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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
VCC1-B1C-25M0000000 Microchip Technology VCC1-B1C-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 3075 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC8121CI2 Microchip Technology DSC8121CI2 3.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8121 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4717 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS - - 10MHz ~ 170MHz ± 25ppm
DSC6101HI1A-025.0000T Microchip Technology DSC6101HI1A-025.0000T -
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1201NE2-30M37000 Microchip Technology DSC1201NE2-30M37000 -
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 30.37 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201NE2-30M37000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC6311JI2CB-025.0000T Microchip Technology DSC6311JI2CB-025.0000T -
RFQ
 ECAD 6760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311JI2CB-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 1.5µA (()
DSC400-3333Q0093KI2T Microchip Technology DSC400-3333Q0093KI2T -
RFQ
 ECAD 3408 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 80MHz 80MHz 80MHz 80MHz
VX-705-1001-156M250000 Microchip Technology VX-705-1001-156M250000 -
RFQ
 ECAD 4476 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-705 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.082 "(2.09mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 156.25 MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VX-705-1001-156M250000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC6001MI2B-007.3728 Microchip Technology DSC6001MI2B-007.3728 -
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 7.3728 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001MI2B-007.3728 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1123CL2-026.0000T Microchip Technology DSC1123CL2-026.0000T -
RFQ
 ECAD 1668 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 26 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CL2-026.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VXM8-1027-30M0000000 Microchip Technology VXM8-1027-30M0000000 -
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm8 조각 활동적인 50 옴 - - 0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 30MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 100 - - ± 20ppm
DSC1103CI5-120.0000T Microchip Technology DSC1103CI5-120.0000T -
RFQ
 ECAD 6847 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 120MHz LVD 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103CI5-120.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
VCC1-1303-19M4400000 Microchip Technology VCC1-1303-19M4400000 -
RFQ
 ECAD 2838 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 19.44 MHz CMOS - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1303-19M4400000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VV-701-EAE-KEAB-42M9496730 Microchip Technology VV-701-EAE-KEAB-42M9496730 -
RFQ
 ECAD 9398 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6013MI2A-025.0000T Microchip Technology DSC6013MI2A-025.0000T -
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121BE2-100.0000T Microchip Technology DSC1121BE2-100.0000T -
RFQ
 ECAD 9292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 100MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
VC-820-HAE-KAAN-114M285000 Microchip Technology VC-820-HAE-KAAN-114M285000 -
RFQ
 ECAD 3657 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121CL5-040.0000 Microchip Technology DSC1121CL5-040.0000 -
RFQ
 ECAD 7548 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC6083CI2A-000K000 Microchip Technology DSC6083CI2A-000K000 -
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 - 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1103NL2-135.0000 Microchip Technology DSC1103NL2-135.0000 -
RFQ
 ECAD 6116 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 135 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1103NL2-135.0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
MX574BBA805M664-TR Microchip Technology MX574BBA805M664-TR -
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX574BBA805M664 805.664062 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
VC-801-EAC-SAAN-8M00000000 Microchip Technology VC-801-EAC-SAAN-8M00000000 -
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1018DI2-024.0000T Microchip Technology DSC1018DI2-024.0000T -
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1018 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC6001JI3B-008.0000T Microchip Technology DSC6001JI3B-008.0000T -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS - - - -
DSC1001AL2-029.4912 Microchip Technology DSC1001AL2-029.4912 -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 29.4912 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VCC6-1331-100M0_SNPB Microchip Technology VCC6-1331-100M0_SNPB -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz - - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-1331-100M0_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 - 결정 - - - -
DSC6003CE1A-012.2880 Microchip Technology DSC6003CE1A-012.2880 -
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 12.288 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 150-DSC6003CE1A-012.2880 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VT-840-JFE-507A-40M0000000 Microchip Technology VT-840-JFE-507A-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6003JI2B-001.0000T Microchip Technology DSC6003JI2B-001.0000T -
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 1MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001CI5-007.3728T Microchip Technology DSC1001CI5-007.3728T -
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 7.3728 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - -
DSC1001AL5-024.0000T Microchip Technology DSC1001AL5-024.0000T -
RFQ
 ECAD 9580 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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