	-	RFQ	2171	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123		10MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA			MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC2311KI2-R0060	-	RFQ	8252	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	22.1184MHz	9.998729MHz	-	-
DSC1001AE1-019.6608	-	RFQ	5024	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001		19.6608 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화		6.3ma			MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1123AI5-133.3300T	-	RFQ	5583	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1123		133.33 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA			MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
VX-709-1001-122M880000	-	RFQ	3201	마이크로 마이크로 기술	VX-709	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-	-	-	-	-	VCXO			122.88 MHz	-	-	-			영향을받지 영향을받지	150-VX-709-1001-122M880000tr	귀 99	8542.39.0001	1	-		-			결정	-	-	-	-
DSC6101HA3B-PROGT	1.8600	RFQ	975	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)			MEMS	-		-						3.5 kHz ~ 100MHz	± 20ppm
DSC2010FI2-A0018T	-	RFQ	8109	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	25MHz, 33.333MHz, 50MHz, 66.666MHz	-	-	-
HT-MM900AC-2F-HE-33M3333333	-	RFQ	9850	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO			33.3333333 MHz	CMOS	2.5V	-			영향을받지 영향을받지	150-HT-MM900AC-2F-HE-33333333TR	귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화		5MA			결정	± 25ppm	-	-	-
DSC1003DL1-025.0000T	-	RFQ	3005	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1003		25MHz	CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6MA			MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001AI2-024.0000T	-	RFQ	5068	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001		24 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 25ppm	-	-	15µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²