SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC6003JI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6003ji1a 프로그래밍 가능 -
RFQ
ECAD 2625 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC6011HE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6011HE2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 2317 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC6331JI3EB-025.0000 Microchip Technology DSC6331JI3EB-025.0000 -
RFQ
ECAD 4535 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI3EB-025.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - ± 2.00%, 00 스프레드 -
DSC6331MA1AB-027.0000 Microchip Technology DSC6331MA1AB-027.0000 -
RFQ
ECAD 8648 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6331 27 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331MA1AB-027.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
VXM7-1372-25M0000000TR Microchip Technology VXM7-1372-25M0000000TR -
RFQ
ECAD 3369 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 -40 ° C ~ 100 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 25MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1372-25M0000000TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 20pf - ± 20ppm
DSC400-0202Q0106KI1T Microchip Technology DSC400-0202Q0106KI1T -
RFQ
ECAD 4441 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 153.6MHz 155.46875MHz - -
DSC1101NI5-018.7500 Microchip Technology DSC1101NI5-018.7500 -
RFQ
ECAD 1406 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 18.75 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
DSC612RI3A-01M3 Microchip Technology DSC612RI3A-01M3 -
RFQ
ECAD 3126 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612RI3A-01M3 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 12.288MHz 27MHz - -
VCC1-B3C-25M0000000 Microchip Technology VCC1-B3C-25M0000000 -
RFQ
ECAD 6552 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC8104BI2 Microchip Technology DSC8104BI2 4.2600
RFQ
ECAD 226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8104 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC8104 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4707 귀 99 8542.39.0001 72 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 42MA MEMS - - 10MHz ~ 460 MHz ± 25ppm
DSC400-3133Q0080KI2 Microchip Technology DSC400-3133Q0080KI2 -
RFQ
ECAD 6876 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 148.35MHz 27MHz 25MHz 148.35MHz
DSC8103AI5 Microchip Technology DSC8103AI5 6.5125
RFQ
ECAD 2009 년 년 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8103 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4701 귀 99 8542.39.0001 50 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 32MA MEMS - - 10MHz ~ 460 MHz ± 10ppm
DSC6021JI1B-01UJ Microchip Technology DSC6021JI1B-01UJ -
RFQ
ECAD 1963 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021JI1B-01UJ 귀 99 8542.39.0001 140 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm 12.288MHz, 24.576MHz - - -
VXM1-1EJ-18-24M0000000 Microchip Technology VXM1-1EJ-18-24M0000000 -
RFQ
ECAD 6062 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM1 조각 활동적인 50 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 24 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM1-1EJ-18-24M0000000 귀 99 8541.60.0060 100 18pf ± 20ppm ± 10ppm
DSC400-0111Q0116KI1 Microchip Technology DSC400-0111Q0116KI1 -
RFQ
ECAD 3742 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 12.288MHz 14.7456MHz 11.2896MHz -
DSC2311KL1-R0021T Microchip Technology DSC2311KL1-R0021T -
RFQ
ECAD 6572 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 25MHz 50MHz - -
DSA6101MA1B-025.0000TVAO Microchip Technology DSA6101MA1B-025.0000TVAO -
RFQ
ECAD 5098 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101MA1B-025.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6102CE1A-000.0000T Microchip Technology dsc6102ce1a-000.0000t -
RFQ
ECAD 5836 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC6111JE2A-045.1584 Microchip Technology DSC6111JE2A-045.1584 -
RFQ
ECAD 8375 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 45.1584 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6001HI1B-032.7680T Microchip Technology DSC6001HI1B-032.7680T -
RFQ
ECAD 5666 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 32.768 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI1B-032.7680TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6102MI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6102MI2A-000.0000T 0.9500
RFQ
ECAD 700 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC1505AI3A-48M00000T Microchip Technology DSC1505AI3A-48M00000T -
RFQ
ECAD 4725 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 48MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1505AI3A-48M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1µA (유형)
DSC8102DI2 Microchip Technology DSC8102DI2 10.0200
RFQ
ECAD 835 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8102 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 58ma MEMS ± 25ppm - 95 µA 10MHz ~ 460 MHz -
DSC8123CI5T Microchip Technology DSC8123CI5T -
RFQ
ECAD 7738 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8123 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 32MA MEMS ± 10ppm - 22 MA 10MHz ~ 460 MHz -
DSC1001CC1-008.0000T Microchip Technology DSC1001CC1-008.0000T -
RFQ
ECAD 3141 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6111BI2B-008.0000T Microchip Technology DSC6111BI2B-008.0000T 1.2600
RFQ
ECAD 6557 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC2311KI2-R0005T Microchip Technology DSC2311KI2-R0005T -
RFQ
ECAD 1821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 20MHz 20MHz - -
VXM7-1DE-19-25M0000000 Microchip Technology VXM7-1DE-19-25M0000000 -
RFQ
ECAD 9574 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 3,000
VXA4-1F4-8M00000000 Microchip Technology VXA4-1F4-8M00000000 -
RFQ
ECAD 3646 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 가방 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 1,000
DSC6001MI3B-032K768T Microchip Technology DSC6001MI3B-032K768T -
RFQ
ECAD 1189 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001MI3B-032K768TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고