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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1102AI5-400.0000 Microchip Technology DSC1102AI5-400.0000 -
RFQ
ECAD 2815 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1102 400MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1102AI5-400.0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 10ppm - - 95µA
VC-801-1062-107M520000 Microchip Technology VC-801-1062-107M520000 -
RFQ
ECAD 5707 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 조각 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 107.52 MHz CMOS 1.8V ~ 5V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-1062-107M520000 귀 99 8541.60.0080 100 활성화/비활성화 40ma 결정 - - - 30µA
VC-709-ECE-FAAN-100M000000 Microchip Technology VC-709-ECE-FAAN-100M000000 -
RFQ
ECAD 9410 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-709 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 45MA 결정 ± 25ppm - - -
DSA6101ML2B-026.0000TVAO Microchip Technology DSA6101ML2B-026.0000TVAO -
RFQ
ECAD 1554 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 26 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101ML2B-026.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC400-1111Q0019KI2T Microchip Technology DSC400-1111Q0019KI2T -
RFQ
ECAD 8700 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz, 50MHz, 125MHz, 150MHz 100MHz, 156.25MHz
DSC6021CE2A-0063T Microchip Technology DSC6021CE2A-0063T -
RFQ
ECAD 1266 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 4-vdfn xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 10MHz, 50MHz - - -
DSC400-3333Q0094KI1 Microchip Technology DSC400-3333Q0094KI1 -
RFQ
ECAD 7776 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 125MHz 100MHz 100MHz 50MHz
DSC1121BI1-062.5000 Microchip Technology DSC1121BI1-062.5000 -
RFQ
ECAD 8348 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 62.5 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC2123FI2-E0024 Microchip Technology DSC2123FI2-E0024 -
RFQ
ECAD 6360 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2123 LVDS, LVPECL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 76MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 148.5MHz 148.5MHz - -
DSC6013HI2A-000.0000T Microchip Technology DSC6013HI2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 5649 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
HT-MM900AE-4K-EE-4M80000000_SNPB Microchip Technology HT-MM900AE-4K-EE-4M80000000_SNPB -
RFQ
ECAD 1739 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
DSC1121CL5-024.0000 Microchip Technology DSC1121CL5-024.0000 -
RFQ
ECAD 8716 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA2311KA1-R0075TVAO Microchip Technology DSA2311KA1-R0075TVAO -
RFQ
ECAD 2304 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA1-R0075TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 20MHz 15MHz - -
DSA1001DL3-024.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-024.0000TVAO -
RFQ
ECAD 5878 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 24 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
VTA1-5011-60M0000000 Microchip Technology VTA1-5011-60M0000000 -
RFQ
ECAD 3570 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vta1 튜브 활동적인 - - 0.728 "L x 0.472"W (18.50mm x 12.00mm) 0.421 "(10.70mm) 표면 표면 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기) TCXO 60MHz 사인파를 사인파를 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VTA1-5011-60M0000000 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 20MA 결정 - - - -
DSC1122CE1-125.0000 Microchip Technology DSC1122CE1-125.0000 2.9000
RFQ
ECAD 330 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 125MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4624 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC6011CI1A-000.0000T Microchip Technology dsc6011ci1a-000.0000t -
RFQ
ECAD 6136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
VC-801-1045-1M00000000 Microchip Technology VC-801-1045-1M00000000 -
RFQ
ECAD 5232 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1MHz CMOS - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-1045-1M00000000tr 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - 30µA
DSC8002CI1T Microchip Technology DSC8002CI1T -
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8002 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 10MA MEMS ± 50ppm - 1MHz ~ 150MHz -
DSC400-4111Q0112KE1 Microchip Technology DSC400-4111Q0112KE1 -
RFQ
ECAD 9344 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 25MHz 25MHz 25MHz 100MHz, 156.25MHz
DSC6001JI1A-016.0000T Microchip Technology DSC6001JI1A-016.0000T -
RFQ
ECAD 2700 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1103CI3-125.0000 Microchip Technology DSC1103CI3-125.0000 -
RFQ
ECAD 8881 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 32MA MEMS - - - 95µA
DSC1001DL1-027.0000T Microchip Technology DSC1001DL1-027.0000T -
RFQ
ECAD 3443 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 27 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001AI5-144.0000 Microchip Technology DSC1001AI5-144.0000 -
RFQ
ECAD 9040 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 144 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC1001BI2-030.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-030.0000 0.9600
RFQ
ECAD 7624 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1105DA1-022.5792VAO Microchip Technology DSA1105DA1-022.5792VAO -
RFQ
ECAD 4072 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1105 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1105 22.5792 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1105DA1-022.5792VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
VXE4-3DE-00-100M000000 Microchip Technology VXE4-3DE-00-100M000000 -
RFQ
ECAD 5746 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 1,000
DSC2311KM2-R0002 Microchip Technology DSC2311KM2-R0002 -
RFQ
ECAD 5176 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 25MHz 125MHz - -
DSC400-2222Q0022KI1T Microchip Technology DSC400-2222Q0022KI1T -
RFQ
ECAD 2327 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 125MHz 100MHz 100MHz 125MHz
DSC8123DI5 Microchip Technology DSC8123DI5 -
RFQ
ECAD 7612 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8123 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 32MA MEMS - - 10MHz ~ 460 MHz ± 10ppm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고