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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 포함 액세서리 액세서리 /함께 함께 제품과 사용합니다 빈도 명세서 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 키 위치 위치 패키지가 패키지가 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성) 온도
VT-860-JFG-5070-32M0000000 Microchip Technology VT-860-JFG-5070-32M0000000 -
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001DI2-044.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-044.0000 -
RFQ
 ECAD 2598 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 44 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VXE4-1E2-12M0000000 Microchip Technology VXE4-1E2-12M0000000 -
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 ECAD 1961 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 1,000
DSC1001AI2-060.0000T Microchip Technology DSC1001AI2-060.0000T -
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 ECAD 2574 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 60MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6102HE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6102HE2A-000.0000T 1.0400
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 ECAD 100 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
VS-702-EDE-KXAA-240M000000 Microchip Technology VS-702-EDE-KXAA-240M000000 -
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 ECAD 9106 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VS-702 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "LX 0.197"W (7.50mm x 5.00mm) 0.084 "(2.13mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 240 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VS-702-EDE-KXAA-240M0000TR 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 90ma 결정 ± 20ppm ± 50ppm - -
HT-MM900AF-7K-EE-12M0000000 Microchip Technology HT-MM900AF-7K-EE-12M0000000 -
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 ECAD 3316 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC2044FI2-H0001T Microchip Technology DSC2044FI2-H0001 -
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 ECAD 1073 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2044 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2044 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 100MHz, 106.25MHz, 125MHz, 156.25MHz 25MHz, 50MHz, 100MHz, 125MHz, 156.25MHz - -
VPC1-B1C-33M0000000 Microchip Technology VPC1-B1C-33M0000000 -
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 ECAD 2534 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6161ME2B-01Q6T Microchip Technology DSC6161ME2B-01Q6T -
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 ECAD 8083 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6161ME2B-01Q6TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 32MHz, 40MHz - - -
CD-700-EAE-KCNN-51M8400000 Microchip Technology CD-700-EAE-KCNN-51M8400000 -
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 ECAD 7951 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
DSC400-0414Q0033KE1 Microchip Technology DSC400-0414Q0033KE1 -
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 ECAD 4648 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 100MHz 50MHz 125MHz -
CD-700-LAC-GAB-32M7680000 Microchip Technology CD-700-LAC-GAB-32M7680000 -
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 ECAD 4779 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
VC-801-EAE-KAAN-100M000000 Microchip Technology VC-801-EAE-KAAN-100M000000 -
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 ECAD 1329 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6111JI2A-000.0000 Microchip Technology DSC6111JI2A-000.0000 -
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 ECAD 7556 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC1001CE1-022.1184 Microchip Technology DSC1001CE1-022.1184 1.1400
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 ECAD 800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 22.1184 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC400-3133Q0080KI1 Microchip Technology DSC400-3133Q0080KI1 -
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 ECAD 3786 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 148.35MHz 27MHz 25MHz 148.35MHz
DSC1123NL5-125.0000T Microchip Technology DSC1123NL5-125.0000T -
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 ECAD 3954 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC400-1111Q0095KI2 Microchip Technology DSC400-1111Q0095KI2 -
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 ECAD 5036 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 24MHz 24MHz 25MHz
DSC612RI1A-012MT Microchip Technology DSC612RI1A-012MT -
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 ECAD 2132 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA mems (실리콘) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm 25MHz 50MHz - -
DSC2311KL2-R0040 Microchip Technology DSC2311KL2-R0040 -
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 ECAD 1979 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 40MHz 20MHz - -
DSC6001HI2B-025.0000 Microchip Technology DSC6001HI2B-025.0000 -
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 ECAD 7571 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI2B-025.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC400-1111Q0043KI2 Microchip Technology DSC400-1111Q0043KI2 -
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 ECAD 5855 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz, 50MHz 25MHz, 50MHz 25MHz, 50MHz 25MHz, 50MHz
VC-840-EAE-FAAN-54M0000000 Microchip Technology VC-840-EAE-FAAN-54M0000000 -
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 ECAD 5775 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC-PROG-8001-3225 Microchip Technology DSC-Prog-8001-3225 50.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 상자 sic에서 중단되었습니다 - 소켓 소켓 발진기 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4735 귀 99 8541.60.0080 1 4 3.20mm x 1.50mm x 0.90mm -
VC-801-DAC-KACN-30M0000000 Microchip Technology VC-801-DAC-KACN-30M0000000 -
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC-PROG-1612 Microchip Technology DSC-Prog-1612 63.2000
RFQ
 ECAD 8914 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Timeflash 대부분 활동적인 DSC 프로그램 빈 빈 (10) 소켓 소켓 발진기 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8473.30.1180 1 - -
DSC612RI1A-012M Microchip Technology DSC612RI1A-012M 1.1800
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 ECAD 6738 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA mems (실리콘) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 - 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm 25MHz 50MHz - -
DSC1001CI2-025.0000T Microchip Technology DSC1001CI2-025.0000T 0.9200
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 ECAD 5137 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.88mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA400-4444Q0167KI2TVAO Microchip Technology DSA400-4444Q0167KI2TVAO -
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 ECAD 9752 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0167KI2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz 125MHz 125MHz 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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