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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	위치 위치	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
DSC400-1111Q0084KI1T	-	RFQ	2559	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm				33.33333MHz	50MHz	125MHz	100MHz
VCC4-H3D-8M00000000	-	RFQ	6655	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6003JA3B-Prog	1.4000	RFQ	700	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6003						CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)				MEMS	-		-							± 20ppm
dsc6121ci2a-00ewt	-	RFQ	4188	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm				25MHz, 32MHz	-	-	-
DSC1123DI2-148.5000B	-	RFQ	9044	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123				148.5 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화		22MA				MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6122HE3B-01QKT	-	RFQ	1766	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6122HE3B-01QKTTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 20ppm				20MHz, 48MHz	-	-	-
DSC8001BL2	2.5700	RFQ	720	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC8001						CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	12.2MA				MEMS	± 25ppm		-	15 µA					1MHz ~ 150MHz	-
DSC2011FM2-E0002	-	RFQ	3304	마이크로 마이크로 기술	DSC2011	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2011						CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA	100MHz, 106.25MHz, 125MHz, 156.25MHz	25MHz, 50MHz, 100MHz, 125MHz, 156.25MHz	-	-
DSC1103AE2-085.0000	-	RFQ	1273	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)					85MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1103AE2-085.0000	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)		32MA				MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC6161ME2B-01Q6	-	RFQ	7880	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-VFLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6161ME2B-01Q6	귀 99	8542.39.0001	100	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm				32MHz, 40MHz	-	-	-
DSC1121AE1-016.4000T	-	RFQ	2169	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1121				16.4 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA				MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC6122CE1A-0057	-	RFQ	4697	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 50ppm				1MHz, 5MHz	-	-	-
MX775EBB644M531	-	RFQ	1202	마이크로 마이크로 기술	MX77	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.048 "(1.22mm)	표면 표면	6-llga	xo (표준)					644.531 MHz		LVD	2.5V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	150-MX775EBB644M531	귀 99	8541.60.0080	43	활성화/비활성화		180ma				결정	± 50ppm	-	-	-
dsc6001mi1a 프로그램 가능	-	RFQ	5181	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)				MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC6023JE1B-01D8	-	RFQ	5321	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)	DSC6023						CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6023JE1B-01D8	귀 99	8542.39.0001	140	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 50ppm				35.8907mhz, 44.8634MHz	-	-	-
DSC400-3443Q0022KE1	-	RFQ	4697	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm				125MHz	100MHz	100MHz	125MHz
DSC-Prog-8002-5032	-	RFQ	1929	마이크로 마이크로 기술	DCS8002	상자	sic에서 중단되었습니다									-	소켓 소켓	발진기		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1180	1					4	4.90mm x 1.80mm x 1.00mm												-
VC-820-JAE-KAAN-25M0000000	-	RFQ	8184	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC2033FI2-G0001T	-	RFQ	3297	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2033						LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA	100MHz, 125MHz, 1148.5MHz, 150MHz, 156.25MHz, 400MHz	25MHz, 50MHz, 74.25MHz, 75MHz, 125MHz, 200MHz	-	-
DSC2010FI1-A0003T	-	RFQ	3533	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010						LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm			23 MA	25MHz, 75MHz, 125MHz, 150MHz	-	-	-
DSC6101HE1A-000.0000T	0.9900	RFQ	750	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)				MEMS	-		-						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC400-4334Q0023KI1T	-	RFQ	5062	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm				100MHz	156.25MHz	-	-
DSC1001CI5-049.1520	-	RFQ	6222	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)					49.152 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CI5-049.1520	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		10.5MA				MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
MX575ABJ100M000	-	RFQ	3728	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX575ABJ100M000				100MHz		HCSL	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	43	활성화/비활성화		95MA				결정	± 50ppm	-	-	-
DSC-Prog-8123-3225	-	RFQ	7456	마이크로 마이크로 기술	DSC8123	상자	sic에서 중단되었습니다									-	소켓 소켓	발진기		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4751	귀 99	8541.60.0080	1					4	3.20mm x 1.50mm x 0.90mm												-
DSC6021MI1A-0050T	0.9900	RFQ	999	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-VFLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 50ppm				24MHz, 27MHz	-	-	-
VT-841-EFH-5070-40M0000000	-	RFQ	7542	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC8124AI2	4.8000	RFQ	178	마이크로 마이크로 기술	DSC8124	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC8124						HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	42MA				MEMS	± 25ppm		-	22 MA					10MHz ~ 460 MHz	-
DSC6023HI2A-00A8T	1.1700	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm				25MHz, 27MHz	-	-	-
DSC2033FI2-F0044	-	RFQ	5880	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	mems (실리콘)	DSC2033						LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2033FI2-F0044	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.037 "(0.95mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA	100MHz	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²