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| DSC6111HI1B-033.3330 | 1.0440 | | 7997 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 33.333 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 150-DSC6111HI1B-033.3330 | 100 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA (() | |||||||||||||||||||
| DSA2311KA3-R0041TVAO | - | | 6355 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA2311 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | xo (표준) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA2311KA3-R0041TVAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 23MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 20ppm | 100MHz | 100MHz | - | - | |||||||||||||||
| DSC1030BC1-080.0000T | - | | 9298 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1030, Puresilicon ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1030 | 80MHz | CMOS | 3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 5MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1µA | ||||||||||||||
 | DSC1001CL2-133.0000 | - | | 5155 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 133 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CL2-133.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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