RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

결정, 공진기, 발진기 (18804)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC1201BA3-Prog	1.5600	RFQ	5207	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1201			CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1201BA3 프로그램	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		27MA (타이핑)		MEMS	-		-							2.5 MHz ~ 170 MHz	± 20ppm
DSA1223CA1-200M0000TVAO	-	RFQ	8592	마이크로 마이크로 기술	DSA12X3	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		200MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1223CA1-200M0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
M921223BI3-87M35154	-	RFQ	9739	마이크로 마이크로 기술	M9212X3	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		87.35154 MHz		LVD	2.5V, 3.3V	다운로드				150-M921223BI3-87M35154	귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			32MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1101AI2-150.0000T	-	RFQ	7970	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1101	150MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSA6102JA2B-016.0000TVAO	-	RFQ	4528	마이크로 마이크로 기술	DSA61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSA6102	16MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6102JA2B-016.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC6101JI2A-016.7772T	-	RFQ	8482	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		16.7772 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1033BE1-025.0000T	-	RFQ	2952	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033	25MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC8004AL2	-	RFQ	3210	마이크로 마이크로 기술	DSC8004	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8004			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4678	귀 99	8542.39.0001	50	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		16.6MA		MEMS	-		-	15 µA						1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
VXM5-1058-26M5625000	-	RFQ	2144	마이크로 마이크로 기술	VXM5	테이프 & tr (TR)	활동적인	30 옴	-	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		26.5625 MHz	근본적인			다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VXM5-1058-26M5625000TR	귀 99	8541.60.0060	1,000			-				-				± 20ppm
DSC1001BL5-066.0000T	-	RFQ	6720	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	66MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.2MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
HT-MM900AC-7K-EE-16M0000000	-	RFQ	8032	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1003CL3-133.3330	-	RFQ	5081	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		133.333 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSC1003CL3-133.3330	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			16.6MA		MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
VCC1-B3D-14M7456000	-	RFQ	6445	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSA612RL3A-01Q9VAO	-	RFQ	7095	마이크로 마이크로 기술	DSA612	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)				LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA612RL3A-01Q9VAO	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			3 MA		32.768kHz	32.768kHz	-	-
DSC1103CL2-125.0000T	-	RFQ	2641	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	125MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			32MA		MEMS	-	± 25ppm	-	95µA
DSC1101DI5-125.0000	-	RFQ	3754	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	125MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101111DI5-125.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
VCC4-104-125M000000	-	RFQ	6317	마이크로 마이크로 기술	VCC4	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz		CMOS	-	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VCC4-104-125M000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			-		결정	-	-	-	-
DSC8121BI5	6.1900	RFQ	60	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC8121			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4715	귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		35MA		MEMS	-		-							10MHz ~ 170MHz	± 10ppm
DSC1003DI1-052.0000T	-	RFQ	2254	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1003	52MHz		CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			10.5MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1123AE1-148.5000T	-	RFQ	2393	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1123	148.5 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001DC1-027.0000T	-	RFQ	9222	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	27 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.2MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1103DL2-100.0000T	-	RFQ	5804	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	100MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			32MA		MEMS	-	± 25ppm	-	95µA
DSC6102ME2A-000.0000T	0.9300	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)		MEMS	-		-							1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC1221DI1-21M11840T	-	RFQ	9354	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		21.1184 MHz		CMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1221DI1-21M11840TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			27MA (타이핑)		MEMS	± 50ppm	-	-	23MA (유형)
DSC1001DE1-018.4320T	-	RFQ	9919	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	18.432 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
VV-800-1012-77M76000000	-	RFQ	4330	마이크로 마이크로 기술	VV-800	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		77.76 MHz		-	-	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VV-800-1012-77M760000TR	귀 99	8542.39.0001	1	-			-		결정	± 20ppm	-	-	-
DSC6301HI2BB-012.0000T	-	RFQ	2209	마이크로 마이크로 기술	DSC63XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6301	12MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6301HI2BB-012.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.50%, 50 스프레드	-
DSC1103DI2-125.0000	2.4840	RFQ	2837	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	125MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1001CL5-027.1200T	-	RFQ	5842	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	27.12 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.2MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001CL5-013.5800T	-	RFQ	1536	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	13.58 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²