SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSA1001DI2-048.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI2-048.0000TVAO -
RFQ
ECAD 8018 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 48MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI2-048.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC2311KE2-R0090T Microchip Technology DSC2311KE2-R0090T -
RFQ
ECAD 5951 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2311KE2-R0090TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 32MHz 8MHz - -
DSC1123DI2-315.0000T Microchip Technology DSC1123DI2-315.0000T -
RFQ
ECAD 6435 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 315 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 25ppm - - -
VCC1-B3F-66M6667000 Microchip Technology VCC1-B3F-66M6667000 -
RFQ
ECAD 1187 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6101JI1A-050.0000T Microchip Technology DSC6101JI1A-050.0000T -
RFQ
ECAD 3943 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 80µA (타이핑)
DSA6001HA2B-029.4912TVAO Microchip Technology DSA6001HA2B-029.4912TVAO -
RFQ
ECAD 1362 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 29.4912 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001HA2B-029.4912TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001CL3-008.0000T Microchip Technology DSC1001CL3-008.0000T -
RFQ
ECAD 5597 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS - ± 20ppm - 15µA
DSA6112JL3B-054.0000VAO Microchip Technology DSA6112JL3B-054.0000VAO -
RFQ
ECAD 3774 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 54 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6112JL3B-054.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC1001AE1-054.0000 Microchip Technology DSC1001AE1-054.0000 0.9100
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 54 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1124BI1-100.0000 Microchip Technology DSC1124BI1-100.0000 2.2800
RFQ
ECAD 556 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6003HI2A-012.0000T Microchip Technology DSC6003HI2A-012.0000T -
RFQ
ECAD 3933 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6051JI2B-014.3180T Microchip Technology DSC6051JI2B-014.3180T -
RFQ
ECAD 5646 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 14.318 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6051JI2B-014.3180TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC1101NI5-018.7500T Microchip Technology DSC1101NI5-018.7500T -
RFQ
ECAD 7707 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 18.75 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
DSC1001DI1-004.9152T Microchip Technology DSC1001DI1-004.9152T 0.8700
RFQ
ECAD 6356 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 4.9152 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001DC1-025.0000 Microchip Technology DSC1001DC1-025.0000 0.9875
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6102MI2A-052.0000 Microchip Technology DSC6102MI2A-052.0000 -
RFQ
ECAD 4850 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 52MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001AE5-024.5760 Microchip Technology DSC1001AE5-024.5760 -
RFQ
ECAD 2601 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 24.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
HTM6101MA2B-017.6000 Microchip Technology HTM6101MA2B-017.6000 -
RFQ
ECAD 1330 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 htm61xx 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 17.6 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-HTM6101MA2B-017.6000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VC-801-DAW-KABN-8M00000000 Microchip Technology VC-801-DAW-KABN-8M00000000 -
RFQ
ECAD 6251 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 조각 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8 MHz CMOS 5V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - 30µA
DSC1103NI5-150.0000 Microchip Technology DSC1103NI5-150.0000 -
RFQ
ECAD 8147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 150MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - ± 10ppm - 95µA
DSC400-3333Q0104KE2T Microchip Technology DSC400-3333Q0104KE2T -
RFQ
ECAD 5379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 125MHz 100MHz 200MHz 156.25MHz
DSC6083HE2A-084K000T Microchip Technology DSC6083HE2A-084K000T -
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 84 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 150-DSC6083HE2A-084K000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.19ma (() MEMS ± 25ppm - - -
VXA1-1D6-8M00000000 Microchip Technology VXA1-1D6-8M00000000 -
RFQ
ECAD 8580 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 가방 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 1,000
M921223NI2-100M0000 Microchip Technology M921223NI2-100M0000 -
RFQ
ECAD 2839 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9212X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.5V, 3.3V 다운로드 150-M921223NI2-100M0000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 23MA (유형)
DSC1101DI2-025.0000 Microchip Technology DSC1101111DI2-025.0000 -
RFQ
ECAD 4474 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC2011FI2-F0064T Microchip Technology DSC2011FI2-F0064T -
RFQ
ECAD 5944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2011 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVCMOS 2.25V ~ 3.6V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC2011FI2-F0064TTR 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 11.2896MHz, 22.5792MHz 11.2896MHz, 12.285741MHz, 22.5792MHz, 24.571482MHz - -
DSA1123DL2-125.0000VAO Microchip Technology DSA1123DL2-125.0000VAO -
RFQ
ECAD 8932 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1123 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123DL2-125.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1124NI1-100.0000 Microchip Technology DSC1124NI1-100.0000 -
RFQ
ECAD 9396 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6311JL2BB-027.0000T Microchip Technology DSC6311JL2BB-027.0000T -
RFQ
ECAD 7889 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6311 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311JL2BB-027.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC6331JI3EB-025.0000T Microchip Technology DSC6331JI3EB-025.0000T -
RFQ
ECAD 1013 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI3EB-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - ± 2.00%, 00 스프레드 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고