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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC2011FI2-F0064 Microchip Technology DSC2011FI2-F0064 -
RFQ
ECAD 3290 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2011 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVCMOS 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2011FI2-F0064 110 활성화/비활성화 32MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 11.2896MHz, 22.5792MHz 11.2896MHz, 12.285741MHz, 22.5792MHz, 24.571482MHz - -
DSC1124BL2-100.0000 Microchip Technology DSC1124BL2-100.0000 -
RFQ
ECAD 6966 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1124BL2-100.0000 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001BL5-027.0000 Microchip Technology DSC1001BL5-027.0000 -
RFQ
ECAD 8384 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BL5-027.0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1121NE2-020.0000 Microchip Technology DSC1121NE2-020.0000 -
RFQ
ECAD 1039 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 20MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121NE2-020.0000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1502AI3A-24M00000 Microchip Technology DSC1502AI3A-24M00000 -
RFQ
ECAD 8779 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 24 MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1502AI3A-24M00000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1.8µA (()
DSC6011JI2B-012.2880 Microchip Technology DSC6011JI2B-012.2880 -
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-012.2880 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001BI2-060.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-060.0000 -
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 60MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI2-060.0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6101JI2B-032K768 Microchip Technology DSC6101JI2B-032K768 -
RFQ
ECAD 1291 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI2B-032K768 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6301JE1EB-001.0000 Microchip Technology DSC6301JE1EB-001.0000 -
RFQ
ECAD 2417 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JE1EB-001.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.00%, 00 스프레드 -
DSC1001DI2-006.1400 Microchip Technology DSC1001DI2-006.1400 -
RFQ
ECAD 6568 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 6.14 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI2-006.1400 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6101JE3B-485K000 Microchip Technology DSC6101JE3B-485K000 -
RFQ
ECAD 3521 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 485 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JE3B-485K000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
VV-701-EAE-SFAB-25M0000000 Microchip Technology VV-701-EAE-SFAB-25M0000000 -
RFQ
ECAD 3827 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VV-701 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.068 "(1.72mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 25MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VV-701-EAE-SFAB-25M0000000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 9MA 결정 ± 25ppm ± 100ppm - -
DSC1101CI2-027.0000 Microchip Technology DSC1101CI2-027.0000 -
RFQ
ECAD 1940 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101CI2-027.0000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6001JL3B-024.0000 Microchip Technology DSC6001JL3B-024.0000 -
RFQ
ECAD 3681 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JL3B-024.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC6001JI2B-016.7772 Microchip Technology DSC6001JI2B-016.7772 -
RFQ
ECAD 7592 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 16.7772 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JI2B-016.7772 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VT-827-EFH-2560-27M0000000TR Microchip Technology VT-827-EFH-2560-27M0000000TR -
RFQ
ECAD 4924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-827 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 27 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VT-827-EFH-2560-27M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 - 2MA 결정 ± 2.5ppm - - -
VC-706-HDE-FAAN-31M2500000_SNPB Microchip Technology VC-706-HDE-FAAN-31M2500000_SNPB -
RFQ
ECAD 1766 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-706 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 31.25 MHz LVD 2.5V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-706-HDE-FAAN-31M2500000_SNPBTR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 25ppm - - -
DSC1502AI3A-100M0000T Microchip Technology DSC1502AI3A-100M0000T -
RFQ
ECAD 5906 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 100MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1502AI3A-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1.8µA (()
DSC1001CL3-006.1440T Microchip Technology DSC1001CL3-006.1440T -
RFQ
ECAD 6717 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 6.144 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL3-006.1440TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
VC-801-JAJ-KAAN-100M000000TR Microchip Technology VC-801-JAJ-KAAN-100M0000TTR -
RFQ
ECAD 1944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz CMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-JAJ-KAAN-100M0000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC1001CI5-049.1520T Microchip Technology DSC1001CI5-049.1520T -
RFQ
ECAD 7015 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 49.152 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI5-049.1520TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1224DI3-100M0000T Microchip Technology DSC1224DI3-100M0000T -
RFQ
ECAD 4408 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1224DI3-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
VXE4-1G1-38M4000000 Microchip Technology VXE4-1G1-38M4000000 -
RFQ
ECAD 1158 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxe4 조각 활동적인 100 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.236 "L x 0.138"W (6.00mm x 3.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 38.4 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXE4-1G1-38M4000000 귀 99 8541.60.0060 100 16pf ± 10ppm ± 20ppm
DSC1505AI3A-24M00000T Microchip Technology DSC1505AI3A-24M00000T -
RFQ
ECAD 3433 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1505AI3A-24M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1µA (유형)
DSC1101DL1-050.0000T Microchip Technology DSC1101DL1-050.0000T -
RFQ
ECAD 3619 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101111DL1-050.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1505AI3A-125M0000T Microchip Technology DSC1505AI3A-125M0000T -
RFQ
ECAD 1941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 125MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1505AI3A-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1µA (유형)
VT-844-0001-14M7456000 Microchip Technology VT-844-0001-14M7456000 -
RFQ
ECAD 6672 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-844 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - - - 표면 표면 4-SMD,, 없음 - 14.7456 MHz - - - 영향을받지 영향을받지 150-VT-844-0001-14M7456000 귀 99 8541.60.0080 100 - - 결정 - - - -
VT-860-EFE-5070-16M3680000 Microchip Technology VT-860-EFE-5070-16M3680000 -
RFQ
ECAD 7237 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-860 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 16.368 MHz 사인파를 사인파를 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-860-EFE-5070-16M3680000 귀 99 8542.39.0001 250 - 2.3ma 결정 ± 500ppb - - -
VT-822-HAE-2060-50M0000000TR Microchip Technology VT-822-HAE-2060-50M0000000TR -
RFQ
ECAD 6300 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-822 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 50MHz CMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-822-HAE-2060-50M0000000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 2ppm - - -
VC-711-EDW-KAAN-200M000000 Microchip Technology VC-711-EDW-KAAN-200M000000 -
RFQ
ECAD 8328 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-711 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-711-EDW-KAAN-200M000000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 33MA 결정 ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고