SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC6003CI2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6003ci2a 프로그래밍 가능 -
RFQ
ECAD 6990 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC6001HE1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6001he1a 프로그램 가능 -
RFQ
ECAD 9857 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC2030FI2-C0006T Microchip Technology DSC2030FI2-C0006T -
RFQ
ECAD 7069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2030 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2030 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 150MHz, 200MHz - - -
DSC400-0303Q0092KE1T Microchip Technology DSC400-0303Q0092KE1T -
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 80MHz 80MHz - -
DSC400-1111Q0091KE2 Microchip Technology DSC400-1111Q0091KE2 -
RFQ
ECAD 7954 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12MHz 24MHz 48MHz 14.25MHz
DSC2133FI2-E0027T Microchip Technology DSC2133FI2-E0027T -
RFQ
ECAD 4888 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2133 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC2133FI2-E0027TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 156.25MHz 148.5MHz 125MHz 74.25MHz
DSC2041FE1-K0003 Microchip Technology DSC2041FE1-K0003 -
RFQ
ECAD 5276 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2041 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2041 HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 49ma (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 100MHz 25MHz - -
DSC1124CI1-156.2500TA Microchip Technology DSC1124CI1-156.2500TA 1.8000
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 156.25 MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1001CL5-027.0000 Microchip Technology DSC1001CL5-027.0000 2.0400
RFQ
ECAD 3678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC400-3333Q0093KI2 Microchip Technology DSC400-3333Q0093KI2 -
RFQ
ECAD 2505 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 80MHz 80MHz 80MHz 80MHz
DSC6021CI2A-009VT Microchip Technology DSC6021CI2A-009VT 0.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 4-vdfn xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 74.1758MHz, 74.25MHz - - -
DSC6001MI2A-054.0000T Microchip Technology DSC6001MI2A-054.0000T -
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 54 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001CL1-018.4320 Microchip Technology DSC1001CL1-018.4320 -
RFQ
ECAD 7214 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 18.432 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL1-018.4320 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
MX575ABC70M0000 Microchip Technology MX575ABC70M0000 -
RFQ
ECAD 8463 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) MX575ABC70M0000 70MHz LVCMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC1003DL3-020.0000T Microchip Technology DSC1003DL3-020.0000T -
RFQ
ECAD 9405 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1003DL3-020.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1004DC1-050.0000T Microchip Technology DSC1004DC1-050.0000T 0.8400
RFQ
ECAD 3237 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 50MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001CI2-003.6864T Microchip Technology DSC1001CI2-003.6864T -
RFQ
ECAD 8405 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 3.6864 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC2311KI1-R0054 Microchip Technology DSC2311KI1-R0054 -
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 6.78MHz 6.78MHz - -
DSC1004CL2-003.2768T Microchip Technology DSC1004CL2-003.2768T -
RFQ
ECAD 4240 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1004 3.2768 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS - ± 25ppm - 15µA
DSC1102CI1-125.0000 Microchip Technology DSC1102CI1-125.0000 -
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 125MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1001AE1-026.5939T Microchip Technology DSC1001A1-026.5939T -
RFQ
ECAD 4423 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 26.5939 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001A1-026.5939TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC2040FI2-D0002 Microchip Technology DSC2040FI2-D0002 -
RFQ
ECAD 6207 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2040 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2040 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 42MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 410MHz, 417.5MHz, 419.5MHz, 420MHz - - -
DSC1123CI5-233.2090 Microchip Technology DSC1123CI5-233.2090 5.6300
RFQ
ECAD 9828 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 233.209 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1124CL2-200.0000 Microchip Technology DSC1124CL2-200.0000 -
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 200MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC6013JI1A-020.0000 Microchip Technology DSC6013JI1A-020.0000 -
RFQ
ECAD 5836 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6021HA3B-01D0 Microchip Technology DSC6021HA3B-01D0 -
RFQ
ECAD 7612 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) DSC6021 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021HA3B-01D0 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 8MHz, 10MHz - - -
DSC6102JI2B-027.0000 Microchip Technology DSC6102JI2B-027.0000 -
RFQ
ECAD 2425 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6102 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC400-1111Q0001KI2 Microchip Technology DSC400-1111Q0001KI2 -
RFQ
ECAD 8226 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
DSC2311KI1-R0015 Microchip Technology DSC2311KI1-R0015 -
RFQ
ECAD 7949 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 24MHz 25MHz - -
DSC400-3333Q0041KI2 Microchip Technology DSC400-3333Q0041KI2 -
RFQ
ECAD 5837 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 50MHz, 200MHz 100MHz 100MHz 100MHz, 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고