SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1123BE2-200.0000T Microchip Technology DSC1123BE2-200.0000T -
RFQ
 ECAD 4892 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 200MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS - ± 25ppm - 22MA
DSC400-1111Q0085KI1T Microchip Technology DSC400-1111Q0085KI1T -
RFQ
 ECAD 7420 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 25MHz 125MHz - -
DSC8001BL5T Microchip Technology DSC8001BL5T -
RFQ
 ECAD 4147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS ± 10ppm - 15 µA 1MHz ~ 150MHz -
DSC1001CL1-001.6000 Microchip Technology DSC1001CL1-001.6000 0.9600
RFQ
 ECAD 2838 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 1.6 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1101DM2-056.2500T Microchip Technology DSC11011111DM2-056.2500T -
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 56.25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
VCC6-QAF-250M000000 Microchip Technology VCC6-QAF-250M000000 -
RFQ
 ECAD 2118 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 250MHz lvpecl 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC6-QAF-250M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 25ppm - - -
DSC6021MI2A-009V Microchip Technology DSC6021MI2A-009V -
RFQ
 ECAD 6287 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 74.1758MHz, 74.25MHz - - -
DSC6102CI1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6102ci1a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC1101CI1-120.0000T Microchip Technology DSC1101CI1-120.0000T -
RFQ
 ECAD 6007 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 120MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1123CA3-250.0000VAO Microchip Technology DSA1123CA3-250.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 250MHz LVD 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1123CA3-250.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 20ppm - - 22MA
DSA1001DL2-054.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-054.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 4988 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 54 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CI5-005.0000T Microchip Technology DSC1001CI5-005.0000T -
RFQ
 ECAD 7004 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI5-005.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC400-1111Q0091KE2T Microchip Technology DSC400-1111Q0091KE2T -
RFQ
 ECAD 1642 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12MHz 24MHz 48MHz 14.25MHz
DSC1033BI1-004.0000T Microchip Technology DSC1033BI1-004.0000T -
RFQ
 ECAD 6239 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
VXM2-1070-11M0592000 Microchip Technology VXM2-1070-11M0592000 -
RFQ
 ECAD 9994 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM2 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 11.0592 MHz 근본적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VXM2-1070-11M0592000TR 귀 99 8541.60.0050 1,000 - - ± 20ppm
DSC1001BI2-012.0000T Microchip Technology DSC1001BI2-012.0000T 0.9600
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1203DA3-333M3333T Microchip Technology DSC1203DA3-333M3333T -
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1203 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 333.3333 MHz LVD 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1203DA3-333M333333333333333333333333333333333333333ttr 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC6001MI2B-027.0000T Microchip Technology DSC6001MI2B-027.0000T -
RFQ
 ECAD 8040 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001MI2B-027.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1123AL5-148.5000T Microchip Technology DSC1123AL5-148.5000T -
RFQ
 ECAD 3590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 10ppm - - -
DSC2033FL2-E0005 Microchip Technology DSC2033FL2-E0005 -
RFQ
 ECAD 2973 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2033 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2033FL2-E0005 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 25MHz - - -
VC-708-EDE-FNXN-157M653800TR Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-157M653800TR -
RFQ
 ECAD 3695 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-708 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 157.6538 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-708-ED-FNXN-157M653800TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 48MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC1030BC1-030.0000T Microchip Technology DSC1030BC1-030.0000T -
RFQ
 ECAD 1305 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 30MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
VT-841-GFE-1060-40M0000000 Microchip Technology VT-841-GFE-1060-40M0000000 -
RFQ
 ECAD 7477 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-841 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 40MHz 사인파를 사인파를 2.8V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-841-GFE-1060-40M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - 2.5MA 결정 ± 1ppm - - -
DSC2311KI1-R0046T Microchip Technology DSC2311KI1-R0046T -
RFQ
 ECAD 1830 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 19.2MHz 19.2MHz - -
DSC1121BI2-120.0000T Microchip Technology DSC1121BI2-120.0000T 1.1900
RFQ
 ECAD 9341 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 120MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC400-3333Q0089KE1 Microchip Technology DSC400-33333Q0089KE1 -
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 148.35MHz 148.5MHz - -
DSC8001BL2T Microchip Technology DSC8001BL2T -
RFQ
 ECAD 3567 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8001 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 12.2MA MEMS ± 25ppm - 15 µA 1MHz ~ 150MHz -
DSC400-1111Q0019KI2 Microchip Technology DSC400-1111Q0019KI2 -
RFQ
 ECAD 6301 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz, 50MHz, 125MHz, 150MHz 100MHz, 156.25MHz
DSC400-3333Q0089KI2T Microchip Technology DSC400-3333Q0089KI2T -
RFQ
 ECAD 1044 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 148.35MHz 148.5MHz - -
DSC1004DI2-048.0000 Microchip Technology DSC1004DI2-048.0000 -
RFQ
 ECAD 4567 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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