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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
HT-MM900AE-7F-ES-40M0000000	-	RFQ	2332	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC6121JL2B-0170	-	RFQ	2877	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)	DSC6121						CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6121JL2B-0170	귀 99	8542.39.0001	140	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 25ppm				12MHz, 50MHz	-	-	-
DSC6001JI2B-027.0000T	-	RFQ	2002	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001				27 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		1.3MA (유형)			MEMS	-	± 25ppm	-	-
DSC6001CI2A-058.9824T	-	RFQ	5307	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)					58.9824 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)		150-DSC6001CI2A-058.9824TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		1.3MA (유형)			MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC2030FI2-C0002T	-	RFQ	1582	마이크로 마이크로 기술	DSC2030	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2030						LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	100MHz	-
DSC2033FI2-F0032	-	RFQ	3913	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2033						LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	10MHz, 30MHz, 50MHz, 80MHz, 100MHz, 160MHz	30MHz, 60MHz, 80MHz, 100MHz, 120MHz, 160MHz, 180MHz, 200MHz	-	-
DSC6023JI1B-01SQ	-	RFQ	9618	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)							CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6023JI1B-01SQ	귀 99	8542.39.0001	140	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 50ppm				22.5792MHz, 24.576MHz	-	-	-
DSC400-1133Q0113KE2T	-	RFQ	1904	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				100MHz, 156.25MHz	125MHz	125MHz	25MHz
dsc8103ci5 프로그래밍 가능	31.3700	RFQ	4164	마이크로 마이크로 기술	DSC8103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)							LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4705 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	32MA			MEMS	-		-	95 µA					10MHz ~ 460 MHz	± 10ppm
DSC2033FI2-F0037	-	RFQ	6546	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2033						LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 312.5MHz, 312.898MHz, 439.597MHz	100MHz, 125MHz, 156.25MHz, 312.5MHz, 312.898MHz, 439.597MHz	-	-
DSC1124BE5-156.2500	-	RFQ	2414	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1124				156.25 MHz		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		42MA			MEMS	-	± 10ppm	-	22MA
DSC1101AE1-050.0000T	-	RFQ	6557	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1101				50MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		35MA			MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC2033FI2-F0047T	-	RFQ	8518	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)							LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2033FI2-F0047TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	-	-	-	-
VC-801-EAE-FAAN-666670000	-	RFQ	1319	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1121CI2-012.0000T	-	RFQ	9287	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121				12MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA			MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSA613RI2A-01R0VAO	-	RFQ	8781	마이크로 마이크로 기술	DSA613	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)							LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA613RI2A-01R0VAO	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		6.5MA			MEMS	± 25ppm				12MHz	50MHz	32.768kHz	-
DSA6101HA3B-050.00000000TVAO	-	RFQ	4913	마이크로 마이크로 기술	DSA61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)					50MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSA6101HA3B-050.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)			MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC6021MI2A-005p	-	RFQ	9512	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-VFLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	100	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 25ppm				8MHz, 25MHz	-	-	-
dsc6112ci1a 프로그래밍 가능	-	RFQ	8495	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)			MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC1001CI5-024.3050T	-	RFQ	7641	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				24.305 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
MXT573ABC200M000-TR	-	RFQ	1276	마이크로 마이크로 기술	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	TCXO	MXT573ABC200M000				200MHz		LVCMOS	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		100ma			결정	± 5ppm	-	-	-
dsc6001ji1a-000.0000	-	RFQ	8741	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)			MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC2010FM2-A0001B	-	RFQ	3575	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)							LVCMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2010FM2-A0001BTR	귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화		35MA	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	24MHz, 27MHz, 74.25MHz, 148.5MHz	-	-	-
DSC-Prog-Socket-D	-	RFQ	3779	마이크로 마이크로 기술	DSC	상자	sic에서 중단되었습니다									-	-	-		-			-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4758	귀 99	8536.69.4040	1					-												-
DSC6021HI3B-016RT	-	RFQ	2532	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6021						CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC6021HI3B-016RT	귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)			MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC6121CI2A -00EU	-	RFQ	2181	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 25ppm				27MHz, 32MHz	-	-	-
DSC1033BI1-012.0000T	-	RFQ	9461	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					12MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)			MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC2011FE2-E0004	-	RFQ	4799	마이크로 마이크로 기술	DSC2011	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2011						CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	24MHz, 25MHz, 48MHz, 50MHz, 74.25MHz, 75MHz, 125MHz, 148.5MHz	24MHz, 25MHz, 48MHz, 50MHz, 74.25MHz, 75MHz, 125MHz, 148.5MHz	-	-
DSC1122CI5-050.0000T	3.7700	RFQ	4893	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1122				50MHz		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		58ma			MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC6121CI2A-00AH	-	RFQ	4763	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 25ppm				50MHz, 100MHz	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²