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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	작동 작동	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	위치 위치	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
DSC1103AE1-083.3333T	-	RFQ	2185	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1103				83.3333 MHz			LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			32MA				MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC6183CE1A-380K000T	-	RFQ	9151	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					380 kHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-			3MA (유형)				MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1124BI1-100.0000T	1.7200	RFQ	8103	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1124				100MHz			HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			42MA				MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1122CE5-048.0000	-	RFQ	4018	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1122				48MHz			lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			58ma				MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
CD-700-EAT-KANA-65M5360000	-	RFQ	3889	마이크로 마이크로 기술	CD-700	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		0 ° C ~ 70 ° C		0.295 "L x 0.200"W (7.49mm x 5.08mm)			16-SMD,, 없음	VCXO								CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-CD-700-EAT-KANA-65M5360000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			63MA	0.084 "(2.13mm)			결정	± 75ppm					65.536MHz	32.768MHz	-	-
DSA1101BI2-050.0000VAO	-	RFQ	3946	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1101				50MHz			CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1101BI2-050.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)			35MA				MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC400-0303Q0092KE2	-	RFQ	3794	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400							LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm					80MHz	80MHz	-	-
DSC6101CI2A-059.1360	-	RFQ	6256	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)					59.136 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			3MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
dsc6111ci1a-000.0000	0.8500	RFQ	715	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)								CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)				MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC1123CI1-200.0000T	3.2880	RFQ	8201	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123				200MHz			LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA				MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC2211FL2-E0018T	-	RFQ	3221	마이크로 마이크로 기술	DSC2211	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2211							LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA		25MHz, 27MHz	24MHz, 125MHz
VT-706-EAJ-507B-10M0000000	-	RFQ	9465	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC2010FE2-B0003	-	RFQ	5068	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010							LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			35MA	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA		125MHz, 155.52MHz	-	-	-
DSC1001BL5-012.0000T	2.1600	RFQ	5862	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				12MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma				MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC400-4334Q0023KE2	-	RFQ	8387	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400							HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm					100MHz	156.25MHz	-	-
VV-701-EAE-SNAB-25M0000000TR	-	RFQ	8274	마이크로 마이크로 기술	VV-701	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.068 "(1.72mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO					25MHz			CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VV-701-EAE-SNAB-25M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			9MA				결정	-	± 100ppm	-	-
DSC6011HI2A-000.0000T	-	RFQ	8293	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)								CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		1.3MA (유형)				MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC6023MI2A-00ADT	-	RFQ	5885	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			4-VFLGA	xo (표준)								CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm					6.1298MHz, 6.1679MHz	-	-	-
DSC2311KI2-R0001	-	RFQ	1904	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311							CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm			23 MA		127MHz	127MHz	-	-
VXM7-1330-25M0000000	-	RFQ	1567	마이크로 마이크로 기술	vxm7	테이프 & tr (TR)	활동적인	60 옴	-	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈					25MHz	근본적인				다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VXM7-1330-25M0000000TR	귀 99	8541.60.0060	1,000			-						-				± 20ppm
DSC1103CL1-020.0000	-	RFQ	7060	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103				20MHz			LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			32MA				MEMS	-	± 50ppm	-	95µA
DSC-Prog-8102-2520	-	RFQ	8469	마이크로 마이크로 기술	DSC8102	상자	sic에서 중단되었습니다										-	소켓 소켓	발진기			-			다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8473.30.1180	1						6	2.50mm x 2.00mm x 0.90mm													-
DSC1001DI5-032.2500T	-	RFQ	7746	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				32.25 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.2MA				MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC612NA2A-010JT	-	RFQ	1439	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612							LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			6MA	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm			1.5 µA		24MHz	32.768kHz	-	-
DSC1121CI5-066.0000	-	RFQ	6213	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1121				66MHz			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			35MA				MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC6021JI2B-01VET	-	RFQ	5134	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)								CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6021JI2B-01VETTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 25ppm					21MHz, 47MHz	-	-	-
DSC8121BI5 프로그래밍 가능	-	RFQ	6774	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)								CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4715 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)		35MA				MEMS	-		-	22 MA						10MHz ~ 170MHz	± 10ppm
DSC6013HI2A-000.0000T	-	RFQ	5649	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)								CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		1.3MA (유형)				MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC2022FE2-F0034T	-	RFQ	4464	마이크로 마이크로 기술	DSC2022	테이프 & tr (TR)	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2022							lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			23MA	0.037 "(0.95mm)			MEMS	± 25ppm					147.25MHz, 147.75MHz, 148MHz, 148.25MHz, 148.5MHz, 148.75MHz, 149MHz, 149.75MHz	147.25MHz, 147.75MHz, 148MHz, 148.25MHz, 148.5MHz, 148.75MHz, 149MHz, 149.75MHz	-	-
DSC1123AI5-185.6250T	-	RFQ	7098	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1123				185.625 MHz			LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA				MEMS	± 10ppm	-	-	22MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²