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| DSC6021CE2A-0063 | - | | 1127 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 4-vdfn | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | - | 1.3MA (유형) | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 10MHz, 50MHz | - | - | - | |||||||||||||
| DSC6013MI2A-000.0000T | 1.5700 | | 900 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | - | 12 µA | 1MHz ~ 80MHz | ± 25ppm | ||||||||||
 | DSC1033CI2-015.3600T | - | | 3146 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 15.36 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1µA | |||||||||||
| VC-708-EDE-FNXN-156M307700 | - | | 8468 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-708 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 156.3077 MHz | LVD | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-708-EDE-FNXN-156M307700 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 48MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||||
 | DSC6001JE1A-000.0000 | - | | 9616 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 튜브 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | - | 12 µA | 1MHz ~ 80MHz | ± 50ppm |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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