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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSC1001CE1-008.1920 | - |  | 2865 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 8.192 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CE1-008.1920 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
 | vxa4-1kj-18-3m57954500tr | - | | 7422 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXA4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 옴 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.427 "L x 0.177"W (10.85mm x 4.50mm) | 0.138 "(3.50mm) | 구멍을 구멍을 | HC-49/US | MHZ 크리스탈 | 3.579545 MHz | 근본적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-vxa4-1kj-18-3m57954500tr | 귀 99 | 8541.60.0030 | 1,000 | 18pf | ± 50ppm | ± 10ppm | |||||||||||||||||||
 | DSC1001CL2-050.0000T | - | | 6720 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 50MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
 | DSC1124DI2-100.0050 | - | | 8890 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1124 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1124 | 100.005 MHz | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 42MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | ||||||||||||||
| DSC1224NI3-156M2500T | - | | 3021 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1224 | 156.25 MHz | HCSL | 2.25V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1224NI3-156M2500TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 40ma (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | |||||||||||||
 | DSA2311KI2-R0002VAO | - | | 4213 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA2311 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | mems (실리콘) | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA2311KI2-R0002VAO | 140 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 25MHz | 125MHz | - | - | |||||||||||||||||||
 | DSC1001AI2-075.0000T | - | | 5542 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 75MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.7ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
 | DSC6003HI3B-027.0000T | - | | 8018 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6003 | 27 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | - | ± 20ppm | - | - | ||||||||||||||
| DSC6013JI1B-032K768T | - | | 4783 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6013 | 32.768 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6013JI1B-032K768TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||||||
 | DSC400-3333Q0001KI2 | - | | 5035 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 25MHz, 50MHz, 125MHz, 150MHz | 100MHz, 156.25MHz | ||||||||||||||||||
| DSC400-0303Q0092KE1 | - | | 8153 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 80MHz | 80MHz | - | - | |||||||||||||||||
| DSA613RL3A-01W4VAO | - | | 1038 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA613 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-VFLGA | mems (실리콘) | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA613RL3A-01W4VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 6.5MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 3 MA | 24MHz, 25MHz | 27MHz | 8MHz | - | ||||||||||||||||
 | DSC400-1311Q0076KE1 | - | | 8294 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | LVCMOS, LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 24MHz | 25MHz | 200MHz | 150MHz | |||||||||||||||||
 | DSC1004DI5-025.0000 | - | | 1720 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1004 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1004 | 25MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
| DSC1001CL5-027.0000B | - | | 2956 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 27 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
| DSC6111JI2A-050.0000T | - | | 2745 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) | |||||||||||||||||
| DSC1033CC2-125.0000 | - | | 1270 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1033, Puresilicon ™ | 튜브 | 활동적인 | 0 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1033 | 125MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 10MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1µA | ||||||||||||||
 | VC-820-EAE-EAAN-114M285000T | - | | 6537 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 114.285 MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-EAE-AEA-114M285000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 40ma | 결정 | ± 20ppm | - | - | 5µA | ||||||||||||||||
 | DSC6001CE2A-000.0000T | - | | 8658 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | - | 12 µA | 1MHz ~ 80MHz | ± 25ppm | ||||||||||||||
| DSC1001CI2-073.7280T | - | | 7169 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 73.728 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.7ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
| DSC1001CI3-027.0000 | - | | 2841 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1001 | 27 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | |||||||||||||||
| DSC400-1444Q0052KE1 | - | | 8965 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | HCSL, LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 25MHz, 125MHz | ||||||||||||||||
 | dsc6111mi1a 프로그램 가능 | - | | 5328 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XX | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 | sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) | 3MA (유형) | MEMS | - | - | 12 µA | 1MHz ~ 100MHz | ± 50ppm | ||||||||||||||
| DSC1001DL1-001.8432T | - | | 4105 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 1.8432 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
| DSC1001DL1-040.0000 | - | | 3038 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 40MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 7.2MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
| VCC6-LAF-122M880000 | - | | 5094 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSC612RL2A-0137T | - | | 1366 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC612 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | DSC612 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 1.5 µA | 26.973MHz | 27MHz | - | - | |||||||||||||||
 | DSC8001BL2T | - | | 3567 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC8001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC8001 | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 12.2MA | MEMS | ± 25ppm | - | 15 µA | 1MHz ~ 150MHz | - | |||||||||||||
| DSC6013JI1B-300K000 | - | | 5065 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6013 | 300 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6013JI1B-300K000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||||||
| DSC612PI2A-01PBT | - | | 9944 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC612 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 6-VFLGA | xo (표준) | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC612PI2A-01PBTTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 25ppm | 3 MA | 19.2MHz | 32.768kHz | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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