SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1003AI1-081.3600 Microchip Technology DSC1003AI1-081.3600 -
RFQ
 ECAD 2128 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 81.36 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1003AI1-081.3600 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 16.6MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6001HE2A-024.0000T Microchip Technology DSC6001HE2A-024.0000T -
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1124CI1-156.2500TA Microchip Technology DSC1124CI1-156.2500TA 1.8000
RFQ
 ECAD 9018 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 156.25 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1221CL2-25M00000T Microchip Technology DSC1221CL2-25M00000T -
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1221 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1221CL2-25M00000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 25ppm - - 5µA
DSC1121CL2-024.7500 Microchip Technology DSC1121CL2-024.7500 -
RFQ
 ECAD 4026 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 24.75 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6013JI1A-020.0000 Microchip Technology DSC6013JI1A-020.0000 -
RFQ
 ECAD 5836 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6083JI1A-014K000 Microchip Technology DSC6083JI1A-014K000 -
RFQ
 ECAD 3610 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 14 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 140 - 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001AI5-050.0000 Microchip Technology DSC1001AI5-050.0000 -
RFQ
 ECAD 1547 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6011JI2A-080.0000T Microchip Technology DSC6011JI2A-080.0000T -
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 80MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VV-701-1063-30M7200000 Microchip Technology VV-701-1063-30M7200000 -
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VV-701 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.068 "(1.72mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 30.72 MHz CMOS - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VV-701-1063-30M7200000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
VTA1-5011-60M0000000 Microchip Technology VTA1-5011-60M0000000 -
RFQ
 ECAD 3570 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vta1 튜브 활동적인 - - 0.728 "L x 0.472"W (18.50mm x 12.00mm) 0.421 "(10.70mm) 표면 표면 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기) TCXO 60MHz 사인파를 사인파를 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VTA1-5011-60M0000000 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 20MA 결정 - - - -
DSC6001JI1A-050.0000 Microchip Technology DSC6001JI1A-050.0000 -
RFQ
 ECAD 8942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1001DI2-096.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-096.0000T -
RFQ
 ECAD 3005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 96 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 11.9ma MEMS ± 25ppm - - -
DSC6021JL1B-01HB Microchip Technology DSC6021JL1B-01HB -
RFQ
 ECAD 2495 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.8V, 2.5V, 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021JL1B-01HB 귀 99 8542.39.0001 140 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm - - - -
DSC6083JI2A-016K000T Microchip Technology DSC6083JI2A-016K000T -
RFQ
 ECAD 2242 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 16 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6101CE1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6101ce1a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC6001HI2B-004.0960 Microchip Technology DSC6001HI2B-004.0960 -
RFQ
 ECAD 1176 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 4.096 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001HI2B-004.0960 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6331JI1BB-018.4320T Microchip Technology DSC6331JI1BB-018.4320T -
RFQ
 ECAD 9914 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 18.432 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI1BB-018.4320TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
DSC2044FI2-F0012T Microchip Technology DSC2044FI2-F0012T -
RFQ
 ECAD 6355 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2044 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2044 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz - -
DSC6152JL3B-027.0000 Microchip Technology DSC6152JL3B-027.0000 -
RFQ
 ECAD 8237 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6152JL3B-027.0000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 1.5µA (()
DSC1001DI2-033.3330 Microchip Technology DSC1001DI2-033.3330 -
RFQ
 ECAD 9664 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI2-033.3330 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC2033FI2-F0060T Microchip Technology DSC2033FI2-F0060T -
RFQ
 ECAD 5257 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2033 LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FI2-F0060TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 100MHz 100MHz - -
DSC1121CE5-033.3333 Microchip Technology DSC1121CE5-033.3333 -
RFQ
 ECAD 3643 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 33.3333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC1001DI1-048.0000T Microchip Technology DSC1001DI1-048.0000T 0.9720
RFQ
 ECAD 4749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
VCC1-B1C-24M5760000TR Microchip Technology vcc1-b1c-24m5760000tr -
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-vcc1-b1c-24m5760000tr 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 100ppm - - 30µA
DSC1001DI2-008.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1101AE1-002.3000T Microchip Technology DSC1101AE1-002.3000T -
RFQ
 ECAD 6978 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1101 2.3 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1003AE5-025.0000T Microchip Technology DSC1003AE5-025.0000T -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1003 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6101CE2A-050.0000T Microchip Technology DSC6101CE2A-050.0000T -
RFQ
 ECAD 6900 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1001DI5-047.3385 Microchip Technology DSC1001DI5-047.3385 1.8600
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 47.3385 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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