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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC2311KI1-R0051T	-	RFQ	1423	마이크로 마이크로 기술	DSC2311	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSC2311		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	26MHz	26MHz	-	-
DSC400-4444Q0023KE2T	-	RFQ	1751	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				100MHz	156.25MHz	-	-
DSC1001AI1-033.3330T	-	RFQ	2561	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	33.333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1001DL1-033.3333	0.9300	RFQ	3390	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33.3333 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		7.2MA		MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
dsc6112ji2a 프로그래밍 가능	-	RFQ	6673	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
VMK3-1001-32K7680000	-	RFQ	5974	마이크로 마이크로 기술	VMK3	조각	sic에서 중단되었습니다	-	-	-	-	-	-	-	VMK3	32.768 kHz	-	-	-					귀 99	8542.39.0001	3,000	-		-		결정	-	-	-	-
VCC6-LAP-200M000000	-	RFQ	4108	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1101CI5-072.0000T	-	RFQ	5951	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	72 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC6101JI2A-027.0000T	-	RFQ	9326	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		27 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	-	12µA
DSC1001CI2-010.4857	1.2300	RFQ	75	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	10.4857 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6112CI2A-000.0000	0.9000	RFQ	768	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	3MA (유형)		MEMS	-		-	12 µA					1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSA2311KI1-R0016TVAO	-	RFQ	9214	마이크로 마이크로 기술	DSA2311	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)	DSA2311		LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		23MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				24MHz	50MHz	-	-
VTC4-B31C-10M0000000	-	RFQ	6623	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001CL5-033.0000	2.0400	RFQ	4908	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	33MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		7.2MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001AI2-011.7000T	-	RFQ	8115	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	11.7 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC2033FI1-F0022	-	RFQ	4722	마이크로 마이크로 기술	DSC2033	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2033		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		38MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	100MHz	100MHz	-	-
DSC612NI3A-010GT	-	RFQ	5742	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC612		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			1.5 µA	16MHz	32.768kHz	-	-
DSC1101BE2-050.0000T	-	RFQ	6325	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	50MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSA613RL3A-01W4TVAO	-	RFQ	9491	마이크로 마이크로 기술	DSA613	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-VFLGA	mems (실리콘)			LVCMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA613RL3A-01W4TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6.5MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm			3 MA	24MHz, 25MHz	27MHz	8MHz	-
dsc6102je2a 프로그래밍 가능	-	RFQ	7128	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	3MA (유형)		MEMS	-		-						1MHz ~ 100MHz	± 25ppm
DSC1101CI5-025.0000T	-	RFQ	8176	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 10ppm	-	-	95µA
DSC1001DC2-004.9152T	-	RFQ	9882	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	0 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	4.9152 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSA6331JL2CB-012.2880TVAO	-	RFQ	7991	마이크로 마이크로 기술	DSA63XX	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSA6331	12.288 MHz	LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSA6331JL2CB-012.2880TVAOTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-		3MA (유형)		MEMS	± 25ppm	-	± 1.00%, 00 스프레드	-
DSC6083JI1A-014K000	-	RFQ	3610	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)		14 kHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	140	-		1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC1123DE1-131.0720T	-	RFQ	2078	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1123	131.072 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA		MEMS	± 50ppm	-	-	22MA
DSC2030FI1-B0019T	-	RFQ	6525	마이크로 마이크로 기술	DSC2030	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2030		LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		32MA	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	148.3516MHz, 148.5MHz	-	-	-
dsc8001dl5 프로그래밍 가능	10.3500	RFQ	7228	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4670 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	12.2MA		MEMS	-		-	15 µA					1MHz ~ 150MHz	± 10ppm
DSC1033CI1-040.0000T	-	RFQ	2236	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		40MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		4MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC8121CM2	3.4300	RFQ	4888	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8121		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4721	귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화	blank (사용자 필수 사용자 사용자)	35MA		MEMS	-		-						10MHz ~ 170MHz	± 25ppm
DSC1101111DM1-012.0000	1.5480	RFQ	5028	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101	12MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²