SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
DSC6183CE2A-060K000T Microchip Technology DSC6183CE2A-060K000T -
RFQ
 ECAD 5711 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 60 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VCB1-E3B-2M04800000 Microchip Technology VCB1-E3B-2M04800000 -
RFQ
 ECAD 7736 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSA6001JL2B-012.2880TVAO Microchip Technology DSA6001JL2B-012.2880TVAO -
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSA6001 12.288 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JL2B-012.2880TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101BI3-013.5600 Microchip Technology DSC1101BI3-013.5600 -
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 13.56 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101BI3-013.5600 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
DSC1001AC1-033.3333 Microchip Technology DSC1001AC1-033.3333 -
RFQ
 ECAD 2196 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001DL5-002.0000T Microchip Technology DSC1001DL5-002.0000T 2.2320
RFQ
 ECAD 8925 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 2 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DL5-002.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1201BA3-40M00000 Microchip Technology DSC1201BA3-40M00000 -
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1201 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201BA3-40M00000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1104BI5-100.0000T Microchip Technology DSC1104BI5-100.0000T -
RFQ
 ECAD 7961 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1104 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
VCC1-B2C-66M0000000 Microchip Technology VCC1-B2C-66M0000000 -
RFQ
 ECAD 7416 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0080 100 - 30ma 결정 ± 100ppm - - -
DSC1223BI2-100M0000T Microchip Technology DSC1223BI2-100M0000T -
RFQ
 ECAD 2468 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1223 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223BI2-100M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSC6001HI2A-125.0000 Microchip Technology DSC6001HI2A-125.0000 -
RFQ
 ECAD 1328 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6331MI2BA-038.0000T Microchip Technology DSC6331MI2BA-038.0000T -
RFQ
 ECAD 9682 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC6331HE1CA-024.0000T Microchip Technology DSC6331HE1CA-024.0000T -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 80µA (타이핑)
DSC1001DL2-016.0000T Microchip Technology DSC1001DL2-016.0000T -
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 16MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1103CE5-135.0000T Microchip Technology DSC1103CE5-135.0000T -
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 135 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
DSC6111CI1B-010.0000T Microchip Technology DSC6111CI1B-010.0000T 0.8760
RFQ
 ECAD 3593 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 10MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-DSC6111CI1B-010.0000TTR 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
DSC6111MI2B-100.0000 Microchip Technology DSC6111MI2B-100.0000 -
RFQ
 ECAD 2165 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6111MI2B-100.0000 귀 99 8542.39.0001 100
DSC1001AI2-001.0000 Microchip Technology DSC1001AI2-001.0000 1.0000
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 1MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1003BL3-025.0000T Microchip Technology DSC1003BL3-025.0000T -
RFQ
 ECAD 8002 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1003 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
CD-700-LAC-HAB-27M0000000 Microchip Technology CD-700-Lac-HAB-27M0000000 -
RFQ
 ECAD 3981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
DSC6051JE2B-001.0240 Microchip Technology DSC6051JE2B-001.0240 -
RFQ
 ECAD 8655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1.024 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6051JE2B-001.0240 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DL5-005.0196T Microchip Technology DSC1001DL5-005.0196T -
RFQ
 ECAD 2299 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 5.0196 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1101CE5-024.5760T Microchip Technology DSC1101CE5-024.5760T -
RFQ
 ECAD 9960 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 24.576 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
DSC6371JI3AB-024.0000T Microchip Technology DSC6371JI3AB-024.0000T -
RFQ
 ECAD 2375 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 24 MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6371JI3AB-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1033CI1-010.0000T Microchip Technology DSC1033CI1-010.0000T -
RFQ
 ECAD 1434 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
VCC1-B1E-100M000000 Microchip Technology VCC1-B1E-100M000000 -
RFQ
 ECAD 4273 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001DL2-030.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-030.0000 1.0000
RFQ
 ECAD 2028 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6301CI2CA-026.0000T Microchip Technology DSC6301CI2CA-026.0000T -
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 26 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC6301ML1AB-010.0000T Microchip Technology DSC6301ML1AB-010.0000T -
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 10MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301ML1AB-010.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC1123AI1-100.0000T Microchip Technology DSC1123AI1-100.0000T -
RFQ
 ECAD 4383 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSC1123AI1-100.0000TMCR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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