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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC6023JE1B-01D8	-	RFQ	5321	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)	DSC6023		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6023JE1B-01D8	귀 99	8542.39.0001	140	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 50ppm				35.8907mhz, 44.8634MHz	-	-	-
DSC400-3443Q0022KE1	-	RFQ	4697	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				125MHz	100MHz	100MHz	125MHz
VC-820-JAE-KAAN-25M0000000	-	RFQ	8184	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC2033FI2-G0001T	-	RFQ	3297	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2033		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA	100MHz, 125MHz, 1148.5MHz, 150MHz, 156.25MHz, 400MHz	25MHz, 50MHz, 74.25MHz, 75MHz, 125MHz, 200MHz	-	-
DSC2010FI1-A0003T	-	RFQ	3533	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	25MHz, 75MHz, 125MHz, 150MHz	-	-	-
DSC6101HE1A-000.0000T	0.9900	RFQ	750	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)		MEMS	-		-						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC400-4334Q0023KI1T	-	RFQ	5062	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				100MHz	156.25MHz	-	-
DSC1001CI5-049.1520	-	RFQ	6222	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		49.152 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CI5-049.1520	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		10.5MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VC-820-EAE-SAAN-4M00000000	-	RFQ	2330	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001AI1-029.4912	-	RFQ	2512	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)		29.4912 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1001AI1-029.4912	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)		8ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1033CI2-028.3220T	-	RFQ	8593	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	28.322 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		10MA		MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
dsc6001ji2a 프로그래밍 가능	-	RFQ	7894	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	1.3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC1001DI5-025.6000T	-	RFQ	6893	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	25.6 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC1001CL5-060.0000	2.0400	RFQ	5145	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	60MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		7.2MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC612PI3A-010TB	-	RFQ	1004	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화		6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			1.5 µA	19.2MHz	26MHz	-	-
DSC6331JI2AA-008.0000T	-	RFQ	7691	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		8.004 MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드				150-DSC6331JI2AA-008.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSC400-0444Q0009KE2	-	RFQ	1901	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				100MHz	100MHz	100MHz	-
DSC6183CI2A-006K485T	-	RFQ	5663	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		6.485 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	-		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC1101CI1-008.0000	-	RFQ	1797	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	8 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
dsc6112ci1a-000.0000	0.8500	RFQ	764	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC8121DI2	3.3600	RFQ	420	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8121		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4722	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA		MEMS	-		-						10MHz ~ 170MHz	± 25ppm
DSC1103CI2-300.0000	-	RFQ	4311	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	300MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC6121CE2A-00CU	-	RFQ	2248	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	-		3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				32.768MHz	-	-	-
MX575ABJ100M000	-	RFQ	3728	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX575ABJ100M000	100MHz	HCSL	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	43	활성화/비활성화		95MA		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6021MI1A-0050T	0.9900	RFQ	999	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-VFLGA	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 50ppm				24MHz, 27MHz	-	-	-
VT-841-EFH-5070-40M0000000	-	RFQ	7542	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC8124AI2	4.8000	RFQ	178	마이크로 마이크로 기술	DSC8124	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC8124		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	42MA		MEMS	± 25ppm		-	22 MA					10MHz ~ 460 MHz	-
DSC6023HI2A-00A8T	1.1700	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm				25MHz, 27MHz	-	-	-
DSC400-3331Q0098KE2T	-	RFQ	4705	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				12MHz	50MHz	50MHz	50MHz
DSC1001DE2-008.0000	-	RFQ	3841	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	8 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²