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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	위치 위치	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
DSC2311KI2-R0049	-	RFQ	1479	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311						CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA	33.333333MHz	33.333333MHz	-	-
DSC1001CC1-012.0000T	-	RFQ	5661	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				12MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma				MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSA1001DL3-006.0053TVAO	-	RFQ	1505	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)					6.0053 MHz		CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1001DL3-006.0053TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.5MA				MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC1001DE5-018.4320	1.8200	RFQ	3624	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				18.432 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		6.3ma				MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001CI1-076.0686T	-	RFQ	8030	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				76.0686 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		8.7ma				MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1201CA3-Progt	1.5360	RFQ	3678	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1201						CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1201CA3-PROGTTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	27MA (타이핑)				MEMS	-		-						2.5 MHz ~ 170 MHz	± 20ppm
DSC1201DL3-125M0000	-	RFQ	7402	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)					125MHz		CMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1201DL3-125M0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		27MA (타이핑)				MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
DSC1121BI1-012.6500	-	RFQ	1828	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121				12.65 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		35MA				MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1033BI2-007.3728T	-	RFQ	1499	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					7.3728 MHz		CMOS	3.3v	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)				MEMS	-	± 25ppm	-	1µA
DSC6141JA3B-127K000T	-	RFQ	5872	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)					127 kHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6141JA3B-127K000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)				MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC110111DL5-Prog	1.7280	RFQ	5085	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101						CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101111DL5 프로그래치	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA				MEMS	± 10ppm		-						3.3 MHz ~ 170 MHz	-
DSC612RI2A-01KKT	-	RFQ	1672	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)							LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC612RI2A-01KKTTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6MA	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm			3 MA	24MHz	25MHz	-	-
VCC6-VCF-250M000000	-	RFQ	7476	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
vcc1-b3d-51m8400000tr	-	RFQ	5805	마이크로 마이크로 기술	VCC1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.075 "(1.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					51.84 MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCC1-B3D-51M8400000TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	활성화/비활성화		30ma				결정	± 50ppm	-	-	30µA
DSC400-1444Q0060KE1	-	RFQ	5240	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						HCSL, LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm				100MHz	100MHz	100MHz	25MHz
DSC1001BI2-006.0000T	-	RFQ	7950	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				6MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma				MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6101ML3B-032.0000	-	RFQ	4065	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101				32 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6101ML3B-032.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화		3MA (유형)				MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC8101CL5	4.6900	RFQ	4734	마이크로 마이크로 기술	DSC8101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8101						CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4691	귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA				MEMS	-		-						10MHz ~ 170MHz	± 10ppm
DSC400-1111Q0111KE1	-	RFQ	6086	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm				25MHz	20MHz	24MHz	-
DSC613RI3A-010	-	RFQ	4868	마이크로 마이크로 기술	DSC613	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC613						LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6.5MA	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 20ppm			1.5 µA	50MHz	25MHz	27MHz	-
VC-820-JAW-AAN-25M0000000	-	RFQ	6807	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6102HE1A-000.0000T	0.9900	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)				MEMS	-		-						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC-Prog-8121-3225	-	RFQ	9997	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	상자	sic에서 중단되었습니다									-	소켓 소켓	발진기		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4745	귀 99	8541.60.0080	1					4	3.20mm x 1.50mm x 0.90mm												-
DSC1203DI3-156M0000	-	RFQ	1867	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1203				156 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1203DI3-156M0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		32MA (유형)				MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
DSC1101CL3-Prog	1.0440	RFQ	4106	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101						CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101CL3 프로그램	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA				MEMS	± 20ppm		-						3.3 MHz ~ 170 MHz	-
VT-860-GFE-5070-40M0000000	-	RFQ	5331	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6003HA3B-Prog	1.3625	RFQ	4623	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6003						CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)				MEMS	-		-						2 kHz ~ 80 MHz	± 20ppm
DSC1033AE2-054.0000T	-	RFQ	5454	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1033				54 MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		4MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC400-4334Q0023KE2T	-	RFQ	7069	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm				100MHz	156.25MHz	-	-
VC-708-HDW-KNXN-200M000000	-	RFQ	4004	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²