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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC612RI3A-012VT	-	RFQ	9950	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612			LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			1.5 µA		14.316MHz	32.768kHz	-	-
DSC6021HI2A-009ST	-	RFQ	6125	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm					20MHz, 25MHz	-	-	-
DSC6023JI2A-00A5	-	RFQ	4728	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm					25MHz, 50MHz	-	-	-
dsc6001hi1a 프로그램 가능	-	RFQ	3295	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)		1.3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC1522AI2A-12M80000T	-	RFQ	2147	마이크로 마이크로 기술	DSC152X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)		12.8 MHz		LVCMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC1522AI2A-12M80000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			7.5MA		MEMS	± 25ppm	-	-	-
dsc6112ji1a-000.0000t	-	RFQ	5799	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC6122CI2A-00AT	0.8800	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	-			3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					25MHz, 50MHz	-	-	-
DSC400-2222Q0105KI2	-	RFQ	5574	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					200MHz	156.25MHz	125MHz	100MHz
DSC2042FI2-M0005T	-	RFQ	2450	마이크로 마이크로 기술	DSC2042	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2042			HCSL, LVPECL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			76MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		156.25MHz	25MHz	-	-
DSC1001DL5-031.2500	2.0000	RFQ	2767	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	31.25 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			7.2MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001BI2-028.6363	-	RFQ	9420	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	28.6363 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)			7.1ma		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC8123AI2 프로그램 가능	24.2700	RFQ	2918	마이크로 마이크로 기술	DSC8123	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)				LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4728 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)		32MA		MEMS	-		-	22 MA						10MHz ~ 460 MHz	± 25ppm
DSC8001AI2	2.3800	RFQ	498	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4655	귀 99	8542.39.0001	50	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		12.2MA		MEMS	-		-	15 µA						1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
DSC2044FE2-F0018T	-	RFQ	5823	마이크로 마이크로 기술	DSC2044	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2044			HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			60ma (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		100MHz, 125MHz	100MHz, 125MHz	-	-
DSC8101CI5T	-	RFQ	5853	마이크로 마이크로 기술	DSC8101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8101			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		35MA		MEMS	± 10ppm		-	95 µA						10MHz ~ 100MHz	-
DSC400-1111Q0001KI1	-	RFQ	5969	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					100MHz	100MHz	100MHz	100MHz
DSC2144FE2-E0017T	-	RFQ	5557	마이크로 마이크로 기술	DSC2144	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2144			HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			60ma (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		100MHz, 125MHz	100MHz, 125MHz
DSC2011FI5-E0008	-	RFQ	8740	마이크로 마이크로 기술	DSC2011	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2011			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 10ppm			23 MA		20MHz, 40MHz	80MHz, 100MHz, 120MHz, 128MHz, 200MHz	-	-
DSA2311KL1-R0015VAO	-	RFQ	9805	마이크로 마이크로 기술	DSA2311	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSA2311			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA2311KL1-R0015VAO	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			23MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					24MHz	25MHz	-	-
dsc6101ce1a-000.0000t	-	RFQ	3665	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)		MEMS	-		-							1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC2010FE2-B0007T	-	RFQ	4703	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			35MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		22.768MHz, 24.576MHz	-	-	-
VCC1-B3D-3M68600000	-	RFQ	2331	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC400-1111Q0084KE2T	-	RFQ	3898	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					33.33333MHz	50MHz	125MHz	100MHz
DSC400-3133Q0100KI2	-	RFQ	7414	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					148.35MHz, 148.5MHz	156.25MHz	25MHz	197.8MHz, 198MHz
DSC1101BL3-Prog	1.3900	RFQ	235	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101BL3 프로그램	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		35MA		MEMS	± 20ppm		-							3.3 MHz ~ 170 MHz	-
dsc6102ci1a-000.0000t	-	RFQ	3472	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)		MEMS	-		-							1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
VXN1-9003-24M0000000	-	RFQ	1582	마이크로 마이크로 기술	vxn1	조각	활동적인	100 옴	-	-	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.018 "(0.45mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		24 MHz	근본적인			-			영향을받지 영향을받지	150-VXN1-9003-24M0000000	귀 99	8541.60.0060	100			-				-				± 20ppm
DSC1222CI2-155M5200	2.5080	RFQ	1974	마이크로 마이크로 기술	DSC12X2	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1222	155.52 MHz		lvpecl	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1222CI2-155M5200	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			50MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
VCC6-119-25M0000000	-	RFQ	7429	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSA6101JI2B-018.4320TVAO	-	RFQ	5492	마이크로 마이크로 기술	DSA61XX	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSA6101	18.432 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6101JI2B-018.4320TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²