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 | DSC1001DI2-031.2500 | 1.2200 | | 6831 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 31.25 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||||||||||
| DSC6111CE2A-000.0000 | 0.8900 | | 635 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 튜브 | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 3MA (유형) | MEMS | - | - | 12 µA | 1MHz ~ 100MHz | ± 25ppm | ||||||||||
| DSC1222CI2-155M5200T | - | | 8044 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1222 | 155.52 MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1222CI2-155M5200TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 50MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | |||||||||
| DSC400-0202Q0107KE2T | - | | 7655 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 161.1328125MHz | 164.375MHz | - | - | ||||||||||||||
| DSC6101JI2A-000.0000 | - | | 7064 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 3MA (유형) | MEMS | - | - | 1MHz ~ 100MHz | ± 25ppm |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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