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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4
DSA6301JA2AB-002.0000TVAO	-	RFQ	1100	마이크로 마이크로 기술	DSA63XX	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		2 MHz		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	-			영향을받지 영향을받지	150-DSA6301JA2AB-002.0000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	-
DSC1121BE5-144.0800T	-	RFQ	4044	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1121	144.08 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC1502AI3A-156M2500	-	RFQ	3934	마이크로 마이크로 기술	DSC150X	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)		156.25 MHz		LVCMOS	2.5V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1502AI3A-156M2500	귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)		7.5MA		MEMS	± 20ppm	-	-	1.8µA (()
DSC6011HI2B-432K000T	-	RFQ	6316	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6011	432 kHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	-	± 25ppm	-	-
DSC1123AI5-148.5000T	-	RFQ	5928	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1123	148.5 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA		MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC1001CI2-035.4689	-	RFQ	1308	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	35.4689 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001CL1-025.0000T	-	RFQ	1757	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	25MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6301CI2CA-026.0000	-	RFQ	8578	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		26 MHz		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC1001BI2-014.3181T	-	RFQ	4745	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	14.3181 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC2311KM1-R0002T	-	RFQ	5974	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA		25MHz	125MHz	-	-
DSC1001CE1-024.5760T	-	RFQ	7064	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	24.576 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6111CI2B-074.2500	1.0560	RFQ	7832	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		74.25 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111CI2B-074.2500			110	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1101DE2-100.0000	-	RFQ	4886	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	100MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	-	± 25ppm	-	95µA
HT-MM900AC-2F-EE-28M6363000	-	RFQ	5638	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	TCXO		28.6363 MHz		CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-HT-MM900AC-2F-EE-28M6363000TR	귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화		5MA		결정	± 25ppm	-	-	-
VX-705-EAE-KXAN-125M000000TR	-	RFQ	4134	마이크로 마이크로 기술	VX-705	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.082 "(2.09mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		125MHz		CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VX-705-EAE-KXAN-125M0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		25MA		결정	± 20ppm	± 50ppm	-	-
VT-803-EFE-2870-16M3680000TR	-	RFQ	9205	마이크로 마이크로 기술	VT-803	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.059 "(1.50mm)	표면 표면	8-smd,, 없음	TCXO		16.368 MHz		사인파를 사인파를	3.3v	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VT-803-EFE-2870-16M3680000tr	귀 99	8542.39.0001	1,000	-		2MA		결정	± 280ppb	-	-	-
VC-820-JAE-EAAN-100M000000	-	RFQ	1254	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC613RE1A-0135T	-	RFQ	2311	마이크로 마이크로 기술	DSC613	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC613			LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6.5MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 50ppm			1.5 µA		50MHz	100MHz	100MHz	-
DSA1101DA1-040.0000VAO	-	RFQ	8003	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1101	40MHz		CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1101DA1-040.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC6121HI2A-00AGT	1.1700	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm					25MHz, 50MHz	-	-	-
DSC1123BL5-156.2500	5.8800	RFQ	9254	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	156.25 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		32MA		MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC6301CI2AA-025.0000	-	RFQ	9195	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		25MHz		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC1123AE2-003.5000T	-	RFQ	2327	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1123	3.5MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA		MEMS	-	± 25ppm	-	22MA
DSC6011JI2B-018.0000T	-	RFQ	2384	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		18 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011JI2B-018.0000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
VXM7-1335-16M0000000	-	RFQ	7738	마이크로 마이크로 기술	vxm7	테이프 & tr (TR)	활동적인	80 옴	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈		16MHz	근본적인			다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VXM7-1335-16M0000000TR	귀 99	8541.60.0050	1,000		-				-				± 20ppm
DSC6111JI2B-012.0000	-	RFQ	8633	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		12MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6111JI2B-012.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1001BE1-014.7456	-	RFQ	5909	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	14.7456 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1102CE1-212.5000	-	RFQ	7561	마이크로 마이크로 기술	DSC1102	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1102	212.5 MHz		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		58ma		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC2311KI2-R0020T	-	RFQ	1993	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		164MHz	164MHz	-	-
DSC1101CE5-045.1854	-	RFQ	4006	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	45.1854 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	-	± 10ppm	-	95µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²