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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
VCC4-G3D-25M0000000	-	RFQ	1765	마이크로 마이크로 기술	VCC4	조각	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz		CMOS	2.5V	-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			15MA		결정	± 50ppm	-	-	30µA
DSA2311KI3-R0067VAO	-	RFQ	2493	마이크로 마이크로 기술	DSA2311	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSA2311			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA2311KI3-R0067VAO	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			23MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 20ppm					25MHz	16MHz	-	-
DSC1101AE2-027.1200T	-	RFQ	2921	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	27.12 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			95µA		MEMS	± 25ppm	-	-	-
VC-801-EAE-EAAN-25M0000000	-	RFQ	5567	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1505AI3A-26M00000T	-	RFQ	9515	마이크로 마이크로 기술	DSC150X	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)		26 MHz		LVCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1505AI3A-26M00000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.5MA		MEMS	± 20ppm	-	-	1µA (유형)
DSC400-0202Q0106KE1T	-	RFQ	5921	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					153.6MHz	155.46875MHz	-	-
VT-803-EFE-2870-16M3680000	-	RFQ	9034	마이크로 마이크로 기술	VT-803	조각	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.059 "(1.50mm)	표면 표면	8-smd,, 없음	TCXO		16.368 MHz		사인파를 사인파를	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VT-803-EFE-2870-16M3680000	귀 99	8542.39.0001	250	-			2MA		결정	± 280ppb	-	-	-
DSC1003BL3-020.0000	-	RFQ	1377	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1003	20MHz		CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)			8ma		MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC6011HI1B-012.0000T	-	RFQ	6619	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6011	12MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011HI1B-012.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1525JL2A-50M00000	1.0200	RFQ	8304	마이크로 마이크로 기술	DSC152X	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		50MHz		LVCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수						140	활성화/비활성화			7.5MA		MEMS	± 25ppm	-	-	7.8ma
DSC2210FL2-A0026	-	RFQ	3788	마이크로 마이크로 기술	DSC2210	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2210			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			35MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		25MHz, 75MHz	-
VTC1-B1CC-10M0000000	-	RFQ	1210	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC8002CI1	-	RFQ	5597	마이크로 마이크로 기술	DSC8002	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		10MA		MEMS	± 50ppm		-	1 µA						1MHz ~ 150MHz	-
DSA1104CL1-156.2500VAO	-	RFQ	9485	마이크로 마이크로 기술	DSA1104	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		156.25 MHz		HCSL	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1104CL1-156.2500VAO	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			42MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC2311KL2-R0091T	-	RFQ	8585	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)				LVCMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2311KL2-R0091TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		33.333333MHz	50MHz	-	-
DSC612RI3A-01P3	-	RFQ	3903	마이크로 마이크로 기술	DSC612	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)				LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC612RI3A-01P3	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			3 MA		26MHz	32.768kHz	-	-
DSC6021JE1A-002M	-	RFQ	3401	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 50ppm					2MHz	-	-	-
VC-801-EAE-KAAN-80M0000000	-	RFQ	3022	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VXM7-9049-16M0000000	-	RFQ	3441	마이크로 마이크로 기술	vxm7	조각	활동적인	80 옴	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		16MHz	근본적인			-			영향을받지 영향을받지	150-VXM7-9049-16M0000000	귀 99	8541.60.0050	3,000			-				-				± 20ppm
dsc6111hi1a 프로그램 가능	-	RFQ	5814	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)		3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
dsc6101mi1a-000.0000t	0.9000	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)		MEMS	-		-							1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC612PI2A-012QT	-	RFQ	5609	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			6-VFLGA	mems (실리콘)	DSC612			LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-			6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm					24MHz	25MHz	-	-
MO-9000AE-6F-EE-50M0000000	-	RFQ	1484	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1123BI5-156.2500	4.1500	RFQ	9290	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	156.25 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			32MA		MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC6021JE1B-01D9T	-	RFQ	2631	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)	DSC6021			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6021JE1B-01D9TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 50ppm					35.8907mhz, 44.8634MHz	-	-	-
DSC400-3333Q0089KE1T	-	RFQ	6763	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					148.35MHz	148.5MHz	-	-
DSA400-4444Q0001KL2TVAO	-	RFQ	2596	마이크로 마이크로 기술	DSA400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	mems (실리콘)				HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA400-4444Q0001KL2TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능)			88ma	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			44 MA		100MHz	100MHz	100MHz	100MHz
DSC1102CI5-100.0000	-	RFQ	6049	마이크로 마이크로 기술	DSC1102	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1102	100MHz		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			58ma		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC2030FI2-C0004	-	RFQ	9372	마이크로 마이크로 기술	DSC2030	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2030			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			32MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		148.35MHz, 148.5MHz	-
dsc6112mi2a 프로그래밍 가능	-	RFQ	2653	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)		3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 100MHz	± 25ppm

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²