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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC6111JE1B-024.0000T Microchip Technology DSC6111JE1B-024.0000T -
RFQ
ECAD 4163 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JE1B-024.0000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DI5-133.3330T Microchip Technology DSC1001DI5-133.3330T -
RFQ
ECAD 2677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 133.33 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1121AM1-050.0000 Microchip Technology DSC1121AM1-050.0000 -
RFQ
ECAD 4040 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 50MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC400-0111Q0117KI1 Microchip Technology DSC400-0111Q0117KI1 -
RFQ
ECAD 3232 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 16.64MHz 33MHz 25MHz -
DSC6001JE1B-052.0000 Microchip Technology DSC6001JE1B-052.0000 -
RFQ
ECAD 7773 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 52MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JE1B-052.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001CI2-072.0000T Microchip Technology DSC1001CI2-072.0000T -
RFQ
ECAD 8921 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 72 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA400-3333Q0001KL1VAO Microchip Technology dsa400-3333q0001kl1vao -
RFQ
ECAD 9838 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-3333301KL1VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 44 MA 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSC1101AI5-056.3200T Microchip Technology DSC1101AI5-056.3200T -
RFQ
ECAD 9717 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1101 56.32 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 10ppm - - -
DSC2311KM2-R0002T Microchip Technology DSC2311KM2-R0002T -
RFQ
ECAD 3828 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 25MHz 125MHz - -
DSC6111JL1B-007.3728T Microchip Technology DSC6111JL1B-007.3728T 0.9480
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 7.3728 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111JL1B-007.3728TTR 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
VCC1-B3D-32M7680000 Microchip Technology VCC1-B3D-32M7680000 -
RFQ
ECAD 5430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-B3R-25M0006250 Microchip Technology VCC1-B3R-25M0006250 -
RFQ
ECAD 8970 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC400-0303Q0092KE1T Microchip Technology DSC400-0303Q0092KE1T -
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 80MHz 80MHz - -
DSC1001BE2-048.0000T Microchip Technology DSC1001BE2-048.0000T -
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 25ppm - - -
DSC613NA1A-017Q Microchip Technology DSC613NA1A-017Q -
RFQ
ECAD 3922 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 6-VFLGA xo (표준) LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC613NA1A-017Q 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm 3 MA - - - -
DSC1121BI5-125.0000 Microchip Technology DSC1121BI5-125.0000 -
RFQ
ECAD 3897 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6331CI1CA-040.0000T Microchip Technology DSC6331CI1CA-040.0000T -
RFQ
ECAD 4930 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 80µA (타이핑)
DSC1001DI3-025.0000T Microchip Technology DSC1001DI3-025.0000T -
RFQ
ECAD 8713 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI3-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC6183MI2A-032K768 Microchip Technology DSC6183MI2A-032K768 -
RFQ
ECAD 4600 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSA6111JL2B-016.0000VAO Microchip Technology DSA6111JL2B-016.0000VAO -
RFQ
ECAD 9555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6111JL2B-016.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
VCC1-E3D-14M3181800 Microchip Technology VCC1-E3D-14M3181800 -
RFQ
ECAD 6966 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-801-EAE-FABN-100M000000 Microchip Technology VC-801-EAE-FABN-100M000000 -
RFQ
ECAD 3008 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1121CM2-025.0000T Microchip Technology DSC1121CM2-025.0000T -
RFQ
ECAD 3049 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1101BI2-024.5760 Microchip Technology DSC1101BI2-024.5760 -
RFQ
ECAD 4239 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 24.576 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
VXM7-9032-25M0000000 Microchip Technology VXM7-9032-25M0000000 0.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 VXM7-9032 25MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 3,000 - - ± 20ppm
DSC1203NE1-125M0000T Microchip Technology DSC1203NE1-125M0000T -
RFQ
ECAD 7944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203NE1-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 5µA
DSC6001JL1B-270K000 Microchip Technology DSC6001JL1B-270K000 -
RFQ
ECAD 7944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 270 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JL1B-270K000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VCC4-B3F-100M000000 Microchip Technology VCC4-B3F-100M000000 -
RFQ
ECAD 9456 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC4 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz CMOS 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
VCC6-QCD-250M000000 Microchip Technology VCC6-QCD-250M000000 -
RFQ
ECAD 9275 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSA6331JL2AB-012.2880TVAO Microchip Technology DSA6331JL2AB-012.2880TVAO -
RFQ
ECAD 1069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12.288 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331JL2AB-012.2880TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고