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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	esr (시리즈 동등한 저항 저항)	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	작동 작동	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
VXM1-9003-12M0000000TR	0.7400	RFQ	965	마이크로 마이크로 기술	VXM1	테이프 & tr (TR)	활동적인	100 옴	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	2-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈	VXM1-9003	12MHz	근본적인			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0050	1,000			-				-				± 20ppm
DSC1124DE1-125.0000	-	RFQ	2812	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1124	125MHz		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화			42MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC1001DI1-019.2000	-	RFQ	8412	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	19.2 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			6.3ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC400-1111Q0085KI1	-	RFQ	7113	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					25MHz	25MHz	25MHz	125MHz
DSA1001CL2-033.3333VAO	-	RFQ	6480	마이크로 마이크로 기술	DSA1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)	DSA1001	33.3333 MHz		CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA1001CL2-033.3333VAO	귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			8ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC1001AI2-080.0000T	-	RFQ	9671	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	80MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			8.7ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
VCC1-B3F-30M0000000	-	RFQ	9432	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001DL5-125.0000	3.0000	RFQ	8372	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	125MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			8.7ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
VCC1-B3G-44M7360000	-	RFQ	1995	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
VC-709-0038-125M000000	-	RFQ	2535	마이크로 마이크로 기술	VC-709	테이프 & tr (TR)	활동적인		-	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz		-	-	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-VC-709-0038-125M000000TR	귀 99	8542.39.0001	1	-			-		결정	-	-	-	-
VC-706-EDW-KAAN-156M250000	-	RFQ	8443	마이크로 마이크로 기술	VC-706	조각	활동적인		-10 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.063 "(1.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		156.25 MHz		LVD	3.3v	-			영향을받지 영향을받지	150-VC-706-EDW-KAAN-156M250000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			60ma		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC6021HE1A-00D7	-	RFQ	1611	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는		-20 ° C ~ 70 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)				CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	100	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 50ppm					2.048MHz, 4.096MHz	-	-	-
DSC6011MI2A-048.0000	-	RFQ	1136	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	가방	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		48MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC8121CM5	-	RFQ	4663	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)				CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		35MA		MEMS	± 10ppm		-	22 MA						10MHz ~ 170MHz	-
DSC400-3111Q0088KI1T	-	RFQ	9890	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400			LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					148.25MHz	12MHz, 24MHz	25MHz, 100MHz	148.25MHz
VXM2-1GE-18-14M7456000	-	RFQ	9539	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인														다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0060	1,000
DSC6101MA3B-027.0000	1.5000	RFQ	9519	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	가방	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6101	27 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			3MA (유형)		MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC6001CI2A-058.9824	-	RFQ	2699	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		58.9824 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)		150-DSC6001CI2A-058.9824	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1103CE1-233.3000	-	RFQ	8903	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인		-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1103	233.3 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			32MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC1101BM2 프로그램	2.3200	RFQ	32	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1101BM2 프로그램	귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		35MA		MEMS	± 25ppm		-							3.3 MHz ~ 170 MHz	-
VCC6-VCP-125M000000	-	RFQ	6460	마이크로 마이크로 기술	VCC6	조각	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.063 "(1.60mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		125MHz		LVD	2.5V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VCC6-VCP-125M000000	귀 99	8542.39.0001	100	활성화/비활성화			60ma		결정	± 100ppm	-	-	-
DSA2311KA2-R0011TVAO	-	RFQ	1781	마이크로 마이크로 기술	DSA2311	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSA2311			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA2311KA2-R0011TVAO	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			23MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm					50MHz	50MHz	-	-
DSA2311KL1-R0015TVAO	-	RFQ	1700	마이크로 마이크로 기술	DSA2311	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSA2311			LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSA2311KL1-R0015TVAO	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			23MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm					24MHz	25MHz	-	-
DSC1223CA2-156M2500	-	RFQ	2844	마이크로 마이크로 기술	DSC12X3	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1223	156.25 MHz		LVD	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1223CA2-156M2500	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			32MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	23MA (유형)
DSC6311JI2JA-027.0000	-	RFQ	6512	마이크로 마이크로 기술	DSC63XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz		LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	80µA (타이핑)
DSC6111CI1B-100.0000T	1.0080	RFQ	3329	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		100MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드				150-DSC6111CI1B-100.0000TTR			1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1.5µA (()
DSC2011FM1-E0005	-	RFQ	6503	마이크로 마이크로 기술	DSC2011	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2011			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA		25MHz	25MHz	-	-
DSC6011JI2A-012.2880	-	RFQ	4311	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		12.288 MHz		CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC1004AI1-007.3728T	-	RFQ	7625	마이크로 마이크로 기술	DSC1004	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn d 패드	xo (표준)	DSC1004	7.3728 MHz		CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			8ma		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC2311KM1-R0002T	-	RFQ	5974	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA		25MHz	125MHz	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²