SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 포함 액세서리 액세서리 /함께 함께 제품과 사용합니다 빈도 명세서 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 위치 위치 패키지가 패키지가 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성) 온도
DSC1102AE1-156.2500T Microchip Technology DSC1102AE1-156.2500T -
RFQ
ECAD 6760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1102 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 50ppm - - 95µA
VC-708-EDE-FNXN-158M307700TR Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-158M307700TR -
RFQ
ECAD 8069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-708 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 158.3077 MHz LVD 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VC-708-ED-FNXN-158M307700TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 48MA 결정 ± 25ppm - - -
SO-720-LPF-GDN-312M500000 Microchip Technology SO-720-LPF-GDN-312M500000 -
RFQ
ECAD 6574 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 200
DSC1103BL2-125.0000 Microchip Technology DSC1103BL2-125.0000 3.2000
RFQ
ECAD 39 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1033CC1-049.1520T Microchip Technology DSC1033CC1-049.1520T -
RFQ
ECAD 4026 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1033, Puresilicon ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.152 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSC1033CC1049.1520T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1µA
DSC1001BI2-029.4912 Microchip Technology DSC1001BI2-029.4912 -
RFQ
ECAD 6549 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 29.4912 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CL2-026.6600 Microchip Technology DSC1001CL2-026.6600 -
RFQ
ECAD 8722 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 26.66 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC2311KM1-R0002 Microchip Technology DSC2311KM1-R0002 -
RFQ
ECAD 4162 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 25MHz 125MHz - -
DSC1211DE1-C0023T Microchip Technology DSC1211DE1-C0023T -
RFQ
ECAD 3781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) CMOS 2.5V ~ 3.3V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1211DE1-C0023TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 27MA (타이핑) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm - - - -
DSC1001BE2-048.0000T Microchip Technology DSC1001BE2-048.0000T -
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 25ppm - - -
DSC400-0401Q0103KI1 Microchip Technology DSC400-0401Q0103KI1 -
RFQ
ECAD 8574 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 HCSL, LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 12.288MHz 100MHz - -
DSC1001CI2-024.5760B Microchip Technology DSC1001CI2-024.5760B -
RFQ
ECAD 5790 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
VT-860-EFE-5070-38M4000000 Microchip Technology VT-860-EFE-5070-38M4000000 -
RFQ
ECAD 2251 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-860 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 38.4 MHz 사인파를 사인파를 3.3v - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 - 2.3ma 결정 ± 500ppb - - -
VCC1-B3E-25M9200000 Microchip Technology VCC1-B3E-25M9200000 -
RFQ
ECAD 8138 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.92 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3E-25M9200000tr 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 20MA 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSC1102DI5-108.0000T Microchip Technology DSC1102DI5-108.0000T -
RFQ
ECAD 2406 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 108 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 10ppm - - 95µA
VXM7-1DE-10-24M0000000 Microchip Technology VXM7-1DE-24M0000000 -
RFQ
ECAD 6907 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 1,000
DSC6023CI2A-00A5T Microchip Technology DSC6023CI2A-00A5T -
RFQ
ECAD 2451 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 4-vdfn xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz, 50MHz - - -
DSC400-0111Q0116KE2T Microchip Technology DSC400-0111Q0116KE2T -
RFQ
ECAD 9777 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12.288MHz 14.7456MHz 11.2896MHz -
DSC1101NI5-025.0000T Microchip Technology DSC1101NI5-025.0000T -
RFQ
ECAD 5202 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
DSC8002DI1T Microchip Technology DSC8002DI1T -
RFQ
ECAD 3714 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8002 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8002 CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 10MA MEMS ± 50ppm - 1 µA 1MHz ~ 150MHz -
VT-706-EAE-2070-10M0000000 Microchip Technology VT-706-EAE-2070-10M0000000 -
RFQ
ECAD 3781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1103DE1-148.2500T Microchip Technology DSC1103DE1-148.2500T -
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 148.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC8123CL1T Microchip Technology DSC8123CL1T -
RFQ
ECAD 5582 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8123 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 22MA MEMS ± 50ppm - 10MHz ~ 460 MHz -
DSC400-1111Q0081KE1 Microchip Technology DSC400-1111Q0081KE1 -
RFQ
ECAD 8941 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 27MHz 50MHz 25MHz 12MHz
DSC400-1111Q0111KE2T Microchip Technology DSC400-1111Q0111KE2T -
RFQ
ECAD 7350 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 25MHz 20MHz 24MHz -
DSC-PROG-8121-2520 Microchip Technology DSC-Prog-8121-2520 -
RFQ
ECAD 5379 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8001 상자 sic에서 중단되었습니다 - 소켓 소켓 발진기 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4744 귀 99 8541.60.0080 1 4 2.50mm x 2.00mm x 0.90mm -
DSC6101JE2A-000.0000T Microchip Technology DSC6101JE2A-000.0000T -
RFQ
ECAD 5513 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 3MA (유형) MEMS - - 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC2311KE1-R0047T Microchip Technology DSC2311KE1-R0047T -
RFQ
ECAD 7701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2311 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSC2311 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 23 MA 12MHz 25MHz - -
DSC1001CI5-025.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-025.0000 2.5100
RFQ
ECAD 132 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
VPC1-B1E-111M992000 Microchip Technology VPC1-B1E-111M992000 -
RFQ
ECAD 8244 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고