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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	내용물	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
DSC1101CI1-008.0000	-	RFQ	1797	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101				8 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		35MA				MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
dsc6112ci1a-000.0000	0.8500	RFQ	764	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)				MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC8121DI2	3.3600	RFQ	420	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8121						CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4722	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA				MEMS	-		-						10MHz ~ 170MHz	± 25ppm
DSC1103CI2-300.0000	-	RFQ	4311	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103				300MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		32MA				MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC6121CE2A-00CU	-	RFQ	2248	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	-		3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm				32.768MHz	-	-	-
DSA1001DI1-033.0000TVAO	-	RFQ	4281	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001				33MHz		CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSA1001DI1-033.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		10.5MA				MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1103AI1-160.0000T	-	RFQ	8593	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103				160MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		32MA				MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
VT-704-EAE-5060-16M3840000	-	RFQ	4320	마이크로 마이크로 기술	VT-704	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.083 "(2.10mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO					16.384 MHz		CMOS	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VT-704-EAE-5060-16M3840000TR	귀 99	8542.39.0001	100	-		6MA				결정	± 5ppm	-	-	-
DSC400-0111Q0116KI1T	-	RFQ	5924	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm				12.288MHz	14.7456MHz	11.2896MHz	-
DSC1033BI1-020.0000T	-	RFQ	6009	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					20MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)				MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC-Prog-Socket-C	25.0000	RFQ	4	마이크로 마이크로 기술	DSC	상자	sic에서 중단되었습니다									-	-	-		-			-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4757	귀 99	8536.69.4040	1						-												-
DSC-TimeFlash	-	RFQ	2559	마이크로 마이크로 기술	Timeflash	대부분	쓸모없는							프로그래밍 프로그래밍				mems 발진기					다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8471.80.9000	1					케이블, 소프트웨어, 프로그래머, 트위터, usb 플래시 드라이브
DSC1001DI2-036.0000B	-	RFQ	3094	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				36 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	대기 (다운 전원)		7.2MA				MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6011CI2A-000.0000	-	RFQ	6283	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)				MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC2111FI2-E0019	-	RFQ	8038	마이크로 마이크로 기술	DSC2111	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2111						LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA	74.25MHz	148.5MHz
DSC400-1133Q0113KI1	-	RFQ	2050	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm				100MHz, 156.25MHz	125MHz	125MHz	25MHz
DSC8001DL5T	-	RFQ	7840	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001						CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	12.2MA				MEMS	± 10ppm		-	15 µA					1MHz ~ 150MHz	-
DSC2210FI2-A0022T	-	RFQ	7181	마이크로 마이크로 기술	DSC2210	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2210						LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-		35MA	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA	16MHz	-	-	-
DSC6021HI2A-009TT	-	RFQ	3022	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm				25MHz, 50MHz	-	-	-
DSC1103CL5-148.5000T	-	RFQ	9856	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)					148.5 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1103CL5-148.5000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		32MA				MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC6102JA1B-010K000	-	RFQ	6401	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6102				10 kHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6102JA1B-010K000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		3MA (유형)				MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA
DSC6021CI2A-003WT	-	RFQ	3172	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm				4MHz, 24MHz	-	-	-
DSC6121CI2A -00EU	-	RFQ	2181	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm				27MHz, 32MHz	-	-	-
VC-711-ECE-EAAN-156M250000TR	-	RFQ	1080	마이크로 마이크로 기술	VC-711	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)					156.25 MHz		lvpecl	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-711-ECE-EAAN-156M250000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		69ma				결정	± 20ppm	-	-	-
DSC1123DI2-156.2500T	-	RFQ	1132	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123				156.25 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA				MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC6121CI2A-00EV	-	RFQ	8938	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm				25MHz, 32MHz	-	-	-
DSC612RI3A-010GT	-	RFQ	4686	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612						LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6MA	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 20ppm			1.5 µA	16MHz	32.768kHz	-	-
DSC2011FE2-E0004	-	RFQ	4799	마이크로 마이크로 기술	DSC2011	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2011						CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA	24MHz, 25MHz, 48MHz, 50MHz, 74.25MHz, 75MHz, 125MHz, 148.5MHz	24MHz, 25MHz, 48MHz, 50MHz, 74.25MHz, 75MHz, 125MHz, 148.5MHz	-	-
MX575ABC125M000	-	RFQ	9239	마이크로 마이크로 기술	MX57	쟁반	활동적인	-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX575ABC125M000				125MHz		CMOS	2.375V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	43	활성화/비활성화		-				결정	-	-	-	-
VC-826-EDW-FABN-125M000000	-	RFQ	2048	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²