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| DSC612RA3A-010SB | - | | 2083 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC612 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | DSC612 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 25MHz | 26MHz | - | - | ||||||||||||
| DSA1101DA3-122.8800VAO | - | | 3574 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSA1101 | 122.88 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1101DA3-122.8800VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 95µA | |||||||||
| DSC6021HE3B-0157 | - | | 4300 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6021 | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 1.3MA (유형) | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 40MHz, 80MHz | - | - | - | ||||||||||||
| DSC6121JL2B-015G | - | | 7792 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6121 | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | - | 3MA (유형) | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 11.2896MHz, 12.288MHz | - | - | - | ||||||||||||
| DSA6102JL1B-008.0000VAO | - | | 2950 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6102JL1B-008.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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