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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
DSC6121CE2A-00CUT	-	RFQ	7992	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				32.768MHz	-	-	-
DSC6001MI3B-032K768T	-	RFQ	1189	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6001				32.768 kHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6001MI3B-032K768TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		1.3MA (유형)			MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC6001HE2A-024.0000	-	RFQ	7190	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					24 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화		1.3MA (유형)			MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC400-3331Q0098KE1	-	RFQ	6043	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm				12MHz	50MHz	50MHz	50MHz
VXA4-1F4-8M00000000	-	RFQ	3646	마이크로 마이크로 기술	*	가방	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0050	1,000
VT-704-FFW-106A-14M7456000	-	RFQ	1431	마이크로 마이크로 기술	VT-704	테이프 & tr (TR)	활동적인	-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.083 "(2.10mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO					14.7456 MHz		사인파를 사인파를	3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VT-704-FFW-106A-14M7456000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-		3.5MA			결정	± 1ppm	± 5ppm	-	-
DSC6021CI2A-00A0T	0.8800	RFQ	2	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				19.44MHz, 25MHz	-	-	-
DSC1001CI1-024.0000	1.1700	RFQ	2390	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				24 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4605	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC400-3133Q0080KI2T	-	RFQ	4307	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				148.35MHz	27MHz	25MHz	148.35MHz
DSC400-4111Q0112KI2T	-	RFQ	8228	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						HCSL, LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				25MHz	25MHz	25MHz	100MHz, 156.25MHz
DSC1001AI5-012.0000T	-	RFQ	4558	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001				12MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC400-0331Q0026KI2	-	RFQ	4635	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				25MHz	125MHz	125MHz	-
DSC2044FI1-H0006T	-	RFQ	4273	마이크로 마이크로 기술	DSC2044	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2044						HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		60ma (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm			23 MA	156.25MHz	156.25MHz	-	-
DSC613NI3A-0105T	-	RFQ	4762	마이크로 마이크로 기술	DSC613	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC613						LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6.5MA	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 20ppm			1.5 µA	25MHz	12MHz	32.768kHz	-
DSC-Prog-1612	63.2000	RFQ	8914	마이크로 마이크로 기술	Timeflash	대부분	활동적인								DSC 프로그램	빈 빈 (10)	소켓 소켓	발진기		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1180	1					-												-
DSC612RI1A-012M	1.1800	RFQ	6738	마이크로 마이크로 기술	DSC612	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	mems (실리콘)	DSC612						LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	-		6MA	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 50ppm				25MHz	50MHz	-	-
VC-840-EAE-FAAN-54M0000000	-	RFQ	5775	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSA400-4441Q0170KL1TVAO	-	RFQ	6142	마이크로 마이크로 기술	DSA400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	mems (실리콘)							HCSL, LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA400-4441Q0170KL1TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능)		88ma	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm			44 MA	50MHz	100MHz	100MHz	100MHz
DSC1123NL5-125.0000T	-	RFQ	3954	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123				125MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA			MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC400-3133Q0100KE2	-	RFQ	8421	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				148.35MHz, 148.5MHz	156.25MHz	25MHz	197.8MHz, 198MHz
DSC1101AL3 프로그램	1.0800	RFQ	4988	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1101						CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101AL3 프로그램	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA			MEMS	± 20ppm		-						3.3 MHz ~ 170 MHz	-
DSC6121JE2B-01P0T	-	RFQ	4844	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6121JE2B-01P0TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 25ppm			1.5 µA	-	-	-	-
DSC400-1122Q0036KE1	-	RFQ	7772	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS, LVPECL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm				100MHz	156.25MHz	25MHz	50MHz
DSC400-3333Q0099KE2T	-	RFQ	5670	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				148.35MHz, 148.5MHz	156.25MHz	208.333333MHz	197.8MHz, 198MHz
DSA400-4444Q0167KI2TVAO	-	RFQ	9752	마이크로 마이크로 기술	DSA400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	mems (실리콘)							HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA400-4444Q0167KI2TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능)		88ma	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			44 MA	100MHz	125MHz	125MHz	100MHz
DSC400-1111Q0043KI2	-	RFQ	5855	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				25MHz, 50MHz	25MHz, 50MHz	25MHz, 50MHz	25MHz, 50MHz
DSC1001CI2-025.0000T	0.9200	RFQ	5137	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.88mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				25MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA613RA2A-01W8TVAO	-	RFQ	6250	마이크로 마이크로 기술	DSA613	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	mems (실리콘)							LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA613RA2A-01W8TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6.5MA	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 25ppm			3 MA	24MHz, 25MHz	27MHz	25MHz	-
DSC6021JI2A-002K	-	RFQ	5758	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 25ppm				2kHz	-	-	-
DSC2311KL2-R0040	-	RFQ	1979	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311						CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	40MHz	20MHz	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²