SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1200BL3-PROG Microchip Technology DSC1200BL3 프로그램 2.0280
RFQ
 ECAD 9318 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1200 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1200 - 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1200BL3 프로그램 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) MEMS - - 2.5 MHz ~ 450 MHz ± 20ppm
DSC1211DI2-C0025 Microchip Technology DSC1211DI2-C0025 -
RFQ
 ECAD 8301 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1211DI2-C0025 귀 99 8542.39.0001 140 - 27MA (타이핑) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm - - - -
DSC6121ML3B-01QH Microchip Technology DSC6121ML3B-01QH -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121ML3B-01QH 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 1MHz, 64MHz - - -
VCC1-B3R-50M0000000_SNPB Microchip Technology VCC1-B3R-50M0000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 8518 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
VXM9-9016-48M0000000TR Microchip Technology VXM9-9016-48M0000000TR -
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM9 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 - - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 48MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM9-9016-48M0000000TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 - - ± 20ppm
DSC8124BI2T Microchip Technology DSC8124BI2T -
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC8124 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 42MA MEMS ± 25ppm - 10MHz ~ 460 MHz -
DSC1003BE2-012.0000T Microchip Technology DSC1003BE2-012.0000T -
RFQ
 ECAD 5649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 12MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6301JI2FA-025.0000 Microchip Technology DSC6301JI2FA-025.0000 -
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6011CI2A-027.0000 Microchip Technology DSC6011CI2A-027.0000 -
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC2030FI2-C0009 Microchip Technology DSC2030FI2-C0009 -
RFQ
 ECAD 9643 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2030 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2030 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 410MHz, 417.5MHz, 419.5MHz, 420MHz -
DSC6121JE1B-0198 Microchip Technology DSC6121JE1B-0198 -
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) DSC6121 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121JE1B-0198 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm 35.8907MHz, 59.8178MHz - - -
DSC400-1133Q0079KE2T Microchip Technology DSC400-1133Q0079KE2T -
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 100MHz 100MHz 66.666MHz 25MHz
DSC1001CE1-038.4000T Microchip Technology DSC1001CE1-038.4000T -
RFQ
 ECAD 1168 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 38.4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC400-1133Q0079KE1T Microchip Technology DSC400-1133Q0079KE1T -
RFQ
 ECAD 6151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 100MHz 100MHz 66.666MHz 25MHz
DSC8123BI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8123BI2 프로그램 가능 25.2300
RFQ
 ECAD 8742 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4729 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 32MA MEMS - - 22 MA 10MHz ~ 460 MHz ± 25ppm
DSC6112CE1A-000.0000 Microchip Technology dsc6112ce1a-000.0000 0.8400
RFQ
 ECAD 570 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC1001DI5-032.0000T Microchip Technology DSC1001DI5-032.0000T -
RFQ
 ECAD 2020 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC8121DI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc8121di2 프로그램 가능 11.2600
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4722 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 35MA MEMS - - 22 MA 10MHz ~ 170MHz ± 25ppm
DSC2311KM1-R0036 Microchip Technology DSC2311KM1-R0036 -
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 25MHz 20MHz - -
DSC400-0444Q0009KI2 Microchip Technology DSC400-0444Q0009KI2 -
RFQ
 ECAD 8475 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 100MHz 100MHz 100MHz -
DSC6021HE2B-01AB Microchip Technology DSC6021HE2B-01AB -
RFQ
 ECAD 4493 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) DSC6021 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021HE2B-01AB 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 80MHz - - -
DSC6111CE1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6111ce1a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 3303 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC2311KI2-R0055T Microchip Technology DSC2311KI2-R0055T -
RFQ
 ECAD 5655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 16MHz 27.034483MHz - -
VT-820-FFE-507A-26M0000000 Microchip Technology VT-820-FFE-507A-26M0000000 -
RFQ
 ECAD 7942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-820-EAE-KAAN-12M0000000 Microchip Technology VC-820-EAE-KAAN-12M0000000 -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC400-2222Q0104KI1 Microchip Technology DSC400-2222Q0104KI1 -
RFQ
 ECAD 9518 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 125MHz 100MHz 200MHz 156.25MHz
DSC2122FI1-F0006T Microchip Technology DSC2122FI1-F0006T -
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2122 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2122 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 89ma (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 8MHz 8MHz - -
DSC6111HI1B-033.3330 Microchip Technology DSC6111HI1B-033.3330 1.0440
RFQ
 ECAD 7997 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 33.333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111HI1B-033.3330 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSA2311KA3-R0041TVAO Microchip Technology DSA2311KA3-R0041TVAO -
RFQ
 ECAD 6355 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA3-R0041TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 20ppm 100MHz 100MHz - -
DSC1030BC1-080.0000T Microchip Technology DSC1030BC1-080.0000T -
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 80MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 5MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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