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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC1001CI3-027.0000	-	RFQ	2841	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001	27 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			10.5MA		MEMS	± 20ppm	-	-	15µA
DSC612NI3A-010TB	-	RFQ	4798	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612			LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	활성화/비활성화			6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			1.5 µA		19.2MHz	26MHz	-	-
DSC6101JE2A-000.0000	0.8700	RFQ	42	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)		MEMS	-		-							1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC1001CI2-073.7280T	-	RFQ	7169	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	73.728 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			8.7ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VC-709-ECE-KAAN-40M0000000	-	RFQ	2954	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		40MHz		lvpecl	3.3v	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250	활성화/비활성화			45MA		결정	± 50ppm	-	-	-
dsc6101je2a 프로그래밍 가능	-	RFQ	6528	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)		3MA (유형)		MEMS	-		-							1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC6011ME2A-024.0000T	-	RFQ	5410	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		24 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC8103DI2	8.2100	RFQ	7132	마이크로 마이크로 기술	DSC8103	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8103			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		32MA		MEMS	± 25ppm		-	95 µA						10MHz ~ 460 MHz	-
DSC400-0111Q0117KI1	-	RFQ	3232	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					16.64MHz	33MHz	25MHz	-
DSC6043JI3B-127K000	-	RFQ	6913	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		127 kHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6043JI3B-127K000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			1.3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	-
VC-709-121-125M000000	-	RFQ	3003	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
VCC4-B3C-33M3330000	-	RFQ	6526	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6011JI2B-020.0000	-	RFQ	9886	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		20MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6011JI2B-020.0000	귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC1018CI1-026.0000T	-	RFQ	9055	마이크로 마이크로 기술	DSC1018	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		26 MHz		CMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1001CI5-032.7680T	-	RFQ	9541	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	32.768 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.2MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1121CM1-048.0000T	1.5375	RFQ	2375	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	48MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC6021JE1B-01B4T	-	RFQ	3988	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)	DSC6021			CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6021JE1B-01B4TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 50ppm					11.2896MHz, 45.1584MHz	-	-	-
DSA2311KI3-R0067TVAO	-	RFQ	3908	마이크로 마이크로 기술	DSA2311	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSA2311			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA2311KI3-R0067TVAO	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			23MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 20ppm					25MHz	16MHz	-	-
VXA4-100-14M7456000	-	RFQ	8018	마이크로 마이크로 기술	VXA4	테이프 & tr (TR)	활동적인	40	-	-	0.427 "L x 0.177"W (10.85mm x 4.50mm)	0.138 "(3.50mm)	구멍을 구멍을	HC-49/u	MHZ 크리스탈		14.7476 MHz	근본적인			다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VXA4-100-14M7456000TR	귀 99	8541.60.0050	10			-				-				± 10ppm
DSA1103DL2-156.2500TVAO	-	RFQ	7076	마이크로 마이크로 기술	DSA1103	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)		156.25 MHz		LVD	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1103DL2-156.2500TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
VT-860-FFE-507D-26M0000000	-	RFQ	7821	마이크로 마이크로 기술	VT-860	조각	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.028 "(0.70mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	vctcxo		26 MHz		사인파를 사인파를	3V	-			영향을받지 영향을받지	150-VT-860-FFE-507D-26M0000000	귀 99	8542.39.0001	100	-			2.3ma		결정	± 500ppb	± 12ppm	-	-
DSC1121BI1-075.0000T	-	RFQ	8379	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121	75MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001CI5-014.7456T	-	RFQ	4064	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	14.7456 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	-
DSC6101JE3B-485K000T	-	RFQ	8463	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		485 kHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6101JE3B-485K000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1001DI2-128.0000T	1.2375	RFQ	6535	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	128 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			8.7ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6111CI2B-074.2500	1.0560	RFQ	7832	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		74.25 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111CI2B-074.2500			110	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
DSC400-4444Q0023KI1	-	RFQ	8698	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					100MHz	156.25MHz	-	-
DSC6021MI2A-0050	-	RFQ	8045	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-VFLGA	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	100	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm					24MHz, 27MHz	-	-	-
DSC400-2222Q0118KI2T	-	RFQ	8670	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					100MHz, 125MHz	100MHz, 125MHz	100MHz, 125MHz	100MHz, 125MHz
DSA612RI2A-01JRTVAO	-	RFQ	7884	마이크로 마이크로 기술	DSA612	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)				LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA612RI2A-01JRTVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm			3 MA		12MHz	24MHz	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²