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| HT-MM900AE-4K-EE-4M80000000_SNPB | - | | 1739 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSC1121CL5-024.0000 | - | | 8716 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1121 | 24 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | ||||||||||||||
| DSA2311KA1-R0075TVAO | - | | 2304 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA2311 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | xo (표준) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA2311KA1-R0075TVAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 23MA | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 50ppm | 20MHz | 15MHz | - | - | |||||||||||||||
 | DSA1001DL3-024.0000TVAO | - | | 5878 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSA1001 | 24 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||||
| VTA1-5011-60M0000000 | - | | 3570 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vta1 | 튜브 | 활동적인 | - | - | 0.728 "L x 0.472"W (18.50mm x 12.00mm) | 0.421 "(10.70mm) | 표면 표면 | 14 개의, 4 4 리드 (전체 크기) | TCXO | 60MHz | 사인파를 사인파를 | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VTA1-5011-60M0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | - | - | - | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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