RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

결정, 공진기, 발진기 (18804)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	위치 위치	내용물	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
DSC6001HA3B-Prog	0.9600	RFQ	7330	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6001						CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)					MEMS	-		-						2 kHz ~ 80 MHz	± 20ppm
DSC1001CE2-018.4320T	-	RFQ	6426	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				18.432 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma					MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC-Prog-2016	63.2000	RFQ	2	마이크로 마이크로 기술	Timeflash	대부분	활동적인								DSC 프로그램	빈 빈 (10)	소켓 소켓	발진기		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1180	1							-												-
DSC1101CI5-027.0000T	2.0500	RFQ	1887	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101				27 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		95µA					MEMS	± 10ppm	-	-	-
HT-MM900AC-7K-JE-24M0000000	-	RFQ	8473	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC-Prog-8124-2520	-	RFQ	5045	마이크로 마이크로 기술	DSC8124	상자	sic에서 중단되었습니다									-	소켓 소켓	발진기		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4754	귀 99	8541.60.0080	1					4		2.50mm x 2.00mm x 0.90mm												-
DSC6021ME2A-006K	-	RFQ	9370	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-VFLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	100	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)				MEMS	± 25ppm				11.2896MHz, 12.288MHz	-	-	-
DSC6111JI1B-010.0000	0.8640	RFQ	8702	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)					10MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111JI1B-010.0000			140	대기 (다운 전원)		3MA (유형)					MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
VT-800-EFJ-106B-20M0000000	-	RFQ	8364	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6102JI2B-025.0000T	-	RFQ	1259	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6102				25MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)					MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1001CE2-024.0000	-	RFQ	1037	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				24 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		6.3ma					MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC612NI3A-013C	-	RFQ	7925	마이크로 마이크로 기술	DSC612	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			6-VFLGA	xo (표준)							LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC612NI3A-013C	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화		6MA	0.035 "(0.89mm)				MEMS	± 20ppm			3 MA	24MHz	32.768kHz	-	-
DSC1001DI1-003.0000T	-	RFQ	4713	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				3MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma					MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001CE1-008.1920T	-	RFQ	3301	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001				8.192 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC1001CE1-008.1920TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.5MA					MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC-Prog-8001-7050	-	RFQ	7737	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	상자	sic에서 중단되었습니다									-	소켓 소켓	발진기		-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4737	귀 99	8541.60.0080	1					4		7.00mm x 5.00mm x 0.90mm												-
DSC2010FI2-A0024	-	RFQ	2761	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010						LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		35MA	0.035 "(0.90mm)				MEMS	± 25ppm			23 MA	26.973MHz, 27MHz	-	-	-
VDUNLB-45M0000000	-	RFQ	8220	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	500
DSC1001CL2-026.6600	-	RFQ	8722	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				26.66 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		6.3ma					MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
dsc6101ci1a-000.0000t	-	RFQ	5303	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)					MEMS	-		-						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC1001DL2-013.5600	1.0000	RFQ	2733	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				13.56 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		6.3ma					MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1123CI1-025.0000	-	RFQ	5273	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123				25MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		32MA					MEMS	-	± 50ppm	-	22MA
DSC8124CI2	4.5200	RFQ	674	마이크로 마이크로 기술	DSC8124	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8124						HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	42MA					MEMS	± 25ppm		-	22 MA					10MHz ~ 460 MHz	-
DSC400-3331Q0097KI2	-	RFQ	8390	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400						LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)				MEMS	± 25ppm				16MHz	50MHz	50MHz	50MHz
DSC6121CE2A-0076T	-	RFQ	4903	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)				MEMS	± 25ppm				8MHz, 16MHz	-	-	-
dsc8001dl5 프로그래밍 가능	10.3500	RFQ	7228	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)							CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4670 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	12.2MA					MEMS	-		-	15 µA					1MHz ~ 150MHz	± 10ppm
DSC6023HI2A-00AA	1.1700	RFQ	800	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)							CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)				MEMS	± 25ppm				19.44MHz, 25MHz	-	-	-
DSC-TimeFlash2-KIT1	414.1700	RFQ	8	마이크로 마이크로 기술	timeflash2	대부분	활동적인							프로그래밍 프로그래밍	DSC-TimeFlash			mems 발진기					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		3A992A	8473.30.1180	1						케이블, 소켓, 프로그래머 카드, 소프트웨어, 트위터, USB 플래시 드라이브
DSC2030FI2-B0022	-	RFQ	1157	마이크로 마이크로 기술	DSC2030	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	mems (실리콘)							LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2030FI2-B0022	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA	0.035 "(0.90mm)				MEMS	± 25ppm			23 MA	122.88MHz	156.25MHz	167.332MHz	155.52MHz
DSC1033BE1-027.0000T	-	RFQ	9291	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033				27 MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		3MA (유형)					MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1121DM2-007.3728T	-	RFQ	7395	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121				7.3728 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		35MA					MEMS	± 25ppm	-	-	22MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²