SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC6121ML3B-01QH Microchip Technology DSC6121ML3B-01QH -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121ML3B-01QH 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 1MHz, 64MHz - - -
DSC1213NI2-C0019T Microchip Technology DSC1213NI2-C0019T -
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC1213 LVD 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1213NI2-C0019TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 32MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm - - - -
VCC1-B3R-50M0000000_SNPB Microchip Technology VCC1-B3R-50M0000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 8518 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
VXM9-9016-48M0000000TR Microchip Technology VXM9-9016-48M0000000TR -
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM9 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 - - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 48MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM9-9016-48M0000000TR 귀 99 8541.60.0060 3,000 - - ± 20ppm
DSC6112JI1A-000.0000 Microchip Technology dsc6112ji1a-000.0000 0.8400
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
VCC4-G3D-25M0000000TR Microchip Technology vcc4-g3d-25m0000000tr -
RFQ
 ECAD 5885 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 2.5V - 영향을받지 영향을받지 150-VCC4-G3D-25M0000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 15MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
VT-807-EAH-2560-40M0000000 Microchip Technology VT-807-EAH-2560-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-807 조각 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0080 100 - 6MA 결정 ± 2.5ppm - - -
DSC8001DI2-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc8001di2 프로그램 가능 9.6800
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 576-4667 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 12.2MA MEMS - - 15 µA 1MHz ~ 150MHz ± 25ppm
DSC1001CL2-133.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-133.0000 -
RFQ
 ECAD 5155 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 133 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL2-133.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6122CI2A-00AY Microchip Technology dsc6122ci2a-00ay 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 4-vdfn xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 - 3MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 26MHz, 27MHz - - -
DSC1124CE1-100.0000T Microchip Technology DSC1124CE1-100.0000T -
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1123DI1-233.3333T Microchip Technology DSC1123DI1-233.3333T -
RFQ
 ECAD 3120 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 233.3333 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123DI1-233.333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333까지합니다합니다 것서 .서 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6101JA2B-050.0000 Microchip Technology DSC6101JA2B-050.0000 -
RFQ
 ECAD 1108 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6101 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JA2B-050.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC6001MA2B-020.0000T Microchip Technology DSC6001MA2B-020.0000T -
RFQ
 ECAD 4698 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001DL5-030.0000T Microchip Technology DSC1001DL5-030.0000T -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1004CE2-072.0000T Microchip Technology DSC1004CE2-072.0000T -
RFQ
 ECAD 1009 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 72 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VXB1-1IE-00-8M00000000 Microchip Technology VXB1-1IE-00-8M00000000 -
RFQ
 ECAD 7156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXB1 테이프 & tr (TR) 활동적인 45 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) 0.126 "(3.20mm) 표면 표면 HC-49/US MHZ 크리스탈 8 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXB1-1IE-00-8M00000000TR 귀 99 8541.60.0050 1,000 시리즈 ± 40ppm ± 20ppm
DSA1121CA3-020.0000TVAO Microchip Technology DSA1121CA3-020.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1121CA3-020.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
MX573NBA622M080-TR Microchip Technology MX573NBA62M080-TR -
RFQ
 ECAD 6798 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX573NBA622 622.08 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC8121AL2T Microchip Technology DSC8121AL2T -
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC8121 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 25ppm - 22 MA 10MHz ~ 170MHz -
DSC6001ML2B-040.0000T Microchip Technology DSC6001ML2B-040.0000T -
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 40MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001ML2B-040.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VC-820-9014-125M000000 Microchip Technology VC-820-9014-125M000000 -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 조각 활동적인 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-9014-125M000000 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 40ma 결정 - - - 10µA
DSA1101CL2-032.0000TVAO Microchip Technology DSA1101CL2-032.00000000TVAO -
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 32 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6003CE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6003CE2A-000.0000T -
RFQ
 ECAD 9530 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC6001JI2B-026.0000 Microchip Technology DSC6001JI2B-026.0000 -
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 26 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI2B-026.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1033AI2-025.0000 Microchip Technology DSC1033AI2-025.0000 -
RFQ
 ECAD 4065 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 25MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC6102JI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6102ji1a 프로그래밍 가능 -
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
VXM7-1366-48M0000000 Microchip Technology VXM7-1366-48M0000000 1.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 VXM7-1366 48MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 3,000 - - ± 20ppm
DSC8103CI5 Microchip Technology DSC8103CI5 14.4200
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8103 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4705 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 32MA MEMS - - 10MHz ~ 460 MHz ± 10ppm
DSC1001DI4-066.4860T Microchip Technology DSC1001DI4-066.4860T -
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 66.486 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS - - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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