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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	포함	액세서리 액세서리	/함께 함께 제품과 사용합니다	빈도	작동 작동	명세서	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	프로그래밍 프로그래밍 유형	커패시턴스로드	현재 -공급 (max)	키	위치 위치	패키지가 패키지가	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐	주파수 주파수	주파수 -. 1	주파수 -. 2	주파수-. 3	주파수-. 4	사용 사용 주파수 가능한	주파수 주파수 (안정성)	온도
DSC400-4334Q0023KE1	-	RFQ	2452	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400							HCSL, LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 50ppm					100MHz	156.25MHz	-	-
DSC6021JE1B-01W2T	-	RFQ	6164	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)			4-VLGA	xo (표준)								CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6021JE1B-01W2TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	-			1.3MA (유형)	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 50ppm					14.3182MHz, 17.7345MHz	-	-	-
DSC-Prog-8001-5032	-	RFQ	8861	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	상자	sic에서 중단되었습니다									-	소켓 소켓	발진기			-			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4736	귀 99	8541.60.0080	1						4	4.90mm x 1.80mm x 1.00mm													-
VC-806-HCW-FAAN-156M250000	-	RFQ	5595	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1103AE1-083.3333T	-	RFQ	2185	마이크로 마이크로 기술	DSC1103	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 노출 패드 없음 없음	xo (표준)	DSC1103				83.3333 MHz			LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			32MA				MEMS	± 50ppm	-	-	95µA
VXM9-9014-64M0000000TR	0.8750	RFQ	4291	마이크로 마이크로 기술	VXM9	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.022 "(0.55mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	MHZ 크리스탈	VXM9-9014				64 MHz	근본적인				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	150-VXM9-9014-64M0000000TR	귀 99	8541.60.0060	3,000			-						-				± 20ppm
DSC8001AI1	2.3400	RFQ	3722	마이크로 마이크로 기술	DSC8001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC8001							CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4654	귀 99	8542.39.0001	50	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		12.2MA				MEMS	-		-	15 µA						1MHz ~ 150MHz	± 50ppm
DSC103333DI2-050.0000T	-	RFQ	2885	마이크로 마이크로 기술	DSC1033, Puresilicon ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1033				50MHz			CMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			4MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	1µA
DSC8002AI2	-	RFQ	5592	마이크로 마이크로 기술	DSC8002	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)								CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	576-4672	귀 99	8542.39.0001	50	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		10MA				MEMS	-		-	1 µA						1MHz ~ 150MHz	± 25ppm
DSC6011CE1A-000.0000	-	RFQ	7081	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)								CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기	blank (사용자 필수 사용자 사용자)		1.3MA (유형)				MEMS	-		-	12 µA						1MHz ~ 80MHz	± 50ppm
DSC1001DE1-012.5000T	-	RFQ	1186	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				12.5MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma				MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC1003CL1-048.0000T	-	RFQ	7072	마이크로 마이크로 기술	DSC1003	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1003				48MHz			CMOS	1.7V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			7.4ma				MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC11011111DM2-008.0000T	-	RFQ	7616	마이크로 마이크로 기술	DSC1101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-vdfn	xo (표준)	DSC1101				8 MHz			CMOS	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			35MA				MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
VCC1-A3D-7M37280000	-	RFQ	4367	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000
DSC6003CI2A-004.0000	-	RFQ	5607	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)					4 MHz			CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	110	활성화/비활성화			1.3MA (유형)				MEMS	-	± 25ppm	-	-
DSC6111MI2B-027.0000T	-	RFQ	2541	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)	DSC6111				27 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			3MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	-
DSC400-3333Q0099KI2	-	RFQ	5563	마이크로 마이크로 기술	DSC400	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)			20-vfqfn 노출 패드	xo (표준)	DSC400							LVD	2.25V ~ 3.6V	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	72	활성화/비활성화			-	0.035 "(0.90mm)			MEMS	± 25ppm					148.35MHz, 148.5MHz	156.25MHz	208.333333MHz	197.8MHz, 198MHz
CDTGCP-3M08800000	-	RFQ	7676	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.60.0030	1,000
VCC6-VCB-50M0000000	-	RFQ	1540	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는																	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	250
DSC1001DI2-001.0000	0.9360	RFQ	2742	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				1MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	140	대기 (다운 전원)			6.3ma				MEMS	± 25ppm	-	-	15µA
DSC6101JE3B-485K000T	-	RFQ	8463	마이크로 마이크로 기술	DSC61XXB	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VLGA	xo (표준)					485 kHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드			영향을받지 영향을받지	150-DSC6101JE3B-485K000TTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			3MA (유형)				MEMS	± 20ppm	-	-	-
DSC1001DL1-012.5000T	-	RFQ	2576	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	AEC-Q100	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				12.5MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			6.3ma				MEMS	± 50ppm	-	-	15µA
DSC6011MI2B-019.2000	-	RFQ	9890	마이크로 마이크로 기술	DSC60XXB	가방	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-VFLGA	xo (표준)					19.2 MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC6011MI2B-019.2000	귀 99	8542.39.0001	100	대기 (다운 전원)			1.3MA (유형)				MEMS	± 25ppm	-	-	1.5µA (()
VX-705-ECE-KEAN-1220M000000	-	RFQ	5428	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인																	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	100
DSC1102DE2-025.0000T	-	RFQ	1142	마이크로 마이크로 기술	DSC1102	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1102				25MHz			lvpecl	2.25V ~ 3.6V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)			58ma				MEMS	± 25ppm	-	-	95µA
VC-711-ECE-FAAN-156M250000	-	RFQ	1787	마이크로 마이크로 기술	VC-711	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)					156.25 MHz			lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-VC-711-ECE-FAAN-156M250000TR	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화			69ma				결정	± 25ppm	-	-	200µA
DSC613NA1A-01KDT	-	RFQ	8917	마이크로 마이크로 기술	DSC613	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C		0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)			6-VFLGA	xo (표준)	DSC613							LVCMOS	1.71V ~ 3.63V	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-DSC613NA1A-01KDTTR	귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화			6.5MA	0.035 "(0.89mm)			MEMS	± 50ppm			3 MA		-	-	-	-
dsc6003ce2a 프로그램 가능	-	RFQ	6987	마이크로 마이크로 기술	DSC60XX	대부분	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)								CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력)		1.3MA (유형)				MEMS	-		-							1MHz ~ 80MHz	± 25ppm
DSC1001CI2-125.0000	-	RFQ	3095	마이크로 마이크로 기술	DSC1001	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	DSC1001				125MHz			CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	110	대기 (다운 전원)			11.9ma				MEMS	± 25ppm	-	-	-
VT-820-EFH-2560-21M5000000	-	RFQ	5273	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는																	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

결정, 공진기, 발진기 (18804)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²