SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1033CE2-050.0000T Microchip Technology DSC103333CE2-050.0000T -
RFQ
 ECAD 2387 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC400-0111Q0087KE1 Microchip Technology DSC400-0111Q0087KE1 -
RFQ
 ECAD 2911 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 25MHz 24MHz 33.333333MHz -
DSC6021MI2B-01UAT Microchip Technology DSC6021MI2B-01UAT -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6021MI2B-01UATTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 24MHz, 48MHz - - -
DSA1105DL1-027.0000VAO Microchip Technology DSA1105DL1-027.0000VAO -
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1105 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1105 27 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC1121CI5-014.7456T Microchip Technology DSC1121CI5-014.7456T -
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 14.7456 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001DI2-022.5792 Microchip Technology DSC1001DI2-022.5792 -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 22.5792 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - -
MX554BNN20M1416-TR Microchip Technology MX554BNN20M1416-TR -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX554BNN20M1416 20.1416 MHz CMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX554BNN20M1416-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC6003JL3B-004.0960T Microchip Technology DSC6003JL3B-004.0960T -
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 4.096 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JL3B-004.0960T 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC2211FL2-E0016T Microchip Technology DSC2211FL2-E0016T -
RFQ
 ECAD 4756 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2211 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2211 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 80MHz, 100MHz 25MHz, 80MHz
DSC400-2222Q0105KE1T Microchip Technology DSC400-222Q0105KE1T -
RFQ
 ECAD 3634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 200MHz 156.25MHz 125MHz 100MHz
DSC1123AI5-135.0000T Microchip Technology DSC1123AI5-135.0000T 4.6080
RFQ
 ECAD 2451 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 135 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6021HE1A-00D7T Microchip Technology DSC6021HE1A-00D7T -
RFQ
 ECAD 6846 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 50ppm 2.048MHz, 4.096MHz - - -
DSC1121DM2-014.7456 Microchip Technology DSC1121DM2-014.7456 -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 14.7456 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - -
DSC2044FI2-H0006 Microchip Technology DSC2044FI2-H0006 -
RFQ
 ECAD 3006 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2044 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC2044 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 60ma (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 156.25MHz 156.25MHz - -
DSC6011CE1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6011ce1a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 8865 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 80MHz ± 50ppm
DSC6003HE2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6003he2a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 7761 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 1.3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 80MHz ± 25ppm
DSC1121CE5-025.0000T Microchip Technology DSC1121CE5-025.0000T -
RFQ
 ECAD 9114 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC400-4444Q0022KE1 Microchip Technology DSC400-4444Q0022KE1 -
RFQ
 ECAD 7825 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 125MHz 100MHz 100MHz 125MHz
DSC1123CI5-409.3750 Microchip Technology DSC1123CI5-409.3750 -
RFQ
 ECAD 7402 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 409.375 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC400-0111Q0087KE2 Microchip Technology DSC400-0111Q0087KE2 -
RFQ
 ECAD 4815 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 24MHz 33.333333MHz -
DSC8121AM2T Microchip Technology DSC8121AM2T -
RFQ
 ECAD 6292 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.014 "(0.35mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC8121 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 25ppm - 22 MA 10MHz ~ 170MHz -
DSC400-1111Q0095KE2T Microchip Technology DSC400-1111Q0095KE2T -
RFQ
 ECAD 7132 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 24MHz 24MHz 25MHz
DSC6121HI2A-0090 Microchip Technology DSC6121HI2A-0090 1.1700
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 4-VFLGA xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 6.1298MHz, 6.1679MHz - - -
DSC1001AE2-024.0000T Microchip Technology DSC1001AE2-024.0000T -
RFQ
 ECAD 9727 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 24 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6013JE1A-032.7680T Microchip Technology DSC6013JE1A-032.7680T -
RFQ
 ECAD 7775 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 32.768 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC6101HI2B-010.0000 Microchip Technology DSC6101HI2B-010.0000 -
RFQ
 ECAD 2880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 10MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101HI2B-010.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001CE1-025.0000 Microchip Technology DSC1001CE1-025.0000 -
RFQ
 ECAD 1771 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC6001CI1A-020.0000 Microchip Technology DSC6001CI1A-020.0000 1.0300
RFQ
 ECAD 530 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSA6011JA2B-012.0000TVAO Microchip Technology DSA6011JA2B-012.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 5371 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6011JA2B-012.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC2311KI1-R0046 Microchip Technology DSC2311KI1-R0046 -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 19.2MHz 19.2MHz - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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