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결정, 공진기, 발진기 (18804)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	내용물	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC400-4334Q0022KE1T	-	RFQ	8167	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm				125MHz	100MHz	100MHz	125MHz
DSC6021CI2A-003W	-	RFQ	6444	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)			귀 99	8542.39.0001	110	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				4MHz, 24MHz	-	-	-
DSC6001HA3B-Prog	0.9600	RFQ	7330	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6001			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	1.3MA (유형)			MEMS	-		-						2 kHz ~ 80 MHz	± 20ppm
DSC1001CE2-018.4320T	-	RFQ	6426	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001		18.432 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC2311KE1-R0002T	-	RFQ	4423	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm			23 MA	25MHz	125MHz	-	-
dsc6101ce2a 프로그램 가능	-	RFQ	7175	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)			MEMS	-		-						1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
dsc-prog-timeflash	-	RFQ	4194	마이크로 마이크로 기술	DSC	상자	sic에서 중단되었습니다							프로그래밍 프로그래밍		Puresilicon ™ mems 발진기				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4821	귀 99	8473.30.1180	1					"
DSC6121HI2A-00AP	1.1700	RFQ	800	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 25ppm				19.44MHz, 25MHz	-	-	-
DSC1004DI2-048.0000	-	RFQ	4567	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1004		48MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		8ma			MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA1101DA1-008.0000TVAO	-	RFQ	5240	마이크로 마이크로 기술	DSA1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)			8 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1101DA1-008.00000000TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		35MA			MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC6021JL1B-01HB	-	RFQ	2495	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)				CMOS	1.8V, 2.5V, 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6021JL1B-01HB	귀 99	8542.39.0001	140	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 50ppm				-	-	-	-
DSC400-1111Q0019KI2	-	RFQ	6301	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				25MHz, 50MHz, 125MHz, 150MHz	100MHz, 156.25MHz
DSC2210FM2-A0030	-	RFQ	2431	마이크로 마이크로 기술	DSC2210	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)				LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC2210FM2-A0030	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		35MA	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	50MHz	25MHz	-	-
DSC1001DL5-047.0016T	-	RFQ	1813	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSC1001		47.0016 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		10.5MA			MEMS	-	± 10ppm	-	15µA
DSC-Prog-TimeFlash-3225	-	RFQ	9678	마이크로 마이크로 기술	Timeflash	상자	sic에서 중단되었습니다							플래시		Puresilicon ™ mems 발진기				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4823	귀 99	8473.30.1180	1					케이블, 플래시, 문서 드라이브, 프로그래머, 소프트웨어, 핀셋, 핀셋
VC-709-119-40M0000000	-	RFQ	2726	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC2010FE2-B0008	-	RFQ	6351	마이크로 마이크로 기술	DSC2010	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2010			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		35MA	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm			23 MA	66.6666MHz, 83.333MHz, 100MHz	-	-	-
DSC1001CI2-013.0000T	-	RFQ	3594	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001		13MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VCB2-B3D-50M0000000	-	RFQ	1919	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인													다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC400-4444Q0023KE1T	-	RFQ	7846	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm				100MHz	156.25MHz	156.25MHz	100MHz
DSA2043FI1-F0014VAO	-	RFQ	8951	마이크로 마이크로 기술	DSA20XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	mems (실리콘)				HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA2043FI1-F0014VAO	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		49ma (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm			23 MA	100MHz	100MHz	-	-
DSC8001BL2T	-	RFQ	3567	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	12.2MA			MEMS	± 25ppm		-	15 µA					1MHz ~ 150MHz	-
DSC612RI3A-010JT	-	RFQ	9670	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612			LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6MA	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 20ppm			1.5 µA	24MHz	32.768kHz	-	-
DSC400-0111Q0029KE2	-	RFQ	9382	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				12.288MHz	11.2896MHz	11.2896MHz	-
DSC400-3333Q0089KI2T	-	RFQ	1044	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 25ppm				148.35MHz	148.5MHz	-	-
DSC1001DI2-108.0000T	-	RFQ	4004	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001		108 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		8.7ma			MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA613RA2A-01W8VAO	-	RFQ	1106	마이크로 마이크로 기술	DSA613	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	mems (실리콘)				LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA613RA2A-01W8VAO	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		6.5MA	0.035 "(0.89mm)		MEMS	± 25ppm			3 MA	24MHz, 25MHz	27MHz	25MHz	-
DSC400-1444Q0052KE1	-	RFQ	8965	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			HCSL, LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm				100MHz, 125MHz	100MHz, 125MHz	100MHz, 125MHz	25MHz, 125MHz
DSC1001DE2-025.0000T	-	RFQ	1802	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001		25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma			MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6021CE1A-00JA	-	RFQ	5138	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)		150-DSC6021CE1A-00JA	귀 99	8542.39.0001	110	-		1.3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)		MEMS	± 50ppm				14.3182MHz, 17.7345MHz	-	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²