SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC400-0101Q0082KE2T Microchip Technology DSC400-0101Q0082KE2T -
RFQ
ECAD 7189 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 22.5792MHz 24.576MHz - -
DSC1121AI5-008.0000T Microchip Technology DSC1121AI5-008.0000T -
RFQ
ECAD 3880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 8 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AI5-008.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA400-4444Q0168KI2VAO Microchip Technology DSA400-4444Q0168KI2VAO -
RFQ
ECAD 1116 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-4444Q0168KI2VAO 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 88ma 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz 100MHz, 125MHz
VMK3-9005-32K7680000 Microchip Technology VMK3-9005-32K7680000 1.1280
RFQ
ECAD 9637 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VMK3 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 khz 크리스탈 (크리스탈 포크) 32.768 kHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 150-VMK3-9005-32K7680000 1 - - -
DSA2311KA3-R0073VAO Microchip Technology DSA2311KA3-R0073VAO -
RFQ
ECAD 9816 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA3-R0073VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 20ppm 40MHz 40MHz - -
VT-820-FFE-106A-10M0000000 Microchip Technology VT-820-FFE-106A-10M0000000 -
RFQ
ECAD 2851 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC6122CI2A-004S Microchip Technology DSC6122CI2A-004S -
RFQ
ECAD 8744 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 4-vdfn xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 110 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 56.32MHz, 56.96MHz - - -
DSC613RI2A-012ST Microchip Technology DSC613RI2A-012ST 1.4500
RFQ
ECAD 2803 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC613 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC613 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 6.5MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 25ppm 12MHz 25MHz 32.768kHz -
DSC1004CI2-010.0000 Microchip Technology DSC1004CI2-010.0000 -
RFQ
ECAD 4116 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1004 10MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CI5-009.7280 Microchip Technology DSC1001CI5-009.7280 1.8800
RFQ
ECAD 2884 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 9.728 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6001MI2B-012.2880 Microchip Technology DSC6001MI2B-012.2880 0.8700
RFQ
ECAD 6967 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6001 12.288 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC8101AI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc8101ai5 프로그래밍 가능 가능 -
RFQ
ECAD 3810 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8101 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4682 프로그래밍 가능 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 35MA MEMS - - 95 µA 10MHz ~ 170MHz ± 10ppm
DSA2311KI1-R0016VAO Microchip Technology DSA2311KI1-R0016VAO -
RFQ
ECAD 1786 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 24MHz 50MHz - -
DSC6111ME2A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6111me2a 프로그램 가능 -
RFQ
ECAD 3854 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 25ppm
DSC1102AI2-156.2500T Microchip Technology DSC1102AI2-156.2500T -
RFQ
ECAD 3715 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1102 156.25 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC8103CI2 Microchip Technology DSC8103CI2 5.4960
RFQ
ECAD 6936 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8103 LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-4704 귀 99 8542.39.0001 110 대기 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 32MA MEMS - - 10MHz ~ 460 MHz ± 25ppm
DSC1101CM2-024.5454T Microchip Technology DSC1101CM2-024.5454T -
RFQ
ECAD 2256 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 24.5454 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6021CI2A-00EQT Microchip Technology DSC6021CI2A-00EQT -
RFQ
ECAD 5491 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 4-vdfn xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 1.3MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 12MHz, 48MHz - - -
VXM1-1KE-18-14M3181800TR Microchip Technology vxm1-1ke-18-14m3181800tr -
RFQ
ECAD 1719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM1 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 14.31818 MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-vxm1-1ke-18-14m3181800tr 귀 99 8541.60.0050 3,000 18pf ± 50ppm ± 10ppm
DSC1003CL1-019.2000T Microchip Technology DSC1003CL1-019.2000T -
RFQ
ECAD 9909 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1003 19.2 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA2033FL2-F0022VAO Microchip Technology DSA2033FL2-F0022VAO -
RFQ
ECAD 1812 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA20XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA2033FL2-F0022VAO 귀 99 8542.39.0001 110 - 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm - - - -
DSC2133FI2-G0001T Microchip Technology DSC2133FI2-G0001T -
RFQ
ECAD 7928 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC2133 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2133 LVD 2.25V ~ 3.6V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38MA (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 148.5MHz, 156.25MHz 74.25MHz, 125MHz
DSC1121CI2-156.2500T Microchip Technology DSC1121CI2-156.2500T -
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1121 156.25 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC8121BM5 Microchip Technology DSC8121BM5 -
RFQ
ECAD 2500 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 10ppm - 22 MA 10MHz ~ 100MHz -
DSC400-3133Q0100KE1 Microchip Technology DSC400-3133Q0100KE1 -
RFQ
ECAD 3396 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 148.35MHz, 148.5MHz 156.25MHz 25MHz 197.8MHz, 198MHz
DSC8121CI2T Microchip Technology DSC8121CI2T -
RFQ
ECAD 5759 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC8121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC8121 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 25ppm - 22 MA 10MHz ~ 100MHz -
DSC1003AE5-100.0000 Microchip Technology DSC1003AE5-100.0000 -
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1003 100MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSA612RL3A-01W6TVAO Microchip Technology DSA612RL3A-01W6TVAO -
RFQ
ECAD 5444 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA mems (실리콘) LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA612RL3A-01W6TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 3 MA 32.768kHz 25MHz 32.768kHz -
DSC2123FI2-E0024T Microchip Technology DSC2123FI2-E0024T -
RFQ
ECAD 1797 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 14-SMD,, 없음 xo (표준) DSC2123 LVDS, LVPECL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 76MA (유형) 0.037 "(0.95mm) MEMS ± 25ppm 23 MA 148.5MHz 148.5MHz - -
DSC1101DM2-PROG Microchip Technology DSC110111DM2-Prog 2.2800
RFQ
ECAD 80 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1101111DM2 프로그램 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS ± 25ppm - 3.3 MHz ~ 170 MHz -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고