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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	현재 -공급 (max)	키	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)
DSC1124CI5-156.2578	-	RFQ	5317	마이크로 마이크로 기술	DSC1124	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1124	156.2578 MHz	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		42MA		MEMS	± 10ppm	-	-	22MA
DSC6003JI2A-016.0000T	-	RFQ	1861	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		16MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		1.25MA		MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC6121HI2A-00AJT	1.1700	RFQ	1	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C		0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm)			4-VFLGA	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	-		3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 25ppm				74.1758MHz, 74.25MHz	-	-	-
DSC1101NI1-156.2500T	-	RFQ	9970	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1101	156.25 MHz	CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		35MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
DSC1103BL2-125.0000	3.2000	RFQ	39	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1103	125MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)		32MA		MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
DSC1211DE1-C0023T	-	RFQ	3781	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			6-vdfn	xo (표준)			CMOS	2.5V ~ 3.3V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1211DE1-C0023TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-		27MA (타이핑)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				-	-	-	-
DSC6121CE2A-00CVT	-	RFQ	7935	마이크로 마이크로 기술	DSC61XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			4-vdfn	xo (표준)			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	-		3MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 25ppm				32.768MHz, 56MHz	-	-	-
DSC1104CE1-100.0000	-	RFQ	6998	마이크로 마이크로 기술	DSC1104	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1104	100MHz	HCSL	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		42MA		MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
dsc8002di2 프로그램 가능	-	RFQ	2298	마이크로 마이크로 기술	DSC8002	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	576-4677 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	10MA		MEMS	-		-	1 µA					1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
DSC1033CI1-011.2896	-	RFQ	6906	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		11.2896 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	1µA
DSC400-3133Q0100KI1T	-	RFQ	9400	마이크로 마이크로 기술	DSC400	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				148.35MHz, 148.5MHz	156.25MHz	25MHz	197.8MHz, 198MHz
DSC400-1133Q0113KE1	-	RFQ	3323	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400		LVCMOS, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화		-	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm				100MHz, 156.25MHz	125MHz	125MHz	25MHz
VPC1-B1E-111M992000	-	RFQ	8244	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6001JI3B-439K000	-	RFQ	9945	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)	DSC6001	439 kHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		1.3MA (유형)		MEMS	-	± 20ppm	-	-
DSC2011FI1-F0033	-	RFQ	2466	마이크로 마이크로 기술	DSC2011	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC2011		CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화		32MA (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	24MHz	8MHz	-	-
VC-801-JAE-FAAN-24M0000000	-	RFQ	1570	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC1001CI5-025.0000	2.5100	RFQ	132	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	25MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1001BL5-150.0000T	-	RFQ	7327	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	150MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)		12.2MA		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC1123BE1-050.0000T	-	RFQ	2374	마이크로 마이크로 기술	DSC1123	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1123	50MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		22MA		MEMS	± 50ppm	-	-	-
DSC8121BI5 프로그래밍 가능	-	RFQ	6774	마이크로 마이크로 기술	DSC8121	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4715 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	35MA		MEMS	-		-	22 MA					10MHz ~ 170MHz	± 10ppm
DSC6001CI1A-007.3728T	-	RFQ	4631	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		7.3728 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		1.3MA (유형)		MEMS	± 50ppm	-	-	-
VC-840-JAE-KAAN-122M767850TR	-	RFQ	8087	마이크로 마이크로 기술	VC-840	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		122.76785 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-840-JAE-KAAN-122M767850TR	귀 99	8541.60.0080	3,000	활성화/비활성화		20MA		결정	± 50ppm	-	-	10µA
VC-820-JAE-EAAN-100M000000	-	RFQ	1254	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인												다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
MX573ABB106M250	-	RFQ	3700	마이크로 마이크로 기술	MX55	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	MX573ABB106M250	106.25 MHz	LVD	2.375V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	43	활성화/비활성화		90ma		결정	± 50ppm	-	-	-
DSC1001AL5-024.5760	-	RFQ	9638	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1001	24.576 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	50	대기 (다운 전원)		6.3ma		MEMS	± 10ppm	-	-	15µA
DSC2041FE1-K0003T	-	RFQ	3416	마이크로 마이크로 기술	DSC2041	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)			14-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC2041		HCSL, LVCMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		49ma (유형)	0.035 "(0.90mm)	MEMS	± 50ppm			23 MA	100MHz	25MHz	-	-
dsc8004bi2 프로그램 가능	8.3900	RFQ	4599	마이크로 마이크로 기술	DSC8004	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4679 프로그래밍 가능	귀 99	8542.39.0001	1	대기	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)	16.6MA		MEMS	-		-	15 µA					1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
DSC1221DA3-25M00000	-	RFQ	6708	마이크로 마이크로 기술	DSC12X1	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1221	25MHz	CMOS	2.25V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-DSC1221DA3-25M00000	귀 99	8542.39.0001	140	활성화/비활성화		27MA (타이핑)		MEMS	± 20ppm	-	-	5µA
DSC612NL3A-019AT	-	RFQ	1495	마이크로 마이크로 기술	DSC612	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			6-llga	xo (표준)	DSC612		LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC612NL3A-019ATTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화		6MA	0.035 "(0.89mm)	MEMS	± 20ppm				8MHz	32.768kHz	-	-
DSC1001BI2-029.4912	-	RFQ	6549	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001	29.4912 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	대기 (다운 전원)		7.2MA		MEMS	± 25ppm	-	-	15µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²