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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC1018CE2-040.0000T	-	RFQ	3784	마이크로 마이크로 기술	DSC1018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1018	40MHz		CMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			4MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC400-1111Q0025KE1T	-	RFQ	8074	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					125MHz	25MHz	24MHz	25MHz
DSC1122CI2-065.0000T	-	RFQ	1218	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1122	65MHz		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			58ma		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
DSC1121AI2-165.0000T	-	RFQ	2071	마이크로 마이크로 기술	DSC1121	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1121	165 MHz		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	22MA
dsc6013ji1a 프로그램 가능	-	RFQ	2273	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)		1.3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC1033CI1-080.0000T	-	RFQ	1064	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		80MHz		CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			5MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC1100DL5-Prog	2.7840	RFQ	6035	마이크로 마이크로 기술	DSC1100	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1100			-	-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1100DL5-Prog	귀 99	8542.39.0001	140	-	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		-		MEMS	± 10ppm		-								-
DSC400-3333Q0078KI2	-	RFQ	6211	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					125MHz	125MHz	125MHz	125MHz
VXM9-9014-64M0000000TR	0.8750	RFQ	4291	마이크로 마이크로 기술	VXM9	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈	VXM9-9014	64 MHz	근본적인			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-VXM9-9014-64M0000000TR	귀 99	8541.60.0060	3,000			-				-				± 20ppm
DSC400-0202Q0106KE2	-	RFQ	3603	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					153.6MHz	155.46875MHz	-	-
DSC1522ML2A-52M08333T	-	RFQ	1750	마이크로 마이크로 기술	DSC152X	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)		52.08333 MHz		LVCMOS	2.5V, 3.3V	다운로드	Rohs3 준수						1,000	활성화/비활성화			7.5MA		MEMS	± 25ppm	-	-	7.8ma
DSC2311KI1-R0046T	-	RFQ	1830	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA		19.2MHz	19.2MHz	-	-
VC-801-EA7-KAAN-40M0000000TR	-	RFQ	8341	마이크로 마이크로 기술	VC-801	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		40MHz		CMOS	3.3v	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VC-801-EA7-KAAN-40M0000000TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	활성화/비활성화			20MA		결정	± 50ppm	-	-	30µA
DSC1211DE1-C0023T	-	RFQ	3781	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)				CMOS	2.5V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1211DE1-C0023TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			27MA (타이핑)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					-	-	-	-
DSC1103AE1-083.3333T	-	RFQ	2185	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1103	83.3333 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			32MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC6183CE1A-380K000T	-	RFQ	9151	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		380 kHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1124BI1-100.0000T	1.7200	RFQ	8103	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1124	100MHz		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			42MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1122CE5-048.0000	-	RFQ	4018	마이크로 마이크로 기술	DSC1122	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1122	48MHz		lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			58ma		MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
CD-700-EAT-KANA-65M5360000	-	RFQ	3889	마이크로 마이크로 기술	CD-700	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	0 ° C ~ 70 ° C		0.295 "L x 0.200"W (7.49mm x 5.08mm)			16-SMD,, 없음	VCXO				CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-CD-700-EAT-KANA-65M5360000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			63MA	0.084 "(2.13mm)	결정	± 75ppm					65.536MHz	32.768MHz	-	-
DSA1101BI2-050.0000VAO	-	RFQ	3946	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSA1101	50MHz		CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA1101BI2-050.0000VAO	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)			35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC400-0303Q0092KE2	-	RFQ	3794	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					80MHz	80MHz	-	-
DSC6101CI2A-059.1360	-	RFQ	6256	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		59.136 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
dsc6111ci1a-000.0000	0.8500	RFQ	715	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 100MHz	± 50ppm
DSC1123CI1-200.0000T	3.2880	RFQ	8201	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	200MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC2211FL2-E0018T	-	RFQ	3221	마이크로 마이크로 기술	DSC2211	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2211			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		25MHz, 27MHz	24MHz, 125MHz
VT-706-EAJ-507B-10M0000000	-	RFQ	9465	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC2010FE2-B0003	-	RFQ	5068	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			35MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm			23 MA		125MHz, 155.52MHz	-	-	-
DSC1001BL5-012.0000T	2.1600	RFQ	5862	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	12MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC400-4334Q0023KE2	-	RFQ	8387	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					100MHz	156.25MHz	-	-
VV-701-EAE-SNAB-25M0000000TR	-	RFQ	8274	마이크로 마이크로 기술	VV-701	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.068 "(1.72mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		25MHz		CMOS	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VV-701-EAE-SNAB-25M0000000TR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			9MA		결정	-	± 100ppm	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²