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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 작동 작동 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 커패시턴스로드 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 주파수 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSC2011FI2-F0064 | - | ![]() | 3290 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2011 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC2011FI2-F0064 | 110 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | 0.037 "(0.95mm) | MEMS | ± 50ppm | 23 MA | 11.2896MHz, 22.5792MHz | 11.2896MHz, 12.285741MHz, 22.5792MHz, 24.571482MHz | - | - | |||||||||||||
![]() | DSC1124BL2-100.0000 | - | ![]() | 6966 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1124 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | HCSL | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1124BL2-100.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | 42MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |||||||||||
![]() | DSC1001BL5-027.0000 | - | ![]() | 8384 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001BL5-027.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC1121NE2-020.0000 | - | ![]() | 1039 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 20MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121NE2-020.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |||||||||||
![]() | DSC1502AI3A-24M00000 | - | ![]() | 8779 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC150X | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn d 패드 | xo (표준) | 24 MHz | LVCMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1502AI3A-24M00000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 7.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.8µA (() | |||||||||||
![]() | DSC6011JI2B-012.2880 | - | ![]() | 4239 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 12.288 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JI2B-012.2880 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||||||||
![]() | DSC1001BI2-060.0000 | - | ![]() | 6373 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 60MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001BI2-060.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC6101JI2B-032K768 | - | ![]() | 1291 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JI2B-032K768 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | DSC6301JE1EB-001.0000 | - | ![]() | 2417 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 1MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301JE1EB-001.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 2.00%, 00 스프레드 | - | |||||||||||
![]() | DSC1001DI2-006.1400 | - | ![]() | 6568 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 6.14 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DI2-006.1400 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC6101JE3B-485K000 | - | ![]() | 3521 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 485 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JE3B-485K000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | VV-701-EAE-SFAB-25M0000000 | - | ![]() | 3827 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VV-701 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.068 "(1.72mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | VCXO | 25MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VV-701-EAE-SFAB-25M0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 9MA | 결정 | ± 25ppm | ± 100ppm | - | - | |||||||||||
![]() | DSC1101CI2-027.0000 | - | ![]() | 1940 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101CI2-027.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||||||
![]() | DSC6001JL3B-024.0000 | - | ![]() | 3681 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JL3B-024.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | DSC6001JI2B-016.7772 | - | ![]() | 7592 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 16.7772 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JI2B-016.7772 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | VT-827-EFH-2560-27M0000000TR | - | ![]() | 4924 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-827 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 27 MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-827-EFH-2560-27M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | - | 2MA | 결정 | ± 2.5ppm | - | - | - | |||||||||||
![]() | VC-706-HDE-FAAN-31M2500000_SNPB | - | ![]() | 1766 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-706 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.063 "(1.60mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 31.25 MHz | LVD | 2.5V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-706-HDE-FAAN-31M2500000_SNPBTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 60ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC1502AI3A-100M0000T | - | ![]() | 5906 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC150X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn d 패드 | xo (표준) | 100MHz | LVCMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1502AI3A-100M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.8µA (() | |||||||||||
![]() | DSC1001CL3-006.1440T | - | ![]() | 6717 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 6.144 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CL3-006.1440TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | VC-801-JAJ-KAAN-100M0000TTR | - | ![]() | 1944 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-801 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | CMOS | 1.8V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-801-JAJ-KAAN-100M0000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 30µA | |||||||||||
![]() | DSC1001CI5-049.1520T | - | ![]() | 7015 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 49.152 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CI5-049.1520TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||||||||||
![]() | DSC1224DI3-100M0000T | - | ![]() | 4408 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | HCSL | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1224DI3-100M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 40ma (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||||||
![]() | VXE4-1G1-38M4000000 | - | ![]() | 1158 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxe4 | 조각 | 활동적인 | 100 옴 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.236 "L x 0.138"W (6.00mm x 3.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 38.4 MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXE4-1G1-38M4000000 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 100 | 16pf | ± 10ppm | ± 20ppm | |||||||||||||||
![]() | DSC1505AI3A-24M00000T | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC150X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn d 패드 | xo (표준) | 24 MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1505AI3A-24M00000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1µA (유형) | ||||||||||
![]() | DSC1101DL1-050.0000T | - | ![]() | 3619 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1101111DL1-050.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | ||||||||||
![]() | DSC1505AI3A-125M0000T | - | ![]() | 1941 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC150X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn d 패드 | xo (표준) | 125MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1505AI3A-125M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1µA (유형) | |||||||||||
![]() | VT-844-0001-14M7456000 | - | ![]() | 6672 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-844 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | - | - | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | - | 14.7456 MHz | - | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-844-0001-14M7456000 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | - | - | 결정 | - | - | - | - | |||||||||||
![]() | VT-860-EFE-5070-16M3680000 | - | ![]() | 7237 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-860 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 16.368 MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-860-EFE-5070-16M3680000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | - | 2.3ma | 결정 | ± 500ppb | - | - | - | ||||||||||
![]() | VT-822-HAE-2060-50M0000000TR | - | ![]() | 6300 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-822 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.043 "(1.10mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 50MHz | CMOS | 2.5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-822-HAE-2060-50M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 2ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | VC-711-EDW-KAAN-200M000000 | - | ![]() | 8328 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-711 | 조각 | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.067 "(1.70mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 200MHz | LVD | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-711-EDW-KAAN-200M000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 33MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - |
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