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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC1101AE1-125.0000	-	RFQ	5170	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	125MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)			35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
VCC1-B3A-33M0170000	-	RFQ	2762	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6111JI1B-028.1250	-	RFQ	3912	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6111	28.125 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6111JI1B-028.1250	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC1123NI2-100.0000T	-	RFQ	4991	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	100MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA		MEMS	-	± 25ppm	-	22MA
DSC6301JI1FB-075.0000	-	RFQ	2455	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		75MHz		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSC6301JI1FB-075.0000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	± 2.50%, 50 스프레드	-
DSC400-4334Q0023KI1	-	RFQ	8633	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					100MHz	156.25MHz	-	-
DSC6122CE2A-0069T	-	RFQ	5785	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-			3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm					3.58MHz, 7.67MHz	-	-	-
DSC6001CI2A-064.0000T	-	RFQ	7801	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		64 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC400-4444Q0024KE1T	-	RFQ	7652	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					-	-
DSC2311KI2-R0009T	-	RFQ	2113	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		25MHz	25MHz	-	-
DSC2130FE1-C0008	-	RFQ	7153	마이크로 마이크로 기술	DSC2130	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2130			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			32MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA		156.25MHz	-	-	-
DSC6101HI2A-027.0000	-	RFQ	9042	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001DI2-005.0196	1.0200	RFQ	1744	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	5.0196 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC400-33333Q0099KE1T	-	RFQ	4708	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					148.35MHz, 148.5MHz	156.25MHz	208.333333MHz	197.8MHz, 198MHz
DSC6301HI2BB-012.0000	-	RFQ	5639	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	가방	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6301	12MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6301HI2BB-012.0000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.50%, 50 스프레드	-
DSC1103CI5-233.3333T	-	RFQ	1521	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	233.3333 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			32MA		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC612PL3A-012YT	-	RFQ	5159	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612			LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-			6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			1.5 µA		25MHz	32.768kHz	-	-
DSC1121CI2-156.0063T	-	RFQ	2557	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		156.0063 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1121CI2-156.0063TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC400-0202Q0108KE1	-	RFQ	1459	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					167.1875MHz	173.28125MHz	-	-
DSC6003CI2A-000.0000T	-	RFQ	8163	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		1.3MA (유형)		MEMS	-		-							1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC1101CL5-Progt	2.4700	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		35MA		MEMS	-		-							2.3 MHz ~ 170 MHz	± 10ppm
DSC1001DI2-033.3333T	1.2200	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33.3333 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001DI1-150.0000T	-	RFQ	5810	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		150MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1001DI1-150.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			16.6MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1121AE5-022.5792T	-	RFQ	4038	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	22.5792 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			22MA		MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSA6011JL2B-024.0000VAO	-	RFQ	2237	마이크로 마이크로 기술	DSA60XX	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSA6011	24 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6011JL2B-024.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1101AI3-008.0000	-	RFQ	7608	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)		8 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1101AI3-008.0000	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)			35MA		MEMS	± 20ppm	-	-	95µA
DSC8103BI2T	-	RFQ	2266	마이크로 마이크로 기술	DSC8103	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC8103			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		32MA		MEMS	± 25ppm		-	95 µA						10MHz ~ 460 MHz	-
VXB2-9004-25M0000000TR	-	RFQ	7228	마이크로 마이크로 기술	VXB2	테이프 & tr (TR)	활동적인	25 옴	-	-	0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm)	0.173 "(4.40mm)	표면 표면	HC-49/US	MHZ 크리스탈		25MHz	근본적인			다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VXB2-9004-25M0000000TR	귀 99	8541.60.0080	1,000			-				-				± 20ppm
DSC1122AE2-150.0000T	-	RFQ	4036	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1122	150MHz		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			58ma		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC400-3133Q0080KI1T	-	RFQ	8877	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					148.35MHz	27MHz	25MHz	148.35MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²