SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1221CI3-148M5000T Microchip Technology DSC1221CI3-148M5000T -
RFQ
 ECAD 8856 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 148.5 MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1221CI3-148M5000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 27MA (타이핑) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC6102HL2B-072.5000T Microchip Technology DSC6102HL2B-072.5000T -
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6102 72.5 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6102HL2B-072.5000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1121DL1-040.0000T Microchip Technology DSC1121DL1-040.0000T -
RFQ
 ECAD 3423 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - -
VX-705-EAE-PEAN-100M000000 Microchip Technology VX-705-EAE-PEAN-100M000000 -
RFQ
 ECAD 2219 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSC1001AL5-016.7772 Microchip Technology DSC1001AL5-016.7772 -
RFQ
 ECAD 8422 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 16.7772 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - -
DSC1101AI5-048.0000 Microchip Technology DSC1101AI5-048.0000 -
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1101 48MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 95µA MEMS ± 10ppm - - -
DSC6011HI2B-027.0000 Microchip Technology DSC6011HI2B-027.0000 -
RFQ
 ECAD 7020 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 27 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HI2B-027.0000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
VXM2-9002-150M000000 Microchip Technology VXM2-9002-150M000000 -
RFQ
 ECAD 1200 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM2 조각 활동적인 80 옴 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 150MHz 세 세 오버 번째 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 100 - - ± 20ppm
DSC1123AI2-156.2539 Microchip Technology DSC1123AI2-156.2539 -
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 156.2539 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6003MI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6003MI2A-000.0000T -
RFQ
 ECAD 1629 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
VCC6-120-19M4400000 Microchip Technology VCC6-120-19M4400000 -
RFQ
 ECAD 8901 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1033DI1-044.0000T Microchip Technology DSC103333DI1-044.0000T -
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 44 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1121NI2-018.4320T Microchip Technology DSC1121NI2-018.4320T -
RFQ
 ECAD 9362 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 18.432 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1001DI5-040.0000T Microchip Technology DSC1001DI5-040.0000T -
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 40MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001DL1-010.0000T Microchip Technology DSC1001DL1-010.0000T -
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 10MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
HT-MM900AC-6K-EE-100M000000 Microchip Technology HT-MM900AC-6K-EE-100M000000 -
RFQ
 ECAD 4439 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 HT-MM900A 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AC-6K-EE-100M00TTR 귀 99 8541.60.0080 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC400-0103Q0102KE2T Microchip Technology DSC400-0103Q0102KE2T -
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 148.5MHz 14.7456MHz - -
DSC1001BI5-084.0000 Microchip Technology DSC1001BI5-084.0000 -
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 84 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1101BI3-025.0000T Microchip Technology DSC1101BI3-025.0000T -
RFQ
 ECAD 5483 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 20ppm - 95µA
DSC1001CL5-027.0000B Microchip Technology DSC1001CL5-027.0000B -
RFQ
 ECAD 2956 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6111JI1B-025.0000 Microchip Technology DSC6111JI1B-025.0000 -
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6111 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1211DE1-C0023 Microchip Technology DSC1211DE1-C0023 -
RFQ
 ECAD 3336 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) CMOS 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1211DE1-C0023 귀 99 8542.39.0001 140 - 27MA (타이핑) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm - - - -
DSC1001DE2-001.0000T Microchip Technology DSC1001DE2-001.0000T -
RFQ
 ECAD 8260 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 1MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS - ± 25ppm - 15µA
DSC6001HI2A-016.0000 Microchip Technology DSC6001HI2A-016.0000 -
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6183HI2A-002K000 Microchip Technology DSC6183HI2A-002K000 -
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6003JL3B-004.0960T Microchip Technology DSC6003JL3B-004.0960T -
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 4.096 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JL3B-004.0960T 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC2010FE2-B0007 Microchip Technology DSC2010FE2-B0007 -
RFQ
 ECAD 6259 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2010 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2010 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 22.768MHz, 24.576MHz - - -
DSA6331MA1AB-025.0000TVAO Microchip Technology DSA6331MA1AB-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 8341 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSA6331 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331MA1AB-025.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSA1001DL2-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL2-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2609 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VTC4-B02E-20M0000000 Microchip Technology VTC4-B02E-20M0000000 -
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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